Разработка - микросхема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Ничто не хорошо настолько, чтобы где-то не нашелся кто-то, кто это ненавидит. Законы Мерфи (еще...)

Разработка - микросхема

Cтраница 4


Это обусловлено специфическими особенностями, присущими микроэлектронике: наличием электромагнитной и тепловой взаимосвязи между элементами, ограничениями на номиналы элементов, частотными зависимостями и другими факторами. Поэтому разработка полупроводниковых микросхем - это комплексный процесс расчета, проектирования и конструирования на основе требований к системе, для которой проектируется данный тип микросхем, и на основе возможностей технологии производства. Причем функциональный состав и элементы определяются с учетом схемотехнических требований и существующих прогрессивных методов изготовления. Разработка микросхем заканчивается изготовлением опытных образцов с требуемым процентом выхода годных и определенными эксплуатационными и надежностными параметрами и выпуском конструкторско-технологической документации, предназна-ченмой для их группового изготовления.  [46]

Многие договоренности и взаимодействия фирм совсем не обязательно рассматривать как заговор против потребителей. На деле потребителю они могут быть даже выгодны. По всей видимости, это стоящее мероприятие, и оно в конце концов принесет пользу потребителям, особенно если разработка микросхемы требует крупных капиталовложений, на что по отдельности ни одна фирма не решится.  [47]

Базовый элемент ТТЛ также выполняет логическую операцию И-НЕ. При низком уровне сигнала ( логический нуль) хотя бы на одном из выходов многоэмиттерного транзистора VTl последний находится в состоянии насыщения, a VT2 закрыт. При высоком уровне сигнала на всех входах VTl работает в активном инверсном режиме, a VT2 находится в состоянии насыщения. Описанный здесь базовый элемент ТТЛ, несмотря на упрощенную технологию изготовления, не нашел широкого применения из-за низкой помехоустойчивости, малой нагрузочной способности и малого быстродействия при работе на емкостную нагрузку. Его целесообразно использовать лишь при разработке микросхем с открытым коллектором ( рис. 5.17, б) для включения внешних элементов индикации, когда не требуется высокая помехоустойчивость и большая нагрузочная способность.  [48]



Страницы:      1    2    3    4