Cтраница 2
Для того чтобы понять, в чем причина явления пробоя, которая, как видно из этого подсчета, не является разрывом кристалла под действием электрических сил, нужно немного подробнее остановиться на явлении прохождения тока через твердые изоляторы. [16]
При этом рост первичного дефекта происходит из-за наличия пластической деформации, а не по механизму, предложенному Гриффитсом. Разрыв кристалла от первичного дефекта осуществляется по схеме: первичный дефект порождает сдвиги, которые в свою очередь ведут к его развитию и заканчиваются разрывом. [17]
Для понимания этого результата необходимо помнить, что в процессе пластической деформации меняются пластические свойства испытываемого образца, и мы полагаем, что явления упрочнения на разрыв не существует, а полученные данные есть следствие упрочнения на сдвиг реально существующего. Момент наступления разрыва кристалла представим себе следующим образом: при растяжении за пределом упругости в кристалле наступает пластическая деформация, она создает вредные искажения, но не все искажения сразу вступают в действие, не все искажения достаточно эффективны, чтобы привести к разрыву. Искажения становятся опасными только на определенной стадии деформации, и с этого момента имеется некоторая вероятность разрыва при появлении каждого нового сдвига. [18]
Полагая, что разрыв кристаллов происходит за счет искажений, возникающих вследствие пластической деформации, благодаря наличию первичных искажений, развитие которых также определяется пластической деформацией, естественно напрашивается правило, которым нужно руководствоваться, чтобы получить от кристалла наибольшую техническую прочность. [19]
Анализ выражений (8.2) и (8.1) показывает, что при увеличении расстояния между соседними частицами квазиупругая сила проходит через максимум, а затем обращается в ноль. Понятно, что разрыв кристалла при растяжении произойдет лишь в том случае, если внешняя сила, вызывающая растяжение, будет больше максимального значения Fm квазиупругой силы. Если внешняя сила меньше Fm, то разрыв невозможен, и происходит лишь растяжение. Очевидно, что в такой модели совершенно не учитывается тепловое движение частиц, из которых состоит кристаллическая решетка, и дефектность последней. [20]
Для простейших ионных кристаллов величина аразр была вычислена теоретически. Опыт, однако, показал, что разрыв кристалла наступает при значениях оразр раз в 400 меньших, чем теоретически вычисленные. [21]
Для простейших ионных кристаллов величина сгкр была оценена теоретически. Опыт, однако, показал, что разрыв кристалла наступает при значениях а, раз в 400 меньших, 3.61. чем теоретически вычисленные. [22]
Кроме того, из-за наличия областей, в которых происходит пластическая деформация ( перестройка), прочность кристалла в процессе деформации будет сильно занижена по сравнению с теоретической и поэтому должна определяться на основе других соображений. Таким образом, мы думаем, что преждевременный разрыв кристаллов определяется изменениями, создаваемыми в кристалле пластической деформацией, а не является результатом ослабляющего действия первичных неод-нородностей, имеющихся на поверхности и в объеме кристалла до начала его пластического формоизменения, что подтверждалось опытами на аморфных материалах. Если начальные искажения и оказывают влияние на разрыв, то их развитие определяется пластической деформацией. [23]
Совокупность всех полученных данных показывает, что чхрупкое разрушение каменной соли обусловлено пластической деформацией. Тем самым подтверждаются предложенные нами качественные представления на причины разрыва кристаллов. [24]
Мюллера не доказывают существенного влияния состояния поверхности на разрыв образцов каменной соли обычных размеров. Если, таким образом, действительно трещинки повинны в разрыве кристаллов, то они, очевидно, должны быть созданы каким-то закономерным процессом, а их глубина и острота должны определяться структурой кристалла. [25]
Мюллера не доказывают существенного влияния состояния поверхности на разрыв образцов каменной соли обычных размеров. Если, таким образом, действительно трещинки повинны в разрыве кристаллов, то они, очевидно, должны быть созданы каким-то закономерным процессом, а их глубина и острота должны определяться Структурой кристалла. [26]
Как видно, при одинаковых условиях опыта, при облегчении создания за счет выхода сдвига на поверхность опасных искажений, получаем значительно меньшие значения прочности, чем обычно. Поэтому можно думать, что пластическая деформация создает причины, ведущие к разрыву кристалла. [27]
Специального выяснения требует вопрос об изменении условия распространения трещин в случае наличия объемного напряженного состояния, которое имеет место в надрезе. Если это так, то можно думать, что пластическая деформация определяет причины разрыва кристалла. [28]
Некоторые хрупкие кристаллы под действием внешних сил раскалываются т плоскостям спайности, которыми являются плоскости, связанные друг с другом наименьшими силами сцепления. Прочностью называется наибольшее, нормальное к плоскости спайности напряжение растяжения о, необходимое для разрыва кристалла. [29]
С нашей точки зрения, когда скалывающие напряжения достигают при растяжении значения Р () 12, где Р0 - прочность на разрыв кристалла без надреза, то искажения, создаваемые сдвигами на поверхности образца, становятся опасными и могут повести к его разрыву. Если считать, что для наступления разрыва качество искажений в основном определяемое, вероятно, скалывающими напряжениями, играет более важную роль, чем величина нормальных напряжений, обусловливающих их развитие, то тогда, создавая на поверхности кристалла подобного рода искажения при растягивающих усилиях, меньших Р0, мы все же можем вызвать разрыв. [30]