Разработка - топология
Cтраница 2
Стоимость разработки топологии ИС и изготовления фотошаблонов тем меньше влияет на уровень общих затрат, чем больше общий объем выпуска ИС данного типа. Затраты по циклам 1 и 2 в свою очередь сильно зависят от степени интеграции изготавливаемой ИС. [16]
При разработке топологии проектируют схему взаимного расположения пленочных элементов разрабатываемой ИМС, рассчитывают их геометрические размеры, выбирают форму, компонуют пленочные и навесные элементы и вычерчивают их размещение на подложке в увеличенном масштабе. [17]
При разработке топологии в качестве такого критерия, вероятно, можно выбрать процент выхода годных схем. Но использовать этот критерий при анализе воспроизводимости нельзя, поскольку при изготовлении схем различной степени сложности на одном предприятии, при одном технологическом процессе, на одном оборудовании, при том же самом обслуживающем персонале, то есть в условиях одного и того же технологического комплекса, выход годных схем будет различным. [18]
При разработке топологии должны учитываться требования к плотности размещения пленочных элементов, требования минимизации неоднородностей при изгибах и ответвлениях, а также некоторые технологические требования, например, к минимальной ширине полоски или зазора между полосками. Необходимо предусматривать возможность подстройки сосредоточенных элементов, так как ошибки изготовления при отсутствии органов регулировки могут затруднить реализацию оптимальных режимов работы МСБ СВЧ. После монтажа навесных элементов и настройки устройств СВЧ, выполненных на отдельных платах, их стыкуют в корпусе. При безразъемном соединении устройств СВЧ в МСБ могут быть применены как отдельные корпуса, стыкованные друг с другом, так и единый общий корпус. [19]
 |
Последовательность разработки топологии тонкопленочной интегральной микросхемы. [20] |
При разработке топологии необходимо иметь принципиальную электрическую схему с перечнем элементов и их параметров. [21]
При разработке топологии МДП-ИМС важно также учитывать возможность исключения паразитных транзисторов, образуемых при пересечении шинами разводки диффузионных областей одного типа электропроводности. Так как металлизация обычно проходит по толстому слою оксида, то пороговое напряжение паразитных МДП-транзисторов обычно составляет 10 - 15 В и их крутизна невелика. Однако присутствие в МДП-ИМС паразитных транзисторов может увеличить потребляемую мощность, уменьшить уровни выходных напряжений, снизить входное сопротивление и даже привести к нарушению нормального режима работы схемы. При разработке КМДП-ИМС вероятность образования паразитных транзисторов увеличивается по сравнению с МДП-ИМС на транзисторах с каналами одного типа электропроводности. Это объясняется тем, что в топологии КМДП-ИМС увеличивается количество диффузионных областей, и всегда под металлом разводки, соединяющей затворы транзисторов с каналами п - и р-типов, возникает инверсный слой. [22]
 |
Температурные изменения коэффициента усиления тока базы Р маломощного интегрального п-р - п транзистора при различных токах коллектора / к ( 1 и сопротивления гашч-резистора Лп ( 2. [23] |
При разработке топологии микросхемы - переводе электрической принципиальной схемы в топологический чертеж элементов-основными критериями являются плотность компоновки элементов с минимальным числом пересечений соединений между ними, а также минимизация тепловых и емкостных связей. При достижении максимальной плотности компоновки интегральных элементов выявляются топологические ограничения, вызванные получением минимальной ширины линии, доступной для вскрытия методом литографии, с учетом диффузии примеси под окисел и автодиффузии скрытого слоя. На рис. 1.12, а показан топологический чертеж п-р - п транзистора, а на рис. 1.12 6-разрез изготовленной структуры интегрального транзистора. [24]
Рассмотрим пример разработки топологии микросхемы. Допустим, что необходимо, создать микросхему избирательного двойного Т - образного режекторного фильтра, применяемого в аппаратуре связи. На рис. 4.21 а показана электрическая схема такого фильтра, который необходимо выполнить в пленочном исполнении. При этом выводы микросхемы должны располагаться - с одной стороны подложки. Дополнительно на той же стороне подложки должны быть выполнены два внешних разветвления для измерительных целей. [25]
 |
Выполнение технологии микросхемы шаблонами на магнитной матрице. [26] |
Такая методика разработки топологии микросхем с помощью магнитных матриц позволяет сократить сроки проектирования в полтора-два раза, улучшить его качество и уменьшить объем расчетно-графических работ. [27]
В процессе разработки топологии акустоэлектронного фильтра выделяют четыре этапа: 1) размещение элементов структуры и электрических соединительных проводников; 2) выполнение эскизного чертежа на миллиметровой бумаге в масштабе 10: 1; 20: 1 или другом, кратном 10, соблюдая технологические, конструкторские требования и ограничения, которые изложены в [ 5, 71; 3) выполнение топологического чертежа платы фильтра; 4) оценка качества разработанной технологии. [28]
При этом процесс разработки топологии ( эскизного варианта) носит индивидуальный характер и выполняется с учетом следующих особенностей. [29]
 |
Принципиальная ( а и структурная ( б схемы симметричного статического СТ-ЭП. [30] |
Страницы: 1 2 3 4