Размер - микросхема
Cтраница 1
Размеры микросхем кратны этим размерам. На одной подложке размещается от десяти до тридцати и более микросхем. [1]
Уменьшение размеров микросхем и повышающиеся с каждым годом требования к точности выполнения геометрических размеров их элементов привели к широкому внедрению в производство методов фотолитографии, которые по разрешающей способности и точности значительно превосходят метод свободной маски. В табл. 8.1 сравнивается разрешающая способность различных методов получения рисунка. [2]
 |
Внешний вид конструкций некоторых микросхем. [3] |
Рядом для сравнения изображена копеечная монета, дающая представление о размерах микросхем этих серий. [4]
 |
Чертежи главного вида пленочной микросхемы. [5] |
На основе топологического чертежа в фотолаборатории изготавливают миниатюрные фотошаблоны, размеры которых соответствуют размерам микросхемы. [6]
Для уменьшения влияния ключей весовые сопротивления стремятся увеличивать, однако при этом необходимо увеличивать размеры микросхемы. Для обеспечения более высокой точности резисторов их выполняют шириной до 30 мк ( вместо 10 мк в обычных микросхемах) из сплавов с малым температурным коэффициентом электрического сопротивления, например из никель-хрома или тантала. Для лучшего согласования температурных характеристик резисторы в микросхеме располагают рядом. Из (7.33) видно, что при идентичных изменениях всех сопротивлений весовых резисторов и сопротивления RH погрешность по этой причине не возникает. В ПКН с числом двоичных разрядов более шести резистивпая цепь выполняется обычно не по двоичному коду, а в виде многозвенного сопротивления или сетки резисторов R... В этом случае резисторов получается вдвое болыие, однако их общее сопротивление, определяющее размер микросхем, получается во много раз меньше. При этом потребляемая мощность в таких схемах значительно возрастает, так как через все резисторы протекают более значительные токи. [7]
Для уменьшения влияния ключей весовые сопротивления стремятся увеличивать, однако при этом необходимо увеличивать размеры микросхемы. Для обеспечения более высокой точности резисторов их выполняют шириной до 30 мк ( вместо 10 мк в обычных микросхемах) из сплавов с малым температурным коэффициентом электрического сопротивления, например из никель-хрома или тантала. Для лучшего согласования температурных характеристик резисторы в микросхеме располагают рядом. Из (7.33) видно, что при идентичных изменениях всех сопротивлений весовых резисторов и сопротивления Ru погрешность по этой причине не возникает. В этом случае резисторов получается вдвое больше, однако их общее сопротивление, определяющее размер микросхем, получается во много раз меньше. При этом потребляемая мощность в таких схемах значительно возрастает, так как через все резисторы протекают более значительные токи. [8]
Для уменьшения влияния ключей весовые сопротивления стремятся увеличивать, однако при этом необходимо увеличивать размеры микросхемы. Для обеспечения более высокой точности резисторов их выполняют шириной до 30 мк ( вместо 10 мк в обычных микросхемах) из сплавов с малым температурным коэффициентом электрического сопротивления, например из никель-хрома или тантала. Для лучшего согласования температурных характеристик резисторы в микросхеме располагают рядом. При идентичных изменениях всех сопротивлений весовых резисторов и сопротивления R0 погрешность по этой причине не возникает. В этом случае резисторов получается вдвое больше, однако их общее сопротивление, определяющее размер микросхем, получается во много раз меньше. При этом потребляемая мощность в таких схемах значительно возрастает, так как через все резисторы протекают более значительные токи. [9]
Фотошаблон представляет собой фотокопию оригинала интегральной микросхемы, выполненную на прозрачном материале в масштабе 1: 1 по отношению к размерам микросхемы. Ось фотокамеры устанавливается перпендикулярно плоскости чертежа. [10]
Такой процесс является сложным, и в настоящее время ошибка совмещения изображения с нескольких фотошаблонов в ряде случаев не позволяет уменьшать размеры микросхемы. [11]
Переход от использования в устройствах СВЧ гибридных интегральных микросхем к монолитным микросхемам на арсениде галлия, их развитие и увеличение степени сложности на различных этапах освоения, многократное уменьшение размеров микросхем СВЧ, а также увеличение удельных значений интенсивности тепловыделения и количества цепей НЧ и СВЧ коммутации приводит к тому, что описанная в параграфе 1.6 универсальная и удовлетворяющая всем требованиям, предъявляемым к устройствам на гибридных интегральных микросхемах СВЧ, конструкция корпуса перестает быть оптимальной. [12]
 |
Блок разъемной конструкции автомобильной аппаратуры. [13] |
Применение индивидуальных направляющих несколько усложняет конструкцию блоков, но дает возможность увеличить плотность упаковки, что особенно важно в аналоговой аппаратуре, где почти всегда присутствуют катушки индуктивности, которые по своим размерам превышают размеры микросхем и не кратны им. Поэтому появляется возможность в одном блоке устанавливать ячейки с разным шагом, не кратным 15 мм. [14]
Использование тонких пленок в микроэлектронике основано на методах осаждения и контроля физических свойств этих пленок, и, кроме того, на возможности распределения материала в виде точно сформированных рисунков. Стремление ко все большему усложнению и уменьшению размеров микросхем способствовало дальнейшему развитию этого направления, и в результате были достигнуты большие успехи в усовершенствовании методов создания тонкопленочных рисунков. [15]
Страницы: 1 2