Абсолютная величина - градиент
Cтраница 1
Абсолютная величина градиента принимается такой, чтобы знаки т и градиента соответствовали друг другу. [1]
Абсолютная величина градиента температур, как мы уже отмечали, ограничена сверху, поэтому существует конечный верхний предел частот, которые распространяются с малым затуханием, со Т Ру Слабозатухающими, как показывают расчеты, являются низкочастотные колебания. Лучшими в смысле пропускания высоких частот являются среды с ev a. Такой средой является, например, воздух: v 13 10 - е М2 / С. [2]
Абсолютная величина градиента концентрации у стенки уменьшается, пока величина Fw не станет равной-0 45, так что те решения, в которых пренебрегают & т, соответствуют в общем случае несколько большей интенсивности вдува, чем при учете Ат. Влияние термической диффузии на перенос массы возрастает при уменьшении интенсивности вдува, а также при увеличении интенсивности теплообмена. [3]
Представление об абсолютных величинах градиента давления и удельной безводной добычи дает рис. 5.4. Из него видно, что по турнейскому ярусу абсолютный градиент давления не более О. [4]
Из (3.8) вытекает, что абсолютная величина градиента плотности внутри неоднородности возрастает при распространении по ней ударной волны. [5]
Модуль линейного коэффициента преобразования М равен одинаковым абсолютным величинам градиентов функций и и v; следовательно, он равен абсолютной величине напряженности поля F ( в относительных единицах) при выборе любой из функций ( и или v) в качестве потенциала поля. [6]
Модуль линейного коэффициента преобразования М равен одинаковым абсолютным величинам градиентов функций и и и; следовательно, он равен абсолютной величине напряженности поля F ( в относительных единицах) при выборе любой из функций ( и или v) в качестве потенциала поля. [7]
Неавтомодельные решения для течений разрежения оканчиваются особой точкой, в которой напряжение трения на теле и абсолютная величина градиента давления обращаются в бесконечность. В этой области значений рд его изменение влияет на распределение давления по всей поверхности тела. Изменение рд в указанных пределах влияет на течение только в локальной области. [8]
 |
Блок-схема измерительного устройства. [9] |
Выбором оптимального температурного градиента в районе фронта кристаллизации равного 4 - 6 С / мм, при постоянном увеличении абсолютной величины градиента в сторону кристалла, обеспечивается плоская, либо слегка выпуклая форма фронта кристаллизации, наиболее пригодная для выращивания качественных кристаллов. [10]
В этом случае величина шага Лд - / 0 при постоянном значении параметра / ( 0) изменяется автоматически в соответствии с изменением абсолютной величины градиента. [11]
Если карты изобар предназначаются для оценки распределения по площади залежи градиентов пластового давления, то они должны быть по возможности более точными, так как абсолютные величины градиентов давления малы. Поэтому следует обратить особое внимание на повышение точности измерения пластового давления, необходимого для построения карт изобар. В связи с этим мы вынуждены несколько подробнее остановиться на описании способов построения карт изобар. [12]
Отметим, что полученная экспериментально величина ( г2) ь может оказаться весьма полезной для теоретической оценки ( 1 / г3), необходимой для получения абсолютной величины градиента электрического поля при низких температурах, обусловленного одним электроном сверх сферически симметричной оболочки. При низких температурах, когда р-электрон стабилизируется на одной из рх -, ру -, р2 - орбиталей, отрицательному градиенту кристаллического поля соответствует положительный знак градиента электрического поля от р-электрона. В соответствии с выражением (1.105) это означает, что р-электрон находится на рх -, р - орбиталях. Если же знак q zz положителен, то р-электрон находится на р2 - орбитали. [13]
 |
Распределение неосновных носителей заряда в транзисторе при. [14] |
Соответствующее распределение концентрации носителей показано на рис. 4.6, в. В данном случае абсолютная величина градиента концентрации носителей растет по мере приближения к коллекторному переходу. Вблизи коллектора концентрация инжектированных носителей падает, соответственно падает и дрейфовая составляющая тока, но зато растет диффузионная составляющая; поэтому полный ток остается постоянным. [15]
Страницы: 1 2