Cтраница 2
Энергия емкостного накопителя существенно больше энергии единичного разряда, что позволяет считать напряжение на выходе накопителя неизменным. [16]
SDLC и HDLC после каждых пяти последовательных единичных разрядов сообщения вставляется нулевой разряд, так как последовательность 01111110 используется в качестве разделителя кадров. [17]
Напряжение пробоя и емкость контура характеризуют энергию единичного разряда - цуга. [18]
Интенсивность обработки - объем металла, удаляемый единичным разрядом, определяется мощностью, длительностью и формой последнего, химическим составом материала и средой. [19]
Амплитудный спектр импульсных разрядов на сферический электрод диаметром 10 мм. [20] |
На рис. 66 показана зависимость заряда, переносимого в единичном разряде, от расстояния между наэлектризованной поверхностью диэлектрического диска и заземленным шаром. Заряд, переносимый в разряде, линейно возрастает с увеличением расстояния между диэлектрической поверхностью и электродом. Электроду большего диаметра соответствуют большие величины заряда в разряде. Экспериментальные точки на кривых представляют собой средние арифметические значения эмпирических кривых распределения. [21]
Приближенные характеристики основных групп режимов при напряжении тока 100 в. [22] |
Количество металла / Иь расплавленного и снятого с обрабатываемой поверхности единичным разрядом, зависит от энергии Wj, выделяющейся между электродами Эи и Эз ( см. фиг. [23]
Приближенные характеристики основных групп режимов при напряжении тока 100 в. [24] |
Количество металла / Иь расплавленного и снятого с обрабатываемой поверхности единичным разрядом, зависит от энергии Wt, выделяющейся между электродами Эи и Эс ( см. фиг. [25]
Зависимость заряда Q, переносимого в единичном разряде, от длины I промежутка плоскость - шар. [26] |
На рис. 3 - 28 показана зависимость заряда, переносимого в единичном разряде, от расстояния между наэлектризованной поверхностью диэлектрического диска и заземленным шаром. Заряд, переносимый в разряде, линейно возрастает с увеличением расстояния между диэлектрической поверхностью и электродом. Электроду бблынего диаметра соответствуют большие величины заряда в разряде. [27]
Для контроля при передаче символа формируется восьмой контрольный разряд, дополняющий количество единичных разрядов в символе до нечетного. В МОЗУ или из МОЗУ передается семиразрядный, а от внешнего устройства или к внешнему - восьмиразрядный символ, который контролируется на нечетное количество единичных разрядов в нем. [28]
Регулируемые смещения электрода, восстанавливающие заданный зазор, должны следовать не за единичным разрядом, а определяться и отрабатываться после снятия некоторого слоя материала в результате воздействия на него серий разрядов ( вплоть до сотен и тысяч разрядов в зависимости от режима, площади, частоты и других условий), выступающих уже не индивидуально, а как статистический коллектив со своими особыми характеристиками, позволяющими по прошлому определять будущее, что, собственно, и должно являться основой автоматического регулирования процесса. Следовательно, регулирование по каждому импульсу физически неопределенно, наоборот, только анализ ситуации, созданной многими импульсами в прошлом, позволит определить необходимое поведение регулятора в будущем. [29]
А, и переносимый в землю заряд, Кл, во время к-го единичного разряда; / ср - средний ток многократной молнии, кА; Г - общий заряд многократной молнии, Кл; г - активное сопротивление проводника с учетом поверхностного эффекта. [30]