Размер - микросхема
Cтраница 2
 |
Установка для катодного.| Пример топологического чертежа тонкопленочной схемы.| Фотолитографический метод изготовления металлических масок. [16] |
Для размещения элементов схемы и их соединений на подложке составляется специальный рисунок схемы - топологический чертеж. На основе топологического чертежа в фотолаборатории изготавливают миниатюрные фотошаблоны, размеры которых соответствуют размерам микросхемы. Фотошаблоны выполняют на фотопластинках с разрешающей способностью порядка 400 линий / лш. [17]
Исследование новых материалов для подложек вызвано стремлением улучшить теплоотвод при работе микросхем, а следовательно, повысить их мощность. Применение алюминиевых подложек, обладающих высоким коэффициентом теплопроводности, с оксидным слоем в качестве электроизоляции позволяет повысить удельные нагрузки и уменьшить размер микросхем. [18]
 |
Буферный элемент без инверсии ( а. действие буферного элемента без инверсии. [19] |
При любом объеме памяти существует несколько различных способов организации микросхемы. На рис. 3.30 показаны две возможные структуры микросхемы в 4 Мбит: 512 Кх8 и 4096 Kxl. Размеры микросхем памяти обычно даются в битах, а не в байтах, поэтому здесь мы будем придерживаться этого соглашения. [20]
В технике СВЧ используются диэлектрические материалы различного типа: полимеры, слоистые пластики, ситаллы, керамика, монокристаллы. Диапазон технического применения этих материалов весьма широ к. Эффект миниатюризации основан на гом, что длина электромагнитной волны в диэлектрике сокращается в - У е раз, при этом пленарные размеры микросхемы СВЧ уменьшаются соответственно в в раз. [21]
При танталовой технологии на подложке пассивные элементы получаются нанесением слоя тантала с последующим вытравливанием. При получении балочных и шариковых выводов непосредственно на полупроводниковом кристалле не только не нужны дополнительные золотые перемычки - проводники, но и уменьшается потребная площадь под установку микросхем. Например, при контактировании с помощью гибких проволочных выводов минимальное расстояние от края микросхемы до края контактной площадки на базовой подложке должно составлять не менее 0 3 - 0 4 мм при размере микросхемы 1 5 х X 1 5 мм. При методе зеркального монтажа выводы - шарики - микросхемы перпендикулярно ( зеркально) контактируют с контактными площадками, находящимися под площадью кристалла. [22]
Для уменьшения влияния ключей весовые сопротивления стремятся увеличивать, однако при этом необходимо увеличивать размеры микросхемы. Для обеспечения более высокой точности резисторов их выполняют шириной до 30 мк ( вместо 10 мк в обычных микросхемах) из сплавов с малым температурным коэффициентом электрического сопротивления, например из никель-хрома или тантала. Для лучшего согласования температурных характеристик резисторы в микросхеме располагают рядом. Из (7.33) видно, что при идентичных изменениях всех сопротивлений весовых резисторов и сопротивления Ru погрешность по этой причине не возникает. В этом случае резисторов получается вдвое больше, однако их общее сопротивление, определяющее размер микросхем, получается во много раз меньше. При этом потребляемая мощность в таких схемах значительно возрастает, так как через все резисторы протекают более значительные токи. [23]
Для уменьшения влияния ключей весовые сопротивления стремятся увеличивать, однако при этом необходимо увеличивать размеры микросхемы. Для обеспечения более высокой точности резисторов их выполняют шириной до 30 мк ( вместо 10 мк в обычных микросхемах) из сплавов с малым температурным коэффициентом электрического сопротивления, например из никель-хрома или тантала. Для лучшего согласования температурных характеристик резисторы в микросхеме располагают рядом. При идентичных изменениях всех сопротивлений весовых резисторов и сопротивления R0 погрешность по этой причине не возникает. В этом случае резисторов получается вдвое больше, однако их общее сопротивление, определяющее размер микросхем, получается во много раз меньше. При этом потребляемая мощность в таких схемах значительно возрастает, так как через все резисторы протекают более значительные токи. [24]
Для уменьшения влияния ключей весовые сопротивления стремятся увеличивать, однако при этом необходимо увеличивать размеры микросхемы. Для обеспечения более высокой точности резисторов их выполняют шириной до 30 мк ( вместо 10 мк в обычных микросхемах) из сплавов с малым температурным коэффициентом электрического сопротивления, например из никель-хрома или тантала. Для лучшего согласования температурных характеристик резисторы в микросхеме располагают рядом. Из (7.33) видно, что при идентичных изменениях всех сопротивлений весовых резисторов и сопротивления RH погрешность по этой причине не возникает. В ПКН с числом двоичных разрядов более шести резистивпая цепь выполняется обычно не по двоичному коду, а в виде многозвенного сопротивления или сетки резисторов R... В этом случае резисторов получается вдвое болыие, однако их общее сопротивление, определяющее размер микросхем, получается во много раз меньше. При этом потребляемая мощность в таких схемах значительно возрастает, так как через все резисторы протекают более значительные токи. [25]
 |
Закон Мура предсказывает, что количество транзисторов на одной микросхеме увеличивается на 60 % каждый год. Точки на графике - размер памяти в битах. [26] |
Компьютерная промышленность двигается вперед как никакая другая. Степень технологического прогресса можно наблюдать, используя закон Мура, названный в честь одного из основателей и главы компании Intel Гордона Мура, который открыл его в 1965 году. Когда Мур готовил доклад для промышленной группы, то заметил, что каждое новое поколение микросхем появляется через три года после предыдущего. Поскольку у каждого нового поколения компьютеров было в 4 раза больше памяти, чем у предыдущего, он понял, что число транзисторов на микросхеме возрастает на постоянную величину, и, таким образом, этот рост можно предсказывать на годы вперед. Закон Мура гласит, что число транзисторов на одной микросхеме удваивается каждые 18 месяцев, то есть увеличивается на 60 % каждый год. Размеры микросхем и даты их производства, показанные на рис. 1.6, подтверждают, что закон Мура до сих пор действует. [27]
Страницы: 1 2