Размер - переход
Cтраница 2
По конструктивным особенностям различают точечные транзисторы, у которых один или несколько переходов точечные ( имеющие размеры, малые по сравнению с толщиной области объемного заряда), и плоскостные транзисторы, у которых размеры переходов велики. Точечные переходы выполняются в виде контакта металлического острия с полупроводником и ввиду низкой стабильности в настоящее время в транзисторах не применяются. [16]
Для исправления конусности, эллиптичности и других погрешностей формы ( находящихся в пределах поля допуска на размер1 припуск на выполняемый переход при обработке партии деталей, представляющих собой тела вращения, должен быть при отсутствии иных погрешностей не менее допуска на размер предшествующего перехода ( фиг. [17]
Другая конструкция коаксиально-микрополоско-вого перехода приведена на рис. 8.20. Здесь коаксиальный разъем модифицирован с целью создания ступенчатого перехода от стандартного к меньшему разъему, размеры которого выбирают в соответствии с толщиной микрополосковой линии передачи. Размер перехода выбирают таким образом, чтобы обеспечить согласование между обеими 50-омными коаксиальными секциями. [18]
 |
Схема высадки трубной заготовки.| Зависимость 0 / s от В / О при различных вариантах высадки трубы. [19] |
Аналогично рассчитывают все последующие переходы. За размеры исходной заготовки принимают размеры предыдущего наборного перехода. [20]
По назначению пуансоны делят на формовочные, прошивные, пробивные и обрезные. Конструкция пуансонов обусловлена конфигурацией и размерами переходов штамповки. Пуансоны бывают цельными и сборными. Для сокращения расхода штамповой стали следует применять сборный пуансон. [21]
На рис. 7 - 6 г показано более сложное приспособление, предназначенное для изгибания Проводов больших сечений. Наличие регулируемых упоров 2 позволяет более точно выполнять заданные чертежом размеры перехода. [22]
Обеспечение минимальных размеров структуры во многом определяется процессом травления после фотолитографии. При этом для устойчивого серийного выхода транзисторов обычно приходится несколько увеличивать размеры переходов по сравнению с принципиально возможными. [23]
Поэтому значительная часть дырок, инжектируемых эмиттером, пролетает сквозь базу до коллекторного перехода, подхватывается ускоряющим полем, созданным источником Ек, и перебрасывается в коллектор, создавая в его цепи ток а / э, где а - коэффициент пропорциональности. Значение этого тока близко к единице и зависит от толщины базы W, размеров переходов и материала полупроводника. [24]
 |
Включение транзистора по схеме с общей базой ( а. токораспре-делеиие внутри транзистора ( б. [25] |
Через W обозначена толщина базы. Значение этого тока близко к единице и сильно зависит от толщины Оазы W, размеров переходов и материала полупроводника. [26]
 |
Конструкции плоскостных диодов малой ( а и средней ( б мощности. [27] |
В германиевых диодах кристалл полупроводника припаивается к металлическому кристаллодержателю стороной, противоположной р-п переходу. Пайка осуществляется сплавом олова и сурьмы, обеспечивающим омический контакт к германию. Мощность, рассеиваемая диодом, зависит от размеров р-п перехода и конструкции корпуса. [28]
При планарной технологии существенно улучшены параметры транзисторов, особенно их частотные характеристики. В то же время оптические методы, применяемые при фотолитографии, позволяют с большой точностью совмещать эти области. В результате оказалось возможным изготовление транзисторов с толщиной базы в доли микрона и размерами переходов в единицы микрон. Рабочие частоты планарных транзисторов дости - гают примерно 10 Ггц. [29]
Существующие аналитические методы, так же как и графические, весьма громоздки. Первые связаны с необходимостью определения длин искомых ординат по сложным формулам, а вторые - с трудоемкими графическими построениями. Чтобы максимально упростить ТРУД разметчика, мы вывели формулы, выражающие искомые длины в зависимости от размеров перехода. Разметчик, пользуясь цифрами таблиц, делает лишь одно перемножение на соответствующий размер перехода и получает длины искомых величин. [30]
Страницы: 1 2 3