Регулярное расположение - атом
Cтраница 1
Регулярное расположение атомов в кристалле вызывает дифракцию пучка падающих рентгеновских лучей. Получающаяся дифракционная картина может быть записана на фотопленке и проанализирована компьютером, и в результате можно получить очень точную информацию о положении атомов в кристалле. Таким путем можно установить детальную картину молекулы: ее общие размеры, а также точные длины связей и углы между связями. Этот метод известен как рентгеновская кристаллография или дифракция рентгеновских лучей. [1]
При регулярном расположении атомов в цепочке или в кристалле электронные энергетические уровни образуют зоны, заполненные электронами в соответствии с принципом Паули. У проводников ( металлов) свободная зона, зона проводимости, непосредственно примыкает к заполненной. У диэлектриков разность энергий заполненной и свободной зон весьма велика. Электронные полупроводники занимают промежуточное положение, у них расстояние между зонами имеет величину порядка тепловой энергии kT, и, следовательно, нагревание может сообщать полупроводнику электронную проводимость. [2]
Кристалл представляет собой регулярное расположение атомов в пространстве. Если мысленно представить себя движущимися внутри неподвижного кристалла, то мы увидим, что окружающая среда значительно меняется от точки к точке. [3]
 |
Дефекты кристаллических решеток. [4] |
Идеальные кристаллы характеризуются регулярным расположением атомов. Однако существующие в природе кристаллы не относятся к таковым, так как они имеют разнообразные нарушения регулярности кристаллической решетки, которые называют также дефектами кристаллической решетки или дефектами кристалла. [5]
 |
Донорные и акцепторные локализованные уровни ( а. Плотность состояний как функция энергии при слабом ( б и сильном ( в, ( г легировании. [6] |
Однако в отличие от регулярного расположения основных атомов решетки, примеси распределены по кристаллу хаотически. В пределах макроскопических объемов могут быть заметные флуктуации концентрации примеси, что приводит к флуктуации энергии электрона. Это служит дополнительным механизмом размытия уровней примесных атомов. [7]
 |
Рентгеновский интерферометр Бонзе - Харта.| Схема многослойных покрытий. в ], к, - диэлектрические проницаемости 1-го и 2-го материалов. [8] |
Дифракция ЖР-иалучения на совершенном кристалле благодаря регулярному расположению атомов крис-таллич. Это означает, что многократное рассеяние излучения на кристаллич, плоскостях сохраняет свои когерентные свойства, в результате чего амплитуда дифраги-ров. Интерференция дифрагированных и проходящей волн приводит к образованию результирующего волнового поля в кристалле, к-рое может быть представлено в виде суперпозиции волн, получивших назв. [9]
Под кристалличностью полимеров, как п любого другого вещества, понимают близкое и регулярное расположение атомов в кристаллической решетке. Молекулы полимера слишком велики и громоздки, чтобы образовать узлы решетки по типу ионов простых солей или небольших молекул фенола. Они построены из большого числа более или менее однородных сегментов или элементарных звеньев, связанных между собой, но обладающих в значительной мере самостоятельной подвижностью. Участки некоторых полимерных цепей могут поэтому быть распрямленными и плотно упакованными в кристаллические зоны или кристаллиты. Образование таких кристаллитов, их размер и количество оказывают большое влияние на физические свойства полимера. [10]
Однако этот автор дал только оценку, которая, как теперь выяснилось, привела его к неверному заключению о том, что тормозное излучение должно падать при очень больших энергиях из-за регулярного расположения атомов. [11]
Из графической зависимости концентрации кремнезема в растворе после 40 сут от числа адсорбированных молекулярных глоев Si02 ( данные Баумана, рис. 1.5 в) видно, что, вероятно, уже после второго слоя растворимость повышается, тогда как с увеличением числа слоев регулярное расположение атомов становится более разупорядоченным. [12]
 |
Рентгенограммы различных веществ. [13] |
Если в электронном микроскопе используется поглощение электронов для изучения внешней формы и размеров коллоидных частиц и макромолекул, то методы рентгенографии и электронографии при исследовании внутренней структуры коллоидных частиц и полимерных материалов основаны на дифракции рентгеновых лучей, или, соответственно, электронов. При регулярном расположении атомов, например в кристалле, интерференция рассеянных волн приводит к определенной системе дифракционных пятен. [14]
Если в электронном микроскопе используется поглощение электронов для изучения внешней формы и размеров коллоидных частиц и макромолекул, то методы рентгенографии и электронографии при исследовании внутренней структуры коллоидных частиц и полимерных материалов основаны на диффракции рентгеновых лучей, или, соответственно, электронов. При регулярном расположении атомов, например в кристалле, интерференция рассеянных волн приводит к определенной системе диффракционных пятен. [15]
Страницы: 1 2