Разность - контактный потенциал
Cтраница 3
Потери на сопротивление в электролите могут быть в ряде случаев полезны. При больших силах тока существенную роль чграют контактные сопротивления, вызываемые разностью контактных потенциалов, а также процессы поляризации. [31]
 |
Схема определения контактной разности потенциалов термоэлектронным методом между вольфрамовой проволокой Wи цилиндром А, покрытым внутри исследуемым веществом. [32] |
При высоких температурах электроны покидают поверхность проводника с энергиями теплового движения - порядка сотых электроновольта. Поступая в контактное поле окружающего излучатель другого электрода, электроны замедляются или ускоряются в зависимости от разности контактных потенциалов между ними. Можно придать этому электроду такой потенциал, который задерживает переход электронов от излучателя к электроду. [33]
 |
Схема определения контактной разности потенциалов термоэлектронным методом между вольфрамовой проволокой и цилиндром А, покрытым внутри исследуемым веществом. [34] |
При высоких температурах электроны покидают поверхность проподника с энергиями теплового движения - порядка одной десятой электрон-вольта. Поступая в контактное поле другого электрода, окружающего излучатель, движение электронов замедляется или ускоряется в зависимости от разности контактных потенциалов между ними. Можно придать этому электроду такой потенциал, который задерживает переход электронов от излучателя к электроду. [35]
Трибоэлектрические ряды, предложенные разными авторами, не совпадают. Учитывая дырочный и электронный механизмы накопления заряда, можно думать, что установление такой связи осложняется тем, что в одних случаях разность контактных потенциалов создает слой, обедненный свободными зарядами, в других - слой повышенной проводимости. [36]
 |
Принципиальная схема компенсационного метода измерения электропроводности. [37] |
Основным источником ошибок при измерении электропроводности т служат переходные сопротивления на контактах. В образцах с малым удельным сопротивлением главную роль играют несовершенства механического контакта, в образцах большого удельного сопротивления - запорные слои, возникающие на контактах благодаря разности контактных потенциалов. И в том и в другом случае ток, идущий через полупроводник, может уменьшиться в десятки и сотни раз. [38]
В этих условиях создастся стационарное равновесие электронов в полупроводнике, при котором разность температур между его концами будет длительно поддерживать соответственную разность потенциалов, которая прибавится к разности контактных потенциалов, существующей между горячим и холодным концами. [39]
Различие контактных потенциалов указывает на разную потенциальную энергию связи электронов с веществом. При контакте таких двух тел электроны или дырки переходят из того тела, где энергия их больше, в то, где она меньше, и заряжают его соответственным знаком до тех пор, пока созданная ими разность потенциалов не уравновесит разности контактных потенциалов. В полупроводниках для этого требуется слой значительной толщины - тем большей, чем меньше электропроводность. При проводимости 510 - 3 ом 1 см 1 этот слой имеет толщину d около 10 - см; при проводимости а10 - 7 ом 1 см 1 толщина его с. Расположенный в этом слое объемный заряд вызывает, в зависимости от своего знака, увеличение или уменьшение концентрации носителей тока. Положительный заряд в проводниках с электронным механизмом проводимости создается примесными ионами, оставшимися после удаления из слоя электронов; при этом электропроводность слоя резко падает. Если же подвижными являются дырки, то положительный заряд создается их накоплением в приэлектродном слое в количестве, превышающем заряд отрицательных ионов, что вызывает в нем повышенную проводимость. [40]
Различие контактных потенциалов указывает на разную потенциальную энергию связи электронов с веществом. При контакте таких двух тел электроны или дырки переходят из того тела, где энергия их больше, в то, где она меньше, и заряжают его соответствующим знаком до тех пор, пока созданная ими разность потенциалов не уравновесит разности контактных потенциалов. В металлах, обладающих большой проводимостью, весь необходимый для такой компенсации заряд размещается в одноатомном поверхностном слое толщиной d порядка 10 - 8 см. В полупроводниках для этого требуется слой значительной толщины - тем большей, чем меньше электропроводность. [41]
Подобные измерения приходится производить в очень хорошем вакууме. Излучателем служит обычно накаленная вольфрамовая проволока; изучаемое вещество наносится на окружающий проволоку цилиндрический электрод. Заменяя одно вещество другим, можно определить разность контактных потенциалов между ними как разность таких потенциалов, при которых переход электронов с проволоки тормозится в одинаковой степени. [42]
Поэтому издавна принято измерять ас для различных тел по отношению к одному и тому же веществу. Однако так же как электронная теория металлов позволяет опрздзлять нз только разность контактных потенциалов, но и каждый из нах в отдельности как работу выхода электрона сквозь поверхность металла, так и теория полупроводников позволяет судить о разности потенциалов, возникающей между горячей и холодной поверхностями отдельного полупроводника. [43]
Для образования электронного полупроводника, граничащего с селеном, на поверхность селена последовательно наносят тонкий слой серы, а затем с помощью специальных распылителей - катодный сплав, содержащий кадмий. После нанесения катодного сплава вентиль уже приобретает выпрямляющие свойства. Однако коэффициент выпрямления еще мал, так как выпрямляющий эффект обусловлен только разностью контактных потенциалов селена и катодного сплава, электронный полупроводник - сульфид кадмия - еще не образован. [44]
Разность потенциалов, устанавливающаяся при достижении равновесия между двумя телами, равна разности их контактных потенциалов. Поэтому на границе соприкосновения двух тел должен создаваться скачок потенциала. Краевые слои обоих тел заряжены при этом противоположно, образуя конденсатор с такой плотностью поверхностного заряда, которая соответствует разности контактных потенциалов. [45]
Страницы: 1 2 3 4