Разновидность - транзистор
Cтраница 2
Данная книга представляет собой одну из первых попыток создания учебного пособия, охватывающего широкий круг вопросов расчета и конструирования полупроводниковых ИМС. В пособии нашли отражение такие вопросы, как технология изготовления БИС, анализ тепловых режимов ИМС, электрических и магнитных полей, а также механическая прочность конструкций ИМС, расчет пассивных и активных компонентов биполярных и МДП-структур ( МДП: металл - диэлектрик - полупроводник); описаны разновидности транзисторов, реализуемых в современных ИМС. Значительное внимание уделено методам и алгоритмам автоматизированного проектирования полупроводниковых БИС: рассмотрены вопросы построения математических моделей компонентов и фрагментов БИС, а также особенности оптимизации параметров ИМС, представлены современные методы решения задач конструкторского этапа проектирования БИС. Дан краткий анализ перспективных направлений развития элементной базы полупроводниковых БИС, описаны принципы организации систем автоматизированного проектирования БИС. [16]
Наименование транзисторов, разработанных в 1964 году и позднее, состоит из четырех элементов. Первый элемент - буква или цифра, обозначающая материал, на основе которого выполнен транзистор ( Г или 1-германий, К или 2 - кремний); второй элемент - буква Т ( транзистор); третий элемент - цифра, соответствующая порядковому номеру разработки транзистора ( табл. 82); четвертый элемент - буква, обозначающая разновидность транзистора одного типа. [17]
Условное обозначение транзисторов по ГОСТ 5461 - 59 состоит из трех элементов. Третьим элементом является буква, указывающая разновидность транзистора. Иногда третий элемент в маркировке не обозначается. [18]
Классификационные признаки транзисторов по мощности и частотному диапазону отражены в третьем элементе их обозначения, представляющем собой трехзначный номер по сотням. Первый элемент обозначения ( цифра или буква) указывает на исходный материал полупроводника: 1 или Г - германий, 2 или К - кремний. Четвертый элемент обозначения ( буква) указывает на разновидность транзистора данного типа. [19]
 |
Схематическое устройство транзистора р-п-р-ти - па. [20] |
Так устроены наиболее распространенные низкочастотные германиевые транзисторы П13, П14, П15, П16 и их разновидности. Буква П в обозначении - первоначальная буква слова плоскостной, а цифры - порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть бувы А, Б, В ( например, П13А), указывающие разновидность транзистора данной группы. [21]
 |
Интегральный биполярный транзистор. [22] |
Электронные схемы представляют собой некоторую совокупность определенным образом соединенных компонентов. Последние являются простейшими функциональными приборами, оказывающими влияние на электрические сигналы. Если синусоидальный электрический сигнал, пройдя через какой-либо компонент, усиливается по мощности, напряжению или току или изменяет свою форму, то такой компонент называют активным; компонент, не усиливающий синусоидальный сигнал и не изменяющий его форму, называют пассивным. Все разновидности транзисторов, диодов, нелинейных резисторов относятся к активным компонентам. [23]
 |
Устройство и конструкция сплавного транзистора структуры р-п - р.| Устройство диффузионно-сплавного транзистора структуры р-п - р. [24] |
Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу-ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы серий МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква М в обозначении говорит о том, что корпус транзистора холодносварной, буква П - первоначальная буква слова плоскостной, а цифры-порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В ( например, МП39Б), указывающие разновидность транзистора данной серии. [25]
Страницы: 1 2