Единичный разряд

Cтраница 4

Эквивалентные схемы для анализа характеристик разрядов в газовом включении диэлектрика в переменном ( а и в постоянном ( б поле. [46]

Рассмотрим характеристики разрядов в плоской газовой прослойке толщиной Л2, расположенной между двумя слоями твердого диэлектрика суммарной толщиной AI - В работе [54], показано, что в результате единичного разряда изменяется плотность поверхностного заряда на поверхностях диэлектрика, прилегающих к газовой прослойке. Для упрощения расчета допустим, в соответствии с предположением 4, что такое изменение плотности заряда Aq2 одинаково по всей площади прослойки. [47]

Структура устройства для обработки двоичных векторов. [48]

Нечеткие дизъюнкция и конъюнкция ( обобщенные объединение и пересечение) заменяются поразрядными дизъюнкцией и конъюнкцией построенных векторов, нечеткое отрицание ( обобщенное дополнение) заменяется поразрядным отрицанием с последующим упорядочением результирующего вектора, состоящем в сдвиге единичных разрядов в крайние правые, а нулевых - в крайние левые позиции. [49]

Чистота поверхности определяется мощностью разряда. Единичный разряд вырывает из обрабатываемой поверхности частицу металла, оставляя на ней углубление в виде лунки, близкой к сферической. [50]

Он представляет собою небольшой ( весом 2 кг) агрегат, состоящий из сухой батареи ЗЗОЭВМЦГ-1000 или ГБ-300 и конденсатора емкостью 800 мкф. Единичный разряд такого конденсатора переносит достаточное количество вещества, чтобы можно было получить требуемый для анализа спектр. Анализ перенесенного на подставной электрод вещества может выполняться различными методами, в том числе посредством стилоскопа. Для построения градуировочных графиков необходимо отбирать пробы от соответствующих эталонов. [51]

Выражение 10 ( L2 - М) дает последовательные степе-пи 10, на которые делится К. В единичном разряде частного побывает последовательно каждая из цифр К, начиная слева. N увеличивается на единицу при каждом повторении цикла. [52]

Типичные осциллограммы единичного разряда для С 5 мкф при U нач 60, 100 и 140 в приведены соответственно на рис. IV. [53]

Поступление материала образца в зону разряда происходит из тонкого поверхностного слоя металла. После каждого единичного разряда конденсатора поверхность успевает охладиться, что хорошо иллюстрируется большим количеством кратеров с четко выраженными контурами, получающихся после обыскривания. [54]

Наименее обоснованным является четвертое предположение. Согласно [23], каждый единичный разряд захватывает не всю, а лишь небольшую часть поверхности газовой прослойки. Поэтому, как будет видно далее, экспериментально определенная частота следования разрядов пэксп обычно превышает расчетную прасч. [55]

Контроль четности, при котором контрольный разряд равен сумме по модулю 2 информационных разрядов. При этом общее число единичных разрядов четно. [56]

Схематическое изображение плоской газовой прослойки между двумя слоями твердого диэлектрика. [57]

Это означает, что при разряде происходит перенос заряда Д72 в таком направлении, что разность потенциалов на емкости с2, а следовательно и запасенная в с2 энергия уменьшаются. Таким образом, основные характеристики единичного разряда должны быть одинаковыми как в переменном, так и в постоянном электрическом поле. [58]

Эквивалентная схема участка твердого диэлектрика ( а и ионизационные характеристики бумажной изоляции ( б. [59]

Начальная стадия такого неполного самостоятельного разряда, сосредоточенного около электродов с большой кривизной, называется короной. В результате следующих друг за другом единичных разрядов в цепи высокочастотных колебаний появляются напряжения, которые захватывают широкий спектр частот порядка десятков, а иногда и тысяч килогерц. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5