Разработка - микросхема
Cтраница 1
Разработка микросхем - аналогов серии 74С - не проводилась, однако по своим параметрам наиболее близки к этой серии микросхемы К561, которые могут быть рекомендованы для их замены. Как видно из табл. 2.13, в состав серий КМОП-схем кроме ЛЭ и триггеров входят регистры, счетчики, схемы ЗУ и преобразователи уровней, обеспечивающие совместную работу с ТТЛ-схемами. [1]
Разработка микросхем ЗУ идет по двум направлениям: выпускаются специальные серии ЗУ ( например. [2]
Разработка микросхем ЗУ идет по двум направлениям: выпускаются специальные серии ЗУ ( например, 132, 1601, К. [3]
 |
Транзистор в интегральной микросхеме. а - топология. б - поперечное сечение. [4] |
При разработке микросхем выбор структур ограничен, так как изменение структуры влечет за собой дополнительные технологические операции, поэтому выбирают такую геометрию прибора, которая обеспечивала бы требуемые характеристики. [5]
При разработке микросхем, изготовляемых по пла-нарной технологии, на себестоимость изделия влияет диаметр полупроводниковых пластин, на которых формируются элементы приборов. В зависимости от диаметра пластин и размера приборного кристалла ( длины и ширины) можно размещать различное количество кристаллов на пластине. [6]
При разработке микросхем для ВЧ-селективных устройств оказалось удобным использовать принципы ФАПЧ. [7]
При разработке микросхем с повышенной степенью интеграции возникает ряд новых задач при расчете, проектировании и конструировании электронной аппаратуры, которые также накладывают определенные ограничения на проектирование БИС. Так, высокая плотность упаковки быстродействующих элементов в БИС затрудняет подвод мощности от источника питания и создание многослойной разводки. Например, если БИС состоит из 150 быстродействующих схем с потребляемой мощностью 50 мВт каждая, то ко всей системе требуется подвести ток порядка 2 5 А, что при малой геометрии пленочных проводников связано с большими трудностями. [8]
При разработке микросхем для ВЧ-селективных устройств оказалось удобным использовать принципы ФАПЧ. [9]
При разработке микросхем с повышенной степенью интеграции возникает ряд новых задач при расчете, проектировании и конструировании электронной аппаратуры, которые также накладывают определенные ограничения на проектирование БИС. [10]
Четвертый элемент-порядковый номер разработки микросхемы в данной серии, в которой может быть несколько одинаковых по функциональному признаку микросхем. Он может состоять как из одной цифры, так и из нескольких. [11]
Исходной информацией при разработке микросхемы является техническое задание на электрические, конструктивные, эксплуатационные и надежностные параметры, которым должна удовлетворять разработанная схема. Весь процесс разработки полупроводниковой микросхемы можно условно разделить на пять этапов. [12]
Наиболее сложным при разработке микросхемы является созда ние температурно-устойчивых схем источника опорного напряже ния и порогового устройства. Для получения опорного напряженш использована схема стабилизатора на транзисторах Т14, Т15, которой исключено возникновение паразитного автоколебательног процесса и влияние коэффициента передачи p - n - p - транзистора н стабильность выходного напряжения. Температурная нестабиль ность связана только с дрейфом прямого падения напряжения н Диодах, соединенных с выходом ( коллектор Т15), причем неста бильность одного из диодов может быть скомпенсирована. [13]
Существует два направления в разработке микросхем повышенного уровня интеграции. Одно из них базируется на гибридной технологии, использующей бескорпусные микросхемы малой степени интеграции и пленочную технологию их соединения на диэлектрической подложке. Бескорпусные микросхемы по сравнению с их аналогами в корпусах меньше по объему и массе примерно в 70 раз в по занимаемой площади в 30 раз. Устанавливают их на многослойную подложку, иногда называемую коммутационной платой. [14]
 |
Базовые элементы НСТЛ на р - МДП-траизисторе. [15] |
Страницы: 1 2 3 4