Cтраница 3
Таким образом, электрическое поле, возникающее в слое бо, не позволяет выровнить концентрацию носителей в обоих объемах примесных полупроводников за счет протекания процесса диффузии. Следует отметить, что электронно-дырочный переход нельзя получить простым соприкосновением полупроводниковых тел с различной проводимостью, как было описано выше, из-за наличия неровностей и неизбежных окисных покрытий соприкасающихся поверхностей. Настоящий р-п переход получают в одном монокристалле, в который особыми технологическими способами впрыскивают примесные атомы. Размеры р-п перехода и его приграничных слоев зависят от концентрации примесных атомов Nд и Na. [31]
![]() |
Схема расположения переходов Джозефсона и Джавера при исследовании нестационарного эффекта Джозефсона. [32] |
Кун и Фиске [144] показали, что появление резонансного пика является следствием особого случая взаимодействия волн джозефсоновского тока с электромагнитными полями в переходе, действующем как резонатор с открытыми концами. При приложении полей в несколько гаусс, вольт-амперная характеристика становилась ступенчатой, как это показано на рис. 39 [ 145] с заметной величиной ступеней тока при постоянных значениях напряжений, находящихся друг от друга на равных расстояниях. Для олова авторы наблюдали моды с частотой от 5 ГГц, определяемые размерами перехода, вплоть до 250 ГГц. Верхний предел частоты ограничивается половиной энергетической щели сверхпроводника, когда частота становится достаточной для увеличения энергии отдельных электронов на величину, большую щели. [33]
![]() |
Коаксиально-мик-рополосковый переход.| Коаксиально-микрополос-ковый переход со скользящей нагрузкой. [34] |
Из коаксиально-микрополосковых переходов наибольшее распространение получили так называемые параллельные ( соосные) переходы, в которых оси соединяемых линий параллельны. В переходе, показанном на рис. 7.19, микрополосковая линия шириной 500 мкм соединяется методом сварки с Внутренним проводником коаксиального разъема тонкой золотой лентой шириной порядка 500 мкм. Чем тоньше лента, тем меньше неоднородность, а значит и КСВН. При использовании для соединения пайки необходимо следить, чтобы толщина и ширина проводника были минимальными. Другая конструкция коаксиально-микрополоскового перехода приведена на рис. 7.20. Здесь коаксиальный разъем модифицирован с целью создания ступенчатого перехода от стандартного к меньшему разъему, размеры которого выбирают в соответствии с толщиной микрополосковой линии передачи. Размер перехода выбирают таким образом, чтобы обеспечить согласование между обеими 50-омными коаксиальными секциями. [35]