Cтраница 2
Шредингера), расстояния R между ионизованными примесями определяются структурой кристалла и постоянной решетки. Лучшим и наиболее тщательно исследованным примером ДАП являются спектры GaP. Так как это соединение - бинарное, существуют два различных способа распределения замещающих доноров и акцепторов в его подрешетках. [16]
Метод жидкостной эпнтаксии для получения пленок арсенида галлия привлекает в последнее время все возрастающее внимание. Сейчас имеется значительное число сообщений о получении этим методом пленок с низким содержанием ионизованных центров и соответственно с высокими значениями подвижности электронов. Однако таких сведений относительно пленок, полученных жидкостной эпитаксией, крайне мало. Имеется лишь одна довольно подробная недавно опубликованная работа Гробе и Залова [2], где приводятся профили распределения доноров и акцепторов в очень чистых пленках арсенида галлия. [17]