Cтраница 2
Знак а совпадает со знаком носителя заряда. [16]
Зная R, можно определить знак носителей заряда и оценить их концентрацию, что позволяет сделать заключение о кол-ве примесей в полупроводниках. Линейная зависимость R от Н используется для измерения напряженности магн. [17]
Экспериментально подвижности, концентрации и знак носителей заряда определяются гл. [18]
![]() |
Схема аппаратуры для измерения эффекта Холла и удельного сопротивления. [19] |
Знак напряжения Холла зависит от знака носителей зарядов. [20]
ЭДС на фронте УВ противоположен знаку носителей заряда. [21]
Знак постоянной Холла совпадает со знаком носителей заряда. Поэтому для образцов с электронной и дырочной проводимостью постоянная Холла имеет противоположные знаки. [22]
На совпадении знака а со знаком носителя заряда основан простейший способ определения типа проводимости, или знака носителя заряда, методом термозонда. На металлической пластине располагается исследуемый материал, к которому прижимается нагретый зонд, соединенный с пластиной через гальванометр. В контакте зонда с образцом температура повышается, концентрация носителей заряда возрастает, они диффундируют в глубь образца. [23]
Определив знак R, можно найти тем самым знак носителей заряда или тип проводимости. [24]
Различны также времена свободного пробега, а могут различаться знаки носителей заряда в обеих зонах. [25]
Прочная форма хемосорбции в зависимости от того, каков знак локализованного носителя заряда, может быть акцепторной ( л-тип) - захвачен электрон - или донорной ( р-тип) - захвачена дырка. [26]
Прочная форма хемосорбции в зависимости от того, каков знак локализованного носителя заряда, может быть акцепторной ( га-тип) - захвачен электрон - или донорной ( / 7-тип) - захвачена дырка. [27]
Из сказанного ясно, что направление поля Еу определяется знаком носителя заряда. Мы увидим также, что его величина непосредственно связана с числом носителей тока в единице объема. Оба указанных обстоятельства делают холл-эффект одним из важнейших методов изучения свойств металлов и, как это будет видно из дальнейшего, полупроводников. [28]
![]() |
Выходные ( а и входные ( б характеристики биполярного транзистора. [29] |
Принцип действия транзистора п-р-п-типа аналогичен, лишь направление токов, знаки носителей заряда и полярность приложенных напряжений противоположны тем, которые имеют место в рассмотренном p - n - р транзисторе. [30]