Наибольшее разрешение

Cтраница 2

Непосредственное изучение таких поверхностей возможно лишь в отражательном, эмиссионном или растровом микроскопах, наблюдение объектов в которых может быть отнесено также к прямым методам исследования. Однако наибольшее распространение имеют электронные микроскопы просвечивающего типа, обладающие наибольшим разрешением из всех перечисленных типов, и потому для изучения структур поверхностей непрозрачных тел были разработаны и успешно применяются косвенные методы. [16]

Изменения ширины линий в зависимости от времени экспонирования фоторезиста SCR-5. [17]

Для определения времени экспонирования можно использовать тест на разрешающую способность, в котором используется маска с серией клинообразно уменьшающихся по ширине линий и промежутков между ними. При проведении нескольких экспозиционных испытаний определяется время экспонирования, при котором достигается наибольшее разрешение. [18]

Молекулярные постоянные РО в основном электронном состоянии определялись при исследованиях ( В - и у-систем полос. Впервые эти системы полос наблюдали Рейтер [1704] и Петрикалн [3230, 3231], которые обратили внимание на большое их сходство с 3 - и у-систе-мами полос NO, вследствие чего в литературе за ними закрепились такие же наименования. С наибольшим разрешением [ В - и у-системы полос РО были получены в работах [3747, 3397] на приборах с дисперсией в 0 35 А. Они находятся в хорошем согласии со значениями соответствующих величин, найденными Сингхом [3747] в результате анализа вращательной структуры трех полос 3-системы Ч Близкие значения колебательных постоянных ( юе 1232 5, сол 6 5 см 1) были найдены Дресслером [1402] на основании измерений кантов и анализа контуров 24 полос [ 3-системы. [19]

Спектр фосфоресценции фенола ни в одной из опробованных органических матриц, даже в присутствии соляной кислоты, не имеет дискретной структуры. Однако в концентрированной соляной кислоте спектр фенола приобретает дискретную структуру бензольного типа. Следует отметить, что и епектр анилина имеет наибольшее разрешение и интенсивность в концентрированной соляной кислоте при низкой температуре. [20]

Вообще говоря, в установках экспонирования для определения, с какой степенью достоверности изображение рисунка шаблона переносится на резист, используют следующий метод. Пропуская свет через шаблон с рисунком гармонической дифракционной решетки ( с пространственной частотой v), измеряют максимальную и минимальную интенсивность света на выходе и, вычислив их отношение, определяют степень модуляции. Используя частотно-контрастные характеристики как ориентир, можно изменять когерентность света, определяемую отношением апертур системы освещения и проекционной системы, и устанавливать такую степень когерентности, которая соответствует наибольшему разрешению. [21]

Для прямого анализа расположения атомов вокруг линии дислокации необходимо очень высокое разрешение. В настоящее время такое разрешение дает только ионный микроскоп ( ионный проектор), принцип действия которого состоит в следующем. С поверхности образца, представляющего собой иглу с очень малым радиусом закругления острия ( менее 10 5 см), находящуюся под действием поля высокого напряжения, срываются электроны. За счет эффекта поляризации на игле осаждаются молекулы нейтрального газа. После соприкосновения с поверхностью металла молекулы газа диффундируют к острию иглы. Когда такая молекула попадает в область местного усиления поля высокого напряжения, происходит ее ионизация и ион летит под действием ускоряющего высокого напряжения к флуоресцирующему экрану прибора. Этот метод, имеющий наибольшее разрешение из всех известных в настоящее время прямых методов исследования структуры материалов, позволяет различать отдельные атомы в кристаллах. Увеличение прибора определяется соотношением между радиусом кривизны острия и расстоянием от объекта до экрана и может достигать нескольких миллионов. [22]

Страницы: 1 2