Разрушение - кристалл
Cтраница 2
 |
Зависимость энергии. [16] |
Представим себе идеальную картину разрушения кристалла вещества, состоящего из малых молекул. [17]
Когда прохождение тока сопровождается разрушением кристалла или между электродами образуются металлические мостики, мы, вероятно, имеем дело с этой второй формой прохождения тока. Но, я думаю, что там, где ионы, проходя, не разрушают кристалл, они проходят между ионами решетки. [18]
При более высоких температурах наблюдается разрушение кристаллов без изменения вторичной пористой структуры. [19]
 |
Деформационные кривые кристаллов полиэтилена ( длина базы 2 мкм. [20] |
Оптические наблюдения показывают, что разрушение кристалла начинается в области деформаций, приблизительно соответствующих пику нагрузки. В области деформаций, отвечающих падающей ветви временной зависимости растягивающего усилия, образец в зазоре с помощью микроскопа не обнаруживается. [21]
 |
Кривая процесса кальци-нации бикарбонатанатрия. [22] |
Приведенная реакция протекает только после разрушения кристаллов бикарбоната, внутри которых распределен карбай мат натрия. При этом 50 - 55 % от общего количества образующегося аммиака выделяется во время смешения кальцинированно-соды с влажным бикарбонатом, что связано с разрушением кристаллов бикарбоната и образованием кристаллов троны. [23]
 |
Энергии химических связей, выраженные в эв. [24] |
Сказанное означает, что для разрушения кристаллов четырехвалентных элементов на составляющие их атомы требуется затратить большую энергию, чем для такого же разрушения кристаллов одновалентных элементов. [25]
При этом разрыхления решетки и разрушения кристаллов двуводного гипса не происходит и црследние замещаются плотно упакованными призматическими кристаллами полугидрата а-модифика-ции. В результате этого наблюдается усадка исходных кристаллов дигидрата и на их поверхности образуются трещины. Игольчатые кристаллы а-полугидрата возникают лишь на плоскости ( 001) кристаллов гипса и рост их происходит только по оси С. В дальнейшем наблюдается перекристаллизация а-полугидрата, сопровождающаяся увеличением толщины кристаллов и уменьшением их длины. Кристаллы а-полугидрата крупны и имеют четкий призматический габитус. Рост кристаллов и изменение их габитуса стимулируют добавки некоторых солей и органических поверхностно-активных веществ. [26]
Дальнейшее увеличение давления приводит к разрушению кристаллов и образованию новых гатрскостей и поверхностей контактов. [27]
Смекал не делает различия в механизме разрушения кристаллов и аморфных тел [69] и считает, что их разрушение происходит за счет первичных дефектов, распределенных по всему объему кристалла. Однако, известно, что существенное отличие кристаллов от аморфных тел заключается в том, что распределение неоднородностей в них не изотропно, а анизотропно. В кристалле существуют направления и плоскости, по которым преимущественно сосредоточиваются искажения, что определяется энергетическими условиями возникновения искажений. [28]
Поглощение тепла при растворении веществ обусловлено разрушением кристаллов на отдельные частицы и распределением их между молекулами растворителя. Естественно, что эта работа требует затраты энергии, поглощения тепла. [29]
Насколько высока концентрация свободных радикалов при разрушении кристаллов, свидетельствует полимеризация стирола и ме-тилметакрилата при обычной температуре в вибромельнице в случае измельчения в их среде кварца, графита и даже поваренной соли. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5