Разность - энергия - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Когда-то я думал, что я нерешительный, но теперь я в этом не уверен. Законы Мерфи (еще...)

Разность - энергия - электрон

Cтраница 1


Разность энергий электронов, находящихся в двух соседних оболочках атома, уменьшается с увеличением радиуса оболочек. Поэтому в том случае, если переход электрона происходит между двумя удаленными от ядра оболочками ( занятыми или свободными), то спектральные линии возникшего излучения лежат в инфракрасной, видимой или ультрафиолетовой областях спектра ( оптический спектр) с относительно малой энергией квантов света. Если же переход осуществляется между внутренними, близко расположенными к ядру оболочками, то происходит испускание излучения, лежащего в рентгеновской области спектра, с значительно большей энергией квантов. Поэтому близкие к ядру оболочки К, L и М называют также рентгеновскими уровнями.  [1]

2 Действие кристаллического [ IMAGE ] Расщепление терма ZD в кри. [2]

Разность энергий электрона на орбитах dxy и dxz-yz характеризует действие поля лигандов и может быть названа эффектом поля лигандов ( эффектом кристаллического поля - ЭКП) для d - электронов. Расщеплению в электрическом поле подвергаются также р - и / - орбиты.  [3]

Разность энергии движущегося и покоящегося электрона ( а это и есть кинетическая энергия или живая сила) равна помноженной на с2 разности масс движущегося и покоящегося электронов. Этим мы подтвердили в нашем простейшем случае общий закон инерции энергии, который охватывает всю область определения атомных весов, физику атомного ядра, а в дальнейшем развитии и космологию.  [4]

5 Энергетическая диаграмма полупроводника р-типа при наличии на его поверхности отрицательного заряда.| Энергетическая диаграмма полупроводника р-типа при наличии на его поверхности положительного заряда. [5]

Под поверхностным потенциалом понимают разность энергий электронов у дна зоны проводимости или дырок, находящихся на вершине валентной зоны на поверхности и в глубине полупроводника, поделенную на заряд электрона. Для измерения поверхностного потенциала используют металлический электрод, располагаемый на поверхности полупроводника и отделенный от нее тонким слоем изоляционной прокладки.  [6]

Истинная работа выхода определяется как разность энергий электрона, находящегося на поверхности и способного перейти в свободное от поля пространство без затраты энергии, и электрона, находящегося на уровне Ферми данного материала. Никакой анализ работы преобразователя невозможен без точного знания соотношения между поверхностным потенциалом эмиттера, поверхностным потенциалом коллектора и соответствующими уровнями Ферми. Напряжение на выходе преобразователя является прямой мерой разности двух уровней Ферми. Так, в короткозамкнутом диоде уровни Ферми эмиттера и коллектора равны. В диоде, который может передавать мощность внешней нагрузке, уровень Ферми коллектора отрицателен по отношению к уровню Ферми эмиттера. В обратном случае для поддержания проводимости должна быть подведена мощность от внешней цепи.  [7]

При этом энергия характеристических фотонов, излучаемых атомом, равна разности энергий электрона на внешней оболочке и той, куда он перешел. Часто характеристические фотоны сами выбивают электроны с внешних оболочек атома, давая электроны Оже. На рис. 2.9 для вольфрама характеристическое излучение имеет энергии 58 и 70 кэв, что соответствует переходам электронов между внешней и / ( - оболочками. Подобное излучение наблюдается у других элементов, но с энергией, тем меньшей, чем меньше атомный номер мишени. Характеристическое излучение составляет малую долю в спектре тормозного излучения.  [8]

При этом энергия атома изменяется на вполне определенную величину, равную разности энергий электрона в его новом и старом положениях.  [9]

Последнее может быть приближенно охарактеризовано с помощью параметра расщепления Д - разности энергии электрона в состояниях е и t2 в комплексе с кубической симметрией.  [10]

При этом энергия атома изменяется на вполне определенную величину, равную разности энергий электрона в его новом и старом положениях.  [11]

Такое деление, хорошо отражающее специфику химических свойств элементов, во многом обусловлено как уменьшением разности энергии электронов на s - rf - уровнях по мере увеличения главного квантового числа, так и изменением величин ионных радиусов.  [12]

В результате перехода свободных электронов на вакантные уровни активатора излучаются фотоны света с энергией, равной разности энергии электрона в зоне проводимости и на уровне D. Атомы примеси, учитывая их роль в фосфоресценции, называют центрами свечения.  [13]

Ричардсона - Дешмана для металлов и Ф - опять-таки, как в формуле для металлов, разность энергий электрона в вакууме и на уровне Ферми в полупроводнике.  [14]

15 Влияние направления теплового потока на тепловую проводимость контакта пары. [15]



Страницы:      1    2    3