Разность - концентрация
Cтраница 4
Вследствие разности концентраций растворителя в стакане и в ячейке молекулы его проникают через поры мембраны из стакана в ячейку. [46]
 |
Схемы движения молекул воды через полупроницаемую мембрану. [47] |
При разности концентраций растворов, соответствующих океанской ( солесодер-жание 35 г / л) и дистиллированной воде, величина осмотического давления составляет около 24 ат. [48]
Вследствие разности концентраций растворителя в стакане и в ячейке молекулы его проникают через поры мембраны из стакана в ячейку. [49]
Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник - типа, а из Полупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и n - типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [50]
 |
Распределение температур перед фронтом кристаллизации чистого металла. [51] |
Вследствие разности концентраций растворенного элемента в твердой и окружающей ее жидкой фазе равновесие может нарушаться в результате диффузионных процессов. [52]
Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник и-типа, а из тюлупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и и-типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [53]
Вследствие разности концентраций газов происходи г ях диффузия в зазор между стволом и футеровкой, а вследствие разности давления газы устремляются в ствол. При отрицательных давлениях в трубах ( при наличии вентилируемого зазора или вследствие воздухопроницаемости железобетонного ствола) суммарный поток тазов и ларов будет направлен внутрь ствола; фильтрационный поток будет превышать диффузионный поток. При положительных давлениях в трубах суммарный поток будет направлен наружу ( к бетонному стволу) и соответственно скорость процессов коррозии ре зко возрастет. [54]
Вследствие разности концентраций свободных дырок и электронов по обе стороны от границы раздела полупроводников при разомкнутой цепи источника энергии из полупроводника р-типа часть дырок диффундирует в полупроводник и-типа, а из полупроводника и-типа часть электронов диффундирует в полупроводник р-типа, полностью рекомбинируя между собой. В результате вдоль границы раздела полупроводников возникают слои неподвижных отрицательных и положительных ионов соответственно со стороны полупроводников р - и и-типов, которые образуют р-п переход. Абсолютные значения зарядов обоих слоев одинаковые. При некотором значении напряженности электрического поля в р-п переходе диффузия через границу раздела полностью прекращается. [55]
Отношение разности концентраций ( с0 - cs) к так называемой толщине диффузионного слоя б, в пределах которого происходит изменение концентрации от с0 до с 3, называется градиентом концентрации. [56]
Кривая разности концентрации равновесных паров и жидкости ( кривая Штаге п Шульце) для системы бензол-н-гептап. [57]
 |
Полярографл ческая кривая. [58] |
Диффузия пропорциональна разности концентраций, которая теперь равна концентрации ионов в глубине раствора. Устанавливается предельный, или диффузионный, ток, который не увеличивается больше при возрастании потенциала на некотором интервале. [59]
 |
К выводу уравнения ( 3 - 26. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5