Разделение - кристалл
Cтраница 3
Применен способ рентгеновского анализа для исследования упругости и для выяснения пластичности и твердости кристаллов. Обнаружилось, что пластическая деформация состоит в разделении кристалла на отдельные части, которые скользят в плоскости ромбического додекаэдра и при этом поворачиваются на различные углы. [31]
Как бы тщательно ни была изготовлена поверхность твердого тела, она всегда обладает значительной ( по сравнению с атомными размерами) шероховатостью. Самая идеальная поверхность, которую можно получить при разделении кристалла по плоскости спайности, имеет неровности порядка 10 нм; значительно более грубой шероховатостью ( сотни - тысячи нанометров) обладают поверхности, полученные механической обработкой. [32]
Важной энергетической характеристикой кристаллов является энергия кристаллической решетки. UQ, измеряемая работой, которую необходимо совершить для разделения кристалла на ионы и удаления их на бесконечно большое расстояние друг от друга. Эту величину обычно относят к молю вещества. [33]
Поскольку симметрия внешней формы кристалла отражает симметрию его структуры, систему координат можно выбрать также и по ребрам кристаллического многогранника. Именно так были выбраны кристаллографические системы координат и произведено разделение кристаллов на сингонии ( Вейсс, 1814), когда еще не было сведений о структуре кристалла. [34]
Проведем рассмотрение энергий связи ионных кристаллов в том виде, как это обычно делается при обсуждении различных типов связи в твердых телах. Определим энергию сцепления как такую энергию, которая необходима для разделения кристалла на составляющие его атомы; энергию кристалла - как энергию, необходимую для разделения его па ионы; ку-лоновскую энергию - как энергию, заключенную в электростатическом поле, окружающем ионы ( или электроны); энергию электронного сродства атомов - как некулоновскую в упомянутом выше смысле. Поскольку энергия электронного сродства образуется вследствие электростатического взаимодействия электронов между собой, а также электронов с положительными ядрами, она определяется короткодействующими силами, действие которых Ограничено радиусом иона, в то время как кулоновская энергия, согласно нашему определению, связана с силами, действие которых простирается от. [35]
Следует отметить, что аргон в твердом состоянии практически не растворим в криптоне, и поэтому твердое состояние должно представляться неперемешивающимися наборами частиц разного сорта. Создание несмешиваемых кристаллов в одной ячейке, т.е. на микроуровне, из-за использования периодических условий совсем не означает, что произойдет разделение кристаллов в макроскопическом масштабе. Поэтому принципиальная возможность моделирования в методе Монте-Карло кристаллической смеси является неочевидной. В то же время жидкая смесь моделируется с той же степенью адекватности, что и чистое вещество в жидкой фазе. [36]
 |
Шнековый растворитель сильвинита. [37] |
Процесс ведут следующим образом. Смесь тонко измельченного сырого сильвинита помещают в жидкость, служащую разделительной средой. Процесс разделения кристаллов осуществляется в гидроциклонах, где под влиянием центробежной силы поток делится на две части. Одна часть, содержащая главным образом NaCl ( хвосты), отбрасывается к периферии и выводится оттуда. [38]
Кристаллы состава В под действием угловой силы, образующейся из центробежной силы и за счет увеличения диаметра конуса, соскальзывают с поверхности вращающегося конического фильтра. Угол конуса выбирают таким, чтобы позволить кристаллам скользить и одновременно отделить от них фильтрат под действием центробежной силы. Изобутан поддерживают в состоянии непрерывного испарения, чтобы обеспечить разделение кристаллов и жидкости. Когда кристаллы достигают наружного кольца вращающегося конуса, они попадают в рециркулирующую кислоту, проходящую через приемник кристаллов, и вместе с кислотой возвращаются в реактор. [39]
Галенит ( галена - свинцовая руда; свинцовый блеск) - очень редко встречается в форме кристаллов - октаэдра либо куба, но всегда наблюдаются спайные выколки в форме куба или прямоугольных параллелепипедов. Тонкозернистый агрегат называется свинчак, как правило отличается повышенным содержанием Ag. На спайных плоскостях часто заметна косая прямолинейная штриховка - полисинтетические двойники сдвига; характерно также разделение кристалла на микроблоки - пластическая деформация индивида - блокование, которое в конечном счете заканчивается грануляцией - образованием зернистого агрегата из монокристалла. [40]
 |
Схема расщепления для расчета свободной поверхности энергии. [41] |
Хотя метод раскалывания предложен уже давно, точные результаты были получены только в последнее время путем установления определенных граничных условий. В частности, были учтены скалывающие усилия при изгибе и особые условия у вершины щели. Необходимо обеспечить, чтобы при определении значений ст принималась во внимание только та работа, которая затрачивается на разделение кристалла; работа пластической деформации, особенно вблизи трещины, учитываться не должна. [42]
То, что спонтанно поляризованный кристалл разбивается на домены, объясняется простыми энергетическими соображениями: при разбиении на домены он понижает свою энергию за счет исчезнувшего электрического поля. Домены могут возникать и потому, что при фазовом переходе в разных частях кристалла спонтанная поляризация может возникнуть в разное время и может иметь различное ( но кристаллографически одинаковое) направление. Эти соображения особенно важны для антисегнето-электриков, у которых нет макроскопической спонтанной поляризации; в этом случае энергия поля не исчезает при разделении кристалла па домены. [43]
 |
Составляющие энергии образования дефектов Шоттки в галогенидах щелочных металлов и AgCl ( в эВ. [44] |
Какие из рассмотренных дефектов являются доминирующими, зависит от энергий их образования. На основании формул (5.11) - (5.13) следует ожидать, что в плотноупакованных решетках ионных кристаллов образование дефектов Шоттки должно быть энергетически более выгодным по сравнению с образованием дефектов Френкеля и антифренкелевских, поскольку в случае дефектов Шоттки значительная часть энергии, затрачиваемой на образование вакансий, компенсируется отрицательным членом ( - WL) при достраивании решетки на поверхности кристалла. Это хорошо иллюстрирует табл. 5.1, в которой для галогенидов щелочных металлов и хлорида серебра приведены вычисленные значения энергий образования вакансий, необходимых для удаления иона из узла в вакуум, энергии решетки Wt, равной работе по разделению кристалла на изолированные ионы, и результирующие значения энергии дефектов Шоттки Ws, отнесенные к паре ионов. [45]
Страницы: 1 2 3 4