Разогрев - электрон
Cтраница 1
 |
Фотоотклик в зависимости от напряжения на затворе VG для двух длин волн. 7 - 118 мкм ( Йо 10 45 мэВ. 2 - 78 мкм ( Йо 15 81 мэВ. [1] |
Разогрев электронов, который приводит к заполнению возбужденных подзон, происходит под действием электрического поля, приложенного параллельно поверхности. Полученные энергетические расстояния между подзонами согласуются с данными по фотопроводимости [1963] и противоречат результатам исследования поглощения инфракрасного излучения. Во всех трех перечисленных методиках использовались образцы различных типов, приготовленные в разных лабораториях. Выполненные эксперименты с временным разрешением [859] ( см. также [857]) доказали, что положение резонанса зависит от того, насколько полно устанавливается электростатическое равновесие в кремниевой подложке. Именно отсутствие обедненного слоя в экспериментах Уилера и Голдберга [1963] и Горника и Цуи [651] считается главной причиной обнаруженного-расхождения в данных, и все последующие эксперименты подтвердили результаты, полученные ппи изучении поглощения. [2]
 |
Различные виды вольт-амперных характеристик полупроводников в сильных электрических полях. 1 -линейная ( омическая. г - сублинейная. 3 - суперлинейная. 4 - N-образная. 5 - S-образная. [3] |
Если разогрев электронов мал, но наблюдаем по разл. [4]
Характер разогрева электронов может быть различным. В полях с относительно невысокой напряженностью электроны на длине свободного пробега приобретают небольшую энергию. Однако если эта энергия оказывается выше той, которую они теряют при столкновениях, то их скорость будет постепенно увеличиваться и электронный газ будет разогреваться. Так как приращение скорости направленного движения, происходящее на длине свободного пробега, электронами быстро теряется в последующих столкновениях, то разогрев электронного газа в этом случае обусловлен в основном ростом скорости их хаотического движения. [5]
Явление разогрева электронов в сурьмянистом индии л-типа при гелиевых температурах используется при создании высокочувствительных приемников миллиметрового и субмиллиметрового излучения, которые применяются в радиоастрономии, космических исследованиях, спектроскопии, радиотеплолокации. [6]
Влияние селективного разогрева электронов и магнитного поля на электропроводность не учитывается, так как оно незначительно для промышленных МГД-генераторов. [7]
 |
Различные виды вольт-амперных характеристик полупроводников в сильных электрических полях. 1 -линейная ( омическая. г - сублинейная. 3 - суперлинейная. 4 - N-образная. 5 - S-образная. [8] |
Другие эффекты, связанные с разогревом электронов. Возникает эдс при однородной темп-ре кристалла, но неоднородном разогреве электронов. [9]
 |
Структура зон в кремнии для двух кристаллографических направлений. [10] |
Сообщение электронам дополнительной энергии, так называемый разогрев электронов, может привести к заселению уровней в этом более высокорасположенном минимуме. Однако при восстановлении термодинамического равновесия эти электроны вернутся снова в наиболее глубокий минимум. Такой разогрев может быть вызван, например, электрическим полем, приложенным к кристаллу. [11]
В работах [1847, 1848] теоретически изучались эффекты разогрева электронов в сильном магнитном поле. [12]
Эти внешние проявления в настоящее время связывают с механизмами разогрева электронов при больших плотностях тока, междолинным рассеянием электронов в арсениде галлия и эффектами поверхностных ловушек, которые хорошо объясняют частотную зависимость избыточных шумов. Несколько дискуссионна гипотеза о микрокустовом эффекте [94], согласно которой ДБШ может быть представлен параллельным соединением нескольких неравноценных микродиодов. [13]
Последующие теоретические исследования показали, что установленное явление объясняется сильным разогревом электронов, осуществляющих проводимость в диспергированной пленке, без сильного нагрева самой пленки в электрическом поле. Такой разогрев невозможен ни в массивном металле, ни в сплошной металлической пленке, так как в них нельзя создать сильное электрическое поле. Кроме того, установлено, что в диспергированную пленку - можно ввести большую по сравнению с массивным металлом удельную электрическую мощность ( мощность на единицу массы вещества), за счет которой тоже идет разогрев электронов. [14]
В недавней работе [93] приведена теоретическая модель шумов ДБШ, учитывающая разогрев электронов и частотно-зависимый ловушечный механизм шумов. Поскольку избыточные шумы зависят от тока диода, модулированного гетеродином, они вводятся в теоретическую модель как коррелированные. В отличие от дробовых шумов учитывается их частотная зависимость, приводящая к уменьшающейся с ростом частоты интенсивности шума в различных полосах приема. Шумовая температура смесителя, рассчитанная с помощью этой модели, объясняет наличие экспериментально наблюдаемого минимума шума охлажденных диодов на семействе характеристик выпрямления ДБШ ( зависимости / от V при фиксированной мощности гетеродина) и позволяет выбирать оптимальный режим смесителя ( напряжение смещения и мощность гетеродина) расчетным путем. В работе [95] приводится экспериментальное подтверждение большой роли поверхностных эффектов в возникновении избыточных шумов. Показано, что в процессе охлаждения после осаждения защитной пленки SiO2 на поверхность эпислоя GaAs, которое производится при температуре 350 С, между слоями возникают значительные механические напряжения. В местах травления окон для анодов ДБШ эти напряжения достигают такой силы, что приводят к растрескиванию поверхности эпислоя по периферии каждого анода. Диоды, получаемые такой типовой технологией, обладают избыточными шумами. Стравливание тонкого слоя ( 25 нм) эпитаксиальной пленки GaAs вокруг анода или применение эластичной защитной пленки вместо SiO2 приводит к исчезновению избыточных шумов в области рабочих токов диода, повышает пробивное напряжение и крутизну обратной ветви ВАХ диодов. [15]
Страницы: 1 2 3