Разность - энергия - электрон
Cтраница 2
Этот эффект рассматривается во взаимосвязи с электронной проводимостью металлических контактов, при которой термическое сопротивление стыка зависит от разности энергий электронов для разнородных металлов. [16]
Термоэлектронная работа выхода Фтэ ( работа выхода, входящая в формулу Ричардсона) равна ( § 14, 19) разности энергий электрона вне кристалла и электрона на уровне Ферми. [17]
Постоянная Планка / z 6 6 - 1027 эрг-сек, скорость света с 3 - 10 см / сек, а разность энергий электрона на N - и на / С-орбитах ем - ек 20 000 эз 20 000 1 6 10 12 эрг. [18]
Как известно из физики, в металле имеются свободные электроны; выходу этих электронов за пределы металла препятствует потенциальный барьер, равный разности энергий электрона за пределами металла и внутри него. Для того чтобы преодолеть этот барьер и вывести электрон из металла во внешнюю среду, необходимо затратить определенную работу, называемую работой выхода. Работа выхода электронов различна для различных веществ; величина работы выхода довольно велика - от одного до нескольких электрон-вольт. [19]
При повышении температуры электроны будут обладать соответственно более высокой средней скоростью, пока, наконец, наиболее быстрые из них не смогут преодолеть существующий потенциальный барьер, равный разности энергии электрона в металле и низшим эмиссионным уровнем ( уровнем энергии электрона в вакууме, рис. 15) и, таким образом, покинуть металл. В соответствии с этим низший эмиссионный уровень в зонной модели соответствует наименьшей кинетической энергии электронов проводимости, вышедших из металла. [20]
Энергия измеряется в эргах на молекулу, а к - в сантиметрах. Из уравнения ( 18) можно определить разность энергии электрона А для й-орбит, между которыми осуществляется его переход. [21]
Через некоторое время ионизированный атом захватывает встретившийся ему свободный электрон и становится нейтральным. При этом атом излучает квант энергии, равный разности энергий электрона на этих двух орбитах. [22]
Уровни активатора называют центрами люминесценции. Фотоны, испускаемые при переходе свободных электронов на вакантные уровни активатора, обладают энергией, равной разности энергий электрона в зоне проводимости и на центре люминесценции. Время послесвечения определяется температурой люминофора и может быть значительным. [23]
На рис. 2.3 показана энергетическая диаграмма р-л-пе-рехода в состоянии равновесия. Уровень Ферми одинаков для всех областей. Разность энергий электрона у дна зоны проводимости в левой и правой частях диаграммы Епр-Епп равна высоте энергетического барьера 7ф0, соответствующего потенциальному барьеру фо. Потенциальный барьер существует для основных носителей, движущихся к переходу. [24]
 |
Схема возникновения характеристических рентгеновских лучей ( модель Бора, радиусы орбит даны не в масштабе. [25] |
Возникновение электронной вакансии переводит атом в возбужденное состояние с временем существования около 10 - 8 с. Атом может вернуться в невозбужденное состояние путем самопроизвольного заполнения вакансии электроном с внешнего уровня. Избыток энергии выделяется в виде кванта рентгеновского излучения с энергией, равной разности энергий электрона на внешнем и вакантном уровнях. [26]
 |
Параметры, характеризующие.| Спектральные зависимости квантового выхода фотокатодов с отрицательным электронным сродством на основе полупроводников AII. BV. [27] |
При возбуждении полупроводника в нем одновременно с процессом генерации электронно-дырочных пар протекает обратный процесс - рекомбинация носителей заряда. При обычных условиях преобладают спонтанные переходы, определяющие спонтанную некогерентную люминесценцию. Помимо спонтанных переходов возможны вынужденные переходы - электрон может перейти в валентную зону, если его подтолкнет фотон с энергией, достаточно близкой к разности энергий электрона и дырки. С вынужденными переходами связана вынужденная когерентная люминесценция. [28]
В § 70.4 показано, что электроны в такой потенциальной яме имеют квантованные, дискретные значения энергии, могут находиться лишь на определенных энергетических уровнях. Правда, значения энергии § п электрона в металле, строго говоря, нельзя подсчитывать по формуле (70.16), ибо стенки потенциального ящика в случае металла имеют конечную высоту. Существенно, что электроны в металле могут, как и в атоме, находиться лишь на определенных энергетических уровнях. Между расположением энергетических уровней электронов в металлах и уровней энергии электронов в изолированных атомах имеется существенное отличие: в атомах разность энергий электронов на двух соседних уровнях значительно больше, чем в кристаллах. [29]
При возбуждении полупроводника в нем одновременно с процессом генерации электронно-дырочных пар протекает обратный процесс - рекомбинация носителей заряда. Если электроны зоны проводимости совершают самопроизвольные излучательные переходы в валентную зону, наблюдается спонтанное излучение, проявляющееся в виде люминесценции. Вследствие случайного характера переходов спонтанное излучение некогерентно и немоно-хроматично. Помимо спонтанных переходов, возможны вынужденные переходы - электрон может перейти в валентную зону не самопроизвольно, а вынужденно, если его подтолкнет фотон с энергией / iv, достаточно близкой к разности энергий электрона и дырки. Поскольку испускаемая вторичная электромагнитная волна тождественна с волной, вызвавшей переход, вынужденное излучение монохрома-тично и когерентно. [30]
Страницы: 1 2 3