Энергетический разрыв

Cтраница 1

Энергетический разрыв невелик, и в полупроводниках при какой-либо активации ( повышение температуры, излучения) происходит переход электронов из валентной зоны в зону проводимости. Освободившиеся при этом переходе энергетические уровни в валентной зоне рассматриваются как дырки в энергетическом спектре кристалла. Свободные электроны и дырки с точки зрения электронной теории катализа рассматриваются как свободные валентности твердого катализатора, участвующие в поверхностном химическом взаимодействии с реагирующими веществами. Молекулы, адсорбированные на поверхности полупроводника, рассматриваются как примеси, нарушающие строго периодическое строение кристаллической решетки, но составляющие с ней единую систему, так как волновые функции решетки и молекул, сидящих на ее поверхности, перекрываются. [1]

Если энергетические разрывы между зонами невелики, то разрыв энергий для одного направления может быть перекрыт разрешенными энергиями для движения в других направлениях. [2]

Джонса энергетические разрывы на гранях 111 зоны Бриллюэна для кубической гранецентрированной решетки и ПО для кубической объемноцен-трировашшй решетки равны - 4 1 эв; б - разница между общей энергией электронов ( соответствующей плотности состояний для свободных электронов) и плотностями состояний, изменившихся в результате взаимодействия с соответствующими зонами Бриллюэна; в - плотность состояний для свободных электронов. [3]

Возникновение энерге. [4]

В последнем случае между зонами имеется энергетический разрыв, именуемый запрещенной, зоной. В металлических кристаллах вследствие перекрывания зон запрещенная зона отсутствует. [5]

В последнем случае между зонами имеется энергетический разрыв, именуемый запрещенной зоной. [6]

В последнем случае между зонами имеется энергетический разрыв, именуемый запрещенной зоной. В металлических кристаллах вследствие перекрывания зон запрещенная зона отсутствует. [7]

В последнем случае между зонами имеется энергетический разрыв, именуемый запрещенной зоной. [8]

Схема энергетических зон для полупроводника. [9]

Локальные уровни, попадающие в область энергетического разрыва, служат как бы промежуточными ступеньками, на которых могут быть размещены или с которых могут быть сняты электроны. Различают два рода примесей - донорные и акцепторные. С этих уровней электроны могут сравнительно легко переходить в зону проводимости, становясь свободными носителями тока. При переходе электрона из валентной зоны на акцепторный уровень образуется свободная дырка в валентной зоне. В отличие от собственных, у примесных полупроводников концентрации свободных электронов и дырок, очевидно, могут не совпадать. [10]

В последнем: лучае между зонами имеется энергетический разрыв, именуемый запрещенной зоной. В металлических кристаллах вследствие перекрывания зон запрещенная зона отсутствует. [11]

Показать, что для случая одномерной решетки существование энергетических разрывов на границе зоны Бриллюэна эквивалентно условию брэгговского отражения электронных волн. [12]

Электронная структура полупроводников отличается от структуры металлов наличием энергетического разрыва ( запрещенной зоны), отделяющего нижнюю валентную зону, полностью заполненную электронами, от верхней незаполненной зоны проводимости. [13]

Электронная структура оксидных катализаторов - полупроводников отличается от структуры металлов наличием энергетического разрыва ( запрещенной зоны), отделяющего нижнюю валентную зону, полностью заполненную электронами, от верхней незаполненной зоны проводимости. Энергетический разрыв невелик, и в полупроводниках при какой-либо активации ( повышение температуры, излучения) происходит переход электронов из валентной зоны в зону проводимости. Освободившиеся при этом переходе энергетические уровни в валентной зоне рассматриваются как дырки в энергетическом спектре кристалла. Свободные электроны и дырки с точки зрения электронной теории катализа рассматриваются как свободные валентности твердого катализатора, участвующие в поверхностном химическом взаимодействии с реагирующими веществами. Молекулы, адсорбированные на поверхности полупроводника, рассматриваются как примеси, нарушающие строго периодическое строение кристаллической решетки, но составляющие с ней единую систему, так как волновые функции решетки и молекул, сидящих на ее поверхности, перекрываются. [14]

Поскольку вдоль линий пересечения граней А: А и А: С энергетические разрывы отсутствуют, энергетическая зона целиком ае заполняется, так как при расширении сферы Ферми ее поверхность должна пересечься с гранями С, в связи с чем до заполнения зоны Бриллюэна часть электронов переходит за ее пределы. По этой причине приведенное выше уравнение следует считать приближенным. Именно это и является причиной связи между стабильностью промежуточных фаз, обладающих гексагональной плотно / упакованной структурой, и содержанием электронов во внутренней зоне Бриллюэна ( см. разд. Относительные различия между значениями векторов kA, kB и kc, так же как и разница в величине энергетических разрывов, будут определять последовательность и природу взаимодействий и перекрытий между поверхностью Ферми и зоной Бриллюэна. Эти взаимодействия должны происходить при различных значениях энергии для разных граней зоны, что приводит, по мнению Джонса [60], к возникновению результирующего электронного натяжения, стремящегося деформировать зону Бриллюэна. [15]

Страницы: 1 2 3 4