Cтраница 1
Разработка топологии - основной этап в проектировании полупроводниковых интегральных схем, на котором решаются вопросы компоновки элементов микросхемы и соединений между ними. Для этого предварительно анализируется принципиальная - электрическая схема, выбранная для интегрального исполнения. [1]
Разработка топологии является основным этапом в проектировании полупроводниковых интегральных микросхем, на котором решается задача компоновки элементов микросхемы и соединений между ними с учетом технологических возможностей. Топологический чертеж микросхемы служит основой для разработки конструкторско-технологической документации на изготовление микросхемы, в частности, на изготовление фотошаблонов и сборки. [2]
Разработка топологии ИМС напоминает процесс проектирования многослойных печатных плат. Она представляет собой весьма трудоемкую работу и требует от конструктора известного опыта. По мере возрастания степени интеграции микросхем эта разработка все более усложняется и часто занимает несколько месяцев напряженного труда, и что хуже всего, при этом не исключается возможность ошибок. [3]
Разработка топологии ИС включает в себя решения ряда взаимосвязанных задач: размещения компонентов, проведения внутрисхемных соединений и создания конструкторской документации для изготовления фотошаблонов. Последняя задача часто сводится к получению информации на машинных носителях для программно-управляемого оборудования, предназначенного для изготовления фотошаблонов. [4]
Разработка топологии ИС памяти может быть представлена рядом последовательных этапов: выбор структуры и составление эскизов топологии отдельных элементов схемы; анализ влияния паразитных явлений и корректировка эскизов; разработка общего плана кристалла; детальная проработка эскизов топологии ИС в целом; проверка топологии ИС с помощью ЭВМ. [5]
Разработку топологии биполярной ИМС можно подразделить на несколько этапов, основными из которых являются: получение и детальный анализ исходных данных, расчет конфигураций и геометрических размеров активных и пассивных элементов, разработка эскизов топологии, разработка предварительных вариантов топологии, выбор окончательного варианта топологии и его оптимизация. [6]
Разработку топологии - схемы расположения элементов на плате с учетом всех требований - производят в два приема: сначала разрабатывают эскизный вариант топологии, а затем - оригинал. При этом процесс разработки топологии ( эскизного варианта) носит индивидуальный характер и выполняется с учетом следующих особенностей. [7]
Разработку топологии полупроводниковой ИМС начинают с получения и согласования общих электрических, конструктивных и технологических данных. Исходными электрическими данными для разработки топологии являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам, перечень активных и пассивных элементов и требований к ним. К конструктивным исходным данным относятся порядок расположения на подложке контактных площадок выводов полупроводниковых ИМС, соответствующий разводке выводов корпуса, а также геометрические размеры активных элементов. Эти размеры задаются на специальном конструктивном чертеже, выполняемом в том же масштабе, в котором затем вычерчивают топологический чертеж ИМС. Исходными технологическими данными являются требования и ограничения, обусловленные технологическим процессом изготовления фотошаблонов и самой полупроводниковой ИМС. [8]
Разработку топологии полосковой платы начинают с размещения полосковой линии и соединителей на регламентированных посадочных местах, предусмотренных в базовом корпусе. Затем следует разместить остальные печатные элементы, соединительные проводники и контактные площадки под навесные элементы в соответствии с заданной электрической схемой, габаритами навесных элементов и выбранным вариантом установки с учетом тепловых режимов. [9]
Этап разработки топологии является заключительным при проектировании интегральных схем и наиболее трудоемким. [10]
Структура коммутационной платы на основе многослойной керамики с металлизированными переходными отверстиями. [11] |
Сущность разработки топологии состоит в определении взаимного расположения пленочных элементов, выборе их формы, расчете геометрических размеров, компоновке навесных компонентов и пленочных элементов и размещении их на подложке в увеличенном масштабе. Разработка топологии проводится в три этапа: разработка схемы соединений на подложке; расчет геометрических размеров пленочных элементов; разработка эскиза топологии. Основной задачей разработки схемы соединений является выбор такого расположения активных компонентов и пленочных элементов, при котором обеспечивается минимум длины соединительных проводников и числа пересечений между ними. [12]
Технология изготовления изделий микроэлектроники. [13] |
Цель разработки топологии ИС состоит в создании оригиналов схемы, на основе которых изготавливают фотошаблоны. Для начала будем считать, что подобные оригиналы являются чертежами, выполненными на бумаге, хотя-и мы в этом скоро убедимся-они вовсе не обязательно должны иметь такой вид. Для изготовления каждого шаблона требуется один чертеж. [14]
Интегральные схемы в пластмассовых корпусах U857 ( Z80CTC, U880 ( Z80, U855 ( Z80 Р10 и U856 ( Z80 SIO, а также в керамическом корпусе U552 ( 1702А. [15] |