Разновидность - транзистор
Cтраница 1
Разновидности транзисторов с комбинированной изоляцией различаются прежде всего конструкциями боковых изолирующих областей и технологией их изготовления. [1]
Разновидностью транзистора с управляющим переходом является транзистор с барьером Шоттки. Транзисторы с изолированным затвором имеют затвор, электрически изолированный от проводящего канала, и подразделяются, в свою очередь, на транзисторы с встроенным и индуцированным каналами. [3]
Рассмотрим разновидности МДП транзисторов, управляемых нетермически генерированными токами. [4]
Одной из разновидностей транзистора с изолированным затвором является транзистор, в котором ток стока увеличивается или уменьшается в зависимости от величины и полярности напряжения, приложенного к затвору. [5]
Приборы этого класса представляют собой разновидность общеизвестного транзистора. На данной стадии развития он открывает во многих отношениях большие возможности для дальнейшего изучения, развития и применения, чем его более простой предшественник. При написании этой книги ее авторы исходили из того, что одинаково важны и принципы действия самого прибора, и области его применения. Хотя читателей в большинстве случаев интересуют возможности применений УПВ, полностью оценить такие потенциальные возможности нельзя без того, чтобы не уяснить некоторые особенности переключающих приборов с р-п-р-га - структурой. [6]
 |
Условное схематичное изображение транзистора БТИЗ ( а и его область безопасной. [7] |
В настоящее время имеются две разновидности СИТ транзисторов. Первая разновидность транзисторов, называемых просто СИТ, представляет собой нормально открытый прибор с управляющим / 7-я-переходом. В таком приборе при нулевом напряжении на затворе цепь сток-исток находится в проводящем состоянии. [8]
Помимо биполярных транзисторов, соответствующих дискретным транзисторам, в микроэлектронике применяют разновидности транзисторов, не имеющие аналогов в дискретном исполнении. Многоэмиттерные транзисторы ( МЭТ) являются одним из таких видов. [9]
Управляемые полупроводниковые ( германиевые и кремниевые) вентили ( УПВ) представляют собой общую разновидность транзистора, разработанную применительно к нуждам сильноточной электротехники, хотя именно только они из всех действующих полупроводниковых приборов охватывают весь диапазон мощностей - от самых слабых до самых больших. [10]
После цифр может быть буква ( А, Б, В), обозначающая разновидность транзистора данного типа. [11]
В учебном пособии, охватывающем широкий круг задач расчета и конструирования полупроводниковых интегральных микросхем ( ИМС), отражены вопросы технологии изготовления больших интегральных схем ( БИС), анализ тепловых режимов, электромагнитных полей и механической прочности конструкций ИМС, расчет пассивных и активных компонентов биполярных и МДП-структур; описаны разновидности транзисторов, реализуемых в современных ИМС. [12]
В зависимости от разновидности транзисторов крутизна стока-затворной характеристики лежит в пределах 5 - 12 5 мА / В. [13]
 |
Диаграмма, показывающая, что насыщенный транзистор эквивалентен двум ненасыщенным, включенным навстречу друг другу - один в нормальном, а другой - в инверсном включении. [14] |
Можно связать площадь bed с работой обращенного транзистора, работающего в обращенном активном режиме, роль эмиттера в котором выполняет коллектор, а роль коллектора - эмиттер. Таким образом, обе разновидности транзисторов вместе воссоздают полную картину насыщенного транзистора. [15]
Страницы: 1 2