Cтраница 2
Этот показатель по формуле (10.49) пропорционален разности населенностей верхнего и нижнего уровней перехода. Для вещества без инверсии населенностей х 0 и характеризует поглощение энергии внешнего электромагнитного поля. При наличии инверсии х 0 и определяет усиление поля. [16]
Кроме того, предполагаем, что разность населенностей ( N - - yV2) не зависит от времени. [17]
Кроме того, предполагаем, что разность населенностей ( N - - N2) не зависит от времени. [18]
Конструкция КПУ. [19] |
Расчеты показывают, что при комнатной температуре разность населенности двух уровней составляет всего К) - 4, что недостаточно для получения большого усиления. Для получения достаточной разности населенностей необходимо охладить рабочее вещество КПУ до температуры, соответствующей жидкому гелию, - 4 2 К. [20]
Уравнения (2.41) - (2.48) для поляризации и разности населенностей в единице объема получены с помощью метода матрицы плотности, рассмотренного в гл. Этот метод приводит к дифференциальным уравнениям для классических переменных. Такие уравнения имеют физическую интерпретацию, которая помогает понять основные процессы и дает руководство при использовании приближенных методов. [21]
Видно, что с возрастанием интенсивности уменьшается разность населенностей AN, которая, согласно (1.21), ответственна за поглощение излучения. Если интенсивность превышает интенсивность насыщения / s поглотителя, то любое поглощение становится невозможным - поглотитель насыщен, и поле излучения больше не ослабляется вследствие поглощения. [22]
Таким образом, коэффициент усиления зависит от разности населенности энергетических уровней, длины вещества и групповой скорости волны иг. Применение периодических замедляющих систем, подобных замедляющим системам ЛБВ, снижает групповую скорость. Однако в ЛБВ необходимо замедление фазовой скорости до величины, удовлетворяющей условию синхронизма. [23]
Типичное пове - ствие убывания разности населенно. [24] |
Вследствие возрастания интенсивности излучения в резонаторе одновременно умень-шается разность населенностей AN ( t) благодаря насыщению активной среды. [25]
Таким образом, параметр асимметрии является непосредственной мерой разности населенности электронных состояний Зрх и Зру. [26]
Схематические зависимости населенностей верхнего ц нижнего лазерного уровней от плотности тока в гелий-неоновом лазере. [27] |
Таким образом, по мере увеличения плотности тока разряда разность населенностей растет до некоторого максимального значения, а затем уменьшается. [28]
Внешнее микроволновое поле изменяет населенности зеемановских уровней и соответственно разность населенностей. Пусть N и NZ - новые равновесные значения населенностей, установившиеся в результате радиочастотного поглощения и спин-решеточной релаксации. [29]
Для того чтобы эта система перешла в состояние с разностью населенностей, равной нулю, необходимо Va o электронов перевести с нижнего уровня на верхний. [30]