Знак - носитель - заряд
Cтраница 3
Выражение (49.55) показывает, что эффект Эттингсгаузена не зависит от знака носителей заряда, но зависит от механизма рассеяния. [31]
Возможны условия, при которых под действием поля, создаваемого потенциалом затвора, изменяется знак носителей заряда, преобладающих у поверхности. [32]
Дырочная проводимость возникает в результате движения вакансий электронов валентной зоны и эквивалентна проводимости положительных по знаку носителей заряда - дырок. [33]
На совпадении знака а со знаком носителя заряда основан простейший способ определения типа проводимости, или знака носителя заряда, методом термозонда. На металлической пластине располагается исследуемый материал, к которому прижимается нагретый зонд, соединенный с пластиной через гальванометр. В контакте зонда с образцом температура повышается, концентрация носителей заряда возрастает, они диффундируют в глубь образца. [34]
Мы видим, что коэффициент Холла обратно пропорционален концентрации носителей заряда и его знак совпадает со знаком носителей заряда. [35]
 |
Угол Холла в неограниченном ( о, б и ограниченном ( в, г полупроводниках ( а, в - n - тип. б, г-р-тип. [36] |
Другими словами, вектор будет повернут на угол ф относительно вектора Е, причем направление поворота зависит от знака носителей заряда ( рис. 62, а, б), именно в силу того, что и электроны, и дырки отклоняются в одну и ту же сторону. [37]
Таким образом, в зависимости от знака и значения внешнего напряжения поверхностная проводимость может уменьшаться, увеличиваться, а также менять знак носителей заряда. Изменение поверхностной проводимости полупроводника, являющегося составной частью МДП-структуры при изменении напряжения на ней называется эффектом поля. Это явление используется во многих фотоприемниках, содержащих такие структуры. [38]
 |
Конструкции МДП-транзисторов со встроенным ( а и инверсным ( б каналами и модель для расчета ( в. [39] |
Таким образом, в зависимости от знака и величины внешнего напряжения поверхностная проводимость может уменьшаться, увеличиваться, а также менять знак носителей заряда. [40]
Это выражение показывает, что коэффициент Холла R зависит сложным образом от магнитного поля, он обратно пропорционален концентрации носителей заряда и его знак совпадает со знаком носителей заряда. [41]
Сенсибилизованный фотоэффект в ZnO со спектральным максимумом 820 нм, принадлежащим коллоидальной форме фталоциа-нина Mg, не может быть отнесен к образованию слоя пигмента на ZuO, ган как наблюдаемый фотоэлектрический сигнал н 100 раз больше, чем для красителя, и, кроме того, знак носителей заряда - отрицательный. Итак, мы имеем дело с сенсибилизацией фотоэффекта в ZnO пигментом в коллоидальном состоянии, что известно также для некоторых фотографических сенсибилизаторов. [42]
Спектральное распределение фотоэффекта в этих слоях в точности воспроизводит максимумы спектра поглощения слоя. Для всех фталоцианинов знак носителей зарядов фототока, определяемый осциллографическим методом, был положительный. [43]
Эта возможность основана на том, что под влиянием неравномерного освещения внутри микрокристаллов образуется градиент концентрации свободных зарядов ( электронов, дырок) которые диффундируют в глубь микрокристаллов. В зависимости от знака носителя заряда ( электрон, дырка) и направления электрического поля наблюдается характерное изменение фотоэлектрической чувствительности, отражающее тип проводимости полупроводника. Такой дополнительный прием был использован нами и в данной работе. [44]
Изучение свойств полупроводника начинается по существу с определения знака и концентрации носителей заряда. Наиболее распространенным методом измерения концентрации и знака носителей заряда в проводнике является метод измерения напряжения Холла. Пусть по проводнику, имеющему форму прямоугольного параллелепипеда ( рис. 5.9), протекает электрический ток. [45]
Страницы: 1 2 3 4