Cтраница 1
Разрешение линий, близких по длинам волн, в большой степени определяется шириной изображения, зависящего, в свою очередь, от ширины щели. Для бесконечно тонкой щели изображение имеет конечную ширину вследствие дифракции света на объективах и призмах. [1]
Для разрешения линий необходимо, чтобы Лр5гА / АЯ, где ДХ Х30 - X3j - разность длин волн линий. [2]
Так как предел разрешения линий в фотолитографии обусловливается длиной волны ультрафиолетового света, а в последнее время все больший интерес представляет вопрос изготовления рисунков в пределах 1 мкм, поэтому внимание исследователей все больше привлекает метод экспонирования фоторезистов с помощью электронного луча. На четкость изображения дифракция не оказывает влияния, потому что обычно используются электроны с энергией 10 кВ с длиной волны Де Бройля - порядка нескольких десятков ангстрем. Диаметр точечного изображения ограничен сферическими аберрациями электромагнитных линз, а это сказывается весьма незначительно, поскольку углы наклона пучков электронов очень малы. Важной предпосылкой для экспонирования электронным лучом является наличие подходящих фоторезистов. [3]
Методы проекции изображения для непосредственного экспонирования фоторезиста. [4] |
Следовательно, объективы, обеспечивающие разрешение линий шириной 1 мкм и меньше уже имеют глубину резкости 1 мкм или меньше. Это означает, что необходимо для фокусирования иметь очень точный механизм, для того, чтобы поверхность изображения на подложке была плоской и не выходила бы за пределы отклонения от плоскостности на 1 мкм и даже меньше, а покрытие фоторезиста должно быть очень однородным, без зернистости и толщиной менее 1 мкм. Такие ограничения были установлены целым рядом исследователей, которым успешно удавалось вытравливать линии шириной 1 мкм и меньше в тонких пленках яз различных материалов. [5]
Схема фокусировки в многоканальном ди-фрактометре. [6] |
Применяемое излучение должно быть достаточно мягким, чтобы обеспечить разрешение линий разных фаз. [7]
Образец градуировочного графика при определении малых содержаний водорода. [8] |
Была выбрана щель шириной 0 15 мм, при которой степень разрешения линий Нр и Dp еще не ухудшается. [9]
Фабри - Перо ( см. § 28), однако в качестве условия разрешения линий принимается условие Рэлея: линии считаются разрешенными, если максимум интенсивности одной попадает на минимум интенсивности другой. [10]
Присутствие в полуфабрикате ЕР двух очень различных по степени совершенства структур приводит к разрешению линии ( 002) этих составляющих по углу дифракции рентгеновских лучей. [11]
Отражательная дифрак - ционная решетка. [12] |
Ширина светового пучка, проходящего через гониометр, равна 4 см, так что для разрешения линий водорода и дейтерия достаточно 1000 штрихов на сантиметр. В настоящей работе используется решетка с 6000 штрихами на сантиметр, что о хорошим вапасом обеспечивает разделение указанных линий. [13]
При увеличении порядкового номера элемента длины волн / С-линий уменьшаются, соответственно уменьшается и степень разрешения линий. [14]
При увеличении порядкового номера элемента длины волн / ( - линий уменьшаются, соответственно уменьшается и степень разрешения линий. [15]