Разогрев - электрон
Cтраница 2
При использовании всех СВЧ-методов исследования плазмы важно выполнять требование, заключающееся в том, что разогрев электронов плазмы в СВЧ-поле зондирующего сигнала должен быть незначительным. Это требование труднее всего выполнить при исследовании плазмы послесвечения, когда электронная температура близка к температуре газа. [16]
При обратных напряжениях обратный ток будет очень мал, так как высота барьера повышается, а разогрева электронов при обратных напряжениях не будет. Величина тока будет определяться токами утечки и может составлять единицы микроампер при напряжении порядка 20 в. При увеличении обратного смещения происходит расширение слоя объемного заряда и смыкание его с сильнолегированной / г - областью. Вследствие этого возникает электрический пробой. [17]
Другой механизм N-образной ВАХ связан с увеличением сечений захвата носителей одноименно заряженными с ними ловушками, которое вызвано разогревом электронов в сильном поле, увеличивающим вероятность проникновения носителей сквозь кулонов-ский энергетический барьер, окружающий ловушки. [18]
СВЧ строятся на основе сосредоточенных детекторов на ДБШ и распределенных болометров. Таковыми являются электронные болометры на разогреве электронов в полупроводнике п - InSb и сверхпроводниковых пленках, а также обычные болометры на разогреве материала болометра ( напр. [20]
В проводимости двумерных квазиметаллических систем был также обнаружен член, логарифмический по электрическому полю F при слабых полях и низких температурах. Предполагалось [48], что он связан с простым джоулевым разогревом электронов. В этом случае аналог выражения (5.10), в котором температура Т заменена электрическим полем F, имеет коэффициент С 2С / ( р 2), где р - показатель степени в температурной зависимости скорости передачи энергии электронов решетке, которая не обязательно совпадает со скоростью неупругих столкновений. [21]
 |
Различные виды вольт-амперных характеристик полупроводников в сильных электрических полях. 1 -линейная ( омическая. г - сублинейная. 3 - суперлинейная. 4 - N-образная. 5 - S-образная. [22] |
Другие эффекты, связанные с разогревом электронов. Возникает эдс при однородной темп-ре кристалла, но неоднородном разогреве электронов. [23]
L - продольная и поперечная компоненты электрического поля в образце. Эффект Сасаки связан с изменением вклада токов отдельных долин в общий ток, из-за различного разогрева электронов внешним Е, по-разному ориентированным к этим долинам. [24]
Эмиссия горячих электронов, при которой дополнительная энергия сообщается электронам за счет создания сильных электрических полей в тонких приповерхностных слоях эмиттера. В отличие от первых трех перечисленных видов эмиссии, при которых на повышение энергии электронов ( разогрев электронов) расходуется лишь малая доля общей энергии, сообщенной эмиттеру, в случае эмиссии горячих электронов энергия электрического поля сообщается непосредственно электронам эмиттера. Этот тип эмиссии, однако, был исследован относительно недавно и в силу ряда технических трудностей пока не получил практического применения. [25]
Выражение V2 легко можно интегрировать как член с оператором Лапласа в обычном уравнении диффузии. Так как переменной составляющей концентрации электронов мы пренебрегаем, действие переменного поля сводится в основном к разогреву электронов при столкновениях и не сопровождается их перемещением в пространстве. Постоянное поле как нагревает электроны, так и перемещает их. [26]
Изложение опирается на математическое исследование в общем виде, в котором устанавливаются свойства последовательностей случайных сигналов и импульсных процессов. В книге главным образом рассматриваются тепловой и дробовой шумы, а также генерационно-рекомбинационный ( г-р) шум, повсеместно распространенный 1 / / - шум, взрывной шум, неравновесный джонсоновский шум, связанный с разогревом электронов, и лавинный шум, обусловленный ударной ионизацией. Каждая глава сопровождается обширной библиографией, позволяющей заинтересованному читателю глубже изучить обсуждаемую тему. [27]
Во время прохождения тока через полупроводник - рассказывает Ю. К. Пожела - температура электронов в последнем выше, чем температура кристаллической решетки. В чистых полупроводниках электроны разогреваются до температур в тысячи градусов. Если в полупроводнике создать несимметричный и неоднородный разогрев электронов, например, посредством пропускания тока через кристалл несимметричной и неоднородной формы, то такой полупроводник преобразует переменный ток в постоянный. [28]
Последующие теоретические исследования показали, что установленное явление объясняется сильным разогревом электронов, осуществляющих проводимость в диспергированной пленке, без сильного нагрева самой пленки в электрическом поле. Такой разогрев невозможен ни в массивном металле, ни в сплошной металлической пленке, так как в них нельзя создать сильное электрическое поле. Кроме того, установлено, что в диспергированную пленку - можно ввести большую по сравнению с массивным металлом удельную электрическую мощность ( мощность на единицу массы вещества), за счет которой тоже идет разогрев электронов. [29]
Во время прохождения тока через полупроводник - рассказывает Ю. К. Пожела - температура электронов в последнем выше, чем температура кристаллической решетки. В чистых полупроводниках электроны разогреваются до температур в тысячи градусов. Если в полупроводнике создать несимметричный и неоднородный разогрев электронов, например, посредством пропускания тока через кристалл несимметричной и неоднородной формы, то такой полупроводник преобразует переменный ток в постоянный. Ее можно выразить-так: преобразование энергии электромагнитной волны в постоянный ток может происходить в однородном изотропном полупроводнике, проводимость и другие физические свойства которого, казалось бы, не должны зависеть от инверсии направления внешнего воздействия. Неоднородный разогрев электронов нарушает симметрию электрических свойств кристалла. Полупроводники германии и кремний с геометрией, соответствующей принятому обозначению диодов в схемах, оказываются хорошими выпрямителями в СВЧ-диапазоне. Их чувствительность более чем на порядок выше, они меньше боятся перегрузок и имеют лучшие частотные характеристики по сравнению со своими аналогами - детекторами СВЧ с р-п переходами. [30]
Страницы: 1 2 3