Распределение - донор
Cтраница 1
Распределение доноров и акцепторов в га - и - областях, конечно, неравномерно, но поскольку Lp и Ln порядка единиц микрон, то в первом приближении эту неравномерность можно не учитывать. [1]
Изучено распределение доноров и акцепторов по глубине эпитаксиалышх слоев арсе-нида галлия, полученных методом жидкостной эпитасии из раствора галлия. Исследованные профили распределения сопоставляются с режимами выращивания, материалом и термообработкой подложки. Изучено влияние различных режимов подтравливания подложки на элетрофизические свойства слоев. Делается предположение о взаимосвязи фоновых акцепторных состояний с собственными дефектами. [2]
Поверхностные концентрации распределений доноров и акцепторов N scc, N sa и N san, N Sd принимаются на поверхности раздела равными соответственно Ns3C / 2 и Nan / 2, что подтверждается на практике, если учитывать общее время, нагрева / г-л - перехода при формировании эпитаксиальной пленки, изолирующего слоя диффузии, базы, эмиттера и усреднешше коэффициенты диффузии примесей скрытого слоя D и подложки D по температуре нагрева. [3]
 |
Профили распределения доноров Afd ( l и акцепторов Na ( 2 по толщине слоев.| Зависимость концентрации. [4] |
На рис. 1 приведено распределение доноров н акцепторов по толщине слоев, выращенных в различных температурных интервалах: ( 900 - 600), ( 850 - 600) и ( 800 - 600) С, на различных подложках без слива галлия с пленки. Наблюдается резкое возрастание концентрации и доноров, и акцепторов к подложке, начиная с толщины пленки 30 - 40 мкм. Отсутствие принципиального отличия в распределении центров в пленках на различных подложках говорит, по-видимому, о том, что характеристики переходного слоя не связаны с примесным фоном подложки. [5]
Температурная зависимость электрофизических параметров устанавливалась при последовательном стравливании тонких слоев, что позволило рассчитать распределение ионизированных доноров и акцепторов по толщине эпитаксиального слоя. [6]
Вычисление распределения интенсивностей в спектрах ДАП довольно сложно, поскольку для этого нужно знать распределения возбужденных доноров и акцепторов. Они зависят от соответствующих концентраций, а также от того, распределены ли примеси случайным образом или существует какое-то преимущественное образование пар. [7]
Напряженность этого поля определяется разностью потенциалов, приложенной к элементу, потоком фотонов, длиной волны света и характером распределения доноров и акцепторов вблизи перехода в CdS. [9]
При больших длинах увлечения распределение носителей в зоне становится почти однородным, а поле пространственного заряда, определяемое в основном распределением фотоионизированных доноров, оказывается смещенным на Фр - тг / 2 относительно интерференционной картины. Для записывающих пучков одинаковой частоты дифракционная эффективность решетки при этом только падает. [10]
Поскольку постоянная решетки GaP известна, можно вычислить относительное число донорно-акцепторных пар для заданного расстояния R между ними, предполагая, что распределение доноров и акцепторов является случайным. На рис. 7.5 показаны расчетные распределения для спектров типов I и II в GaP. На горизонтальной шкале указаны целые числа т, соответствующие номерам оболочек для соседних пар. [12]
В области d перекрытия объемные заряды складываются из зарядов доноров п акцепторов e ( N [ N l) и градиент концентрации заряда определяется суммой градиента распределения доноров и градиента распределения акцепторов. Переход, показанный на рис. 7.5, называют широким - его границы выходят за пределы однородного градиента концентрации. [13]
Определенное влияние на величину эффективного коэффициента распределения оказывает кристаллографическая ориентация плоскости подложки. Экспериментально установлено, что на плоскости ( III) В эффективные коэффициенты распределения доноров kD больше, а акцепторов kA меньше, чем на плоскости ( III) А. Ориентационная зависимость эффективных коэффициентов распределения в процессе жидкофазной эпитаксии, так же как и при выращивании объемных кристаллов, может быть объяснена различным характером адсорбции примеси на разным образом ориентированных плоскостях полупроводников. [15]
Страницы: 1 2