Разность - контактный потенциал
Cтраница 1
 |
Распределение концентрации носителей заряда ( л, напряженности электрического поля ( Е и потенциала ( V в слое объемного заряда ( Z. [1] |
Разность контактных потенциалов не уравновешивается зарядами на соприкасающихся поверхностях, ее поле проникает в глубь полупроводника, где и скапливается объемный заряд, достаточный для выравнивания химических потенциалов соприкасающихся тел. [2]
Разность контактных потенциалов не уравновешивается зарядами на соприкасающихся поверхностях, ее поле проникает вглубь полупроводника, где и скапливается объемный заряд, достаточный для выравнивания химических потенциалов соприкасающихся тел. [3]
Поэтому разность контактных потенциалов двух металлов легко уравновешивается избытком электронов на поверхности одного металла и уменьшением их числа на поверхности другого; при этом концентрация электронов изменяется всего на несколько процентов. Скачок потенциала между обкладками образовавшегося на границе конденсатора выравнивает границы распределения Ферми в обоих соприкасающихся металлах, и, таким образом, общая энергия электрона на каждом энергетическом уровне становится одинаковой в обоих металлах. Переход электронов из одного металла в другой в первом приближении происходит без изменения энергии. При более точном учете не только различной энергии связи, но и различной концентрации электронов оказывается, что на переход через границу двух металлов затрачивается некоторая работа ( положительная в одном направлении и отрицательная в другом), причем величина этой работы изменяется с температурой. Поэтому в замкнутой цепи из двух различных металлов в одном контакте поглощается, а в другом выделяется, в зависимости от направления тока, теплота Пельтье. Количество этой теплоты зависит от температуры. [4]
Поэтому разность контактных потенциалов двух металлов легко уравновешивается избытком электронов на поверхности одного металла и уменьшением их числа на поверхности другого; при этом концентрация электронов в поверхностном слое изменяется всего на несколько процентов. Скачок потенциала между обкладками образовавшегося на границе конденсатора выравнивает границы распределения Ферми в обоих соприкасающихся металлах, и, таким образом, полная энергия электрона на каждом одинаково отстоящем от уровня химического потенциала энергетическом уровне становится одинаковой в обоих металлах. [5]
 |
Работа выхода и уровень химического потенциала металла ( / и электронного полупроводника ( 2.| Контактная разность потенциалов на границе двух металлов ( М И Л / 2. [6] |
Для измерения разности контактных потенциалов применяют различные приемы, дающие хорошо сходящиеся между собой результаты. Простейшие из таких приемов основаны на методе компенсации, который заключается в следующем. [7]
Для измерения разности контактных потенциалов применяются следующие методы. [8]
Для измерения разности контактных потенциалов применяют различные приемы, дающие хорошо сходящиеся между собой результаты. Простейшие из таких приемов основаны на методе компенсации, который заключается в следующем. [9]
Для измерения разности контактных потенциалов применяются следующие методы. [10]
 |
Отношение функции работы на поверхности к контактному потенциалу между металлами. [11] |
Последнее выражение является разностью контактных потенциалов на границе двух металлов. Разность контактных потенциалов, таким образом, образуется при переходе заряда и поэтому определяется электрическим полем между несоприкасающимися поверхностями этих тел. [12]
 |
Зависимость пА от я. [13] |
Поверхностный потенциал, определяющийся разностью контактных потенциалов на границах раздела с пленкой и без нее, и изменение вязкости поверхностного слоя, вызываемое появлением на нем нерастворимой пленки, влияют на фазовые превращения в монослоях. Поэтому изучение зависимости поверхностного потенциала и поверхностной вязкости от молекулярной площади также очень важно для выяснения природы монослоев. [14]
Поверхностный потенциал, определяющийся разностью контактных потенциалов на границах раздела с пленкой и без нее, и изменение вязкости поверхностного слоя, вызываемое появлением на нем нерастворимой пленки, влияют на фазовые превращения в монослоях. Поэтому изучение зависимости поверхностного потенциала и поверхностной вязкости от молекулярной площади также очень важно для выяснения природы монослоев. [15]
Страницы: 1 2 3 4