Знак - основной носитель
Cтраница 1
Знак основных носителей может быть разный в разных частях спектра поглощения красителя. Более того, наличие адсорбированных или сорбированных газов может вызвать появление носителей зарядов разного знака, которые обнаруживались при измерении знака носителей фототока по всему спектру. В фотоэлектрически чувствительном хлорофилле или хлорофильных пленках появлялись, кроме преобладающих р-носителей, также тг-носители в районе более длинных волн, на краю спада основного пика поглощения. [1]
Если знак поверхностного заряда противоположен знаку основных носителей в высокоомной области, то напряженность поля у поверхности будет выше, переход у поверхности будет уже и пробой на поверхности произойдет при меньшем напряжении, чем это должно было бы иметь место для данного перехода, исходя из его объемных свойств. Уменьшение диэлектрической проницаемости среды у поверхности полупроводника усиливает этот эффект. [2]
Если знак поверхностного заряда противоположен знаку основных носителей тока в полупроводнике, то под его влиянием происходит притяжение к поверхности основных носителей тока и обогащение ими приповерхностного слоя. Такие слои называются обогащенными. [3]
Знак коэффициента Холла совпадает со знаком основных носителей тока в полупроводниках. Размерность постоянной Холла R, как видно из (5.39), равна L3 / q, где q - электрический заряд. В системе MKSM это означает ма / кулон. Поскольку п чаще всего выражают в слГ8, то и для R обычно берут единицы сма / кулон. Естественно, что, используя формулу (5.38), необходимо позаботиться о том, чтобы все величины были выражены в одних и тех же единицах. [4]
 |
Спектры поглощения и фотопроводимости антрацена 158 ]. / - фототок. 2 - константа поглощения. [5] |
Важным фактом является то, что знак основных носителей заряда обычно положителен. [6]
Если поверхностный заряд имеет знак, противоположный знаку основных носителей заряда в полупроводнике, то эти носители притягиваются к поверхности, образуя там обогащенный слой. Это может привести к уменьшению общей толщины области объемного заряда у поверхности и как следствие - к поверхностному пробою. [7]
УВ, причем знак диффундирующих зарядов совпадает со знаком основных носителей заряда в веществе при нормальных условиях. [8]
При высокой плотности поверхностного заряда, по знаку совпадающего со знаком основных носителей, расстояние от уровня Ферми до потолка валентной зоны в полупроводнике - типа оказывается меньше расстояния до дна зоны проводимости, вследствие чего концентрация неосновных носителей заряда ( дырок) у поверхности полупроводника становится выше концентрации основных носителей и тип проводимости этой области изменяется. [9]
При высокой плотности поверхностного заряда, по знаку совпадающего со знаком основных носителей тока, кривая электростатического потенциала 4я, соответствующая середине запрещенной зоны, может пересечь уровень Ферми и располагаться выше его в полупроводниках n - типа и ниже - в полупроводниках р-типа. В этом случае расстояние от уровня Ферми до потолка валентной зоны в полупроводнике tt - типа оказывается меньше расстояния до дна зоны проводимости, вследствие чего концентрация неосновных носителей тока ( дырок) у поверхности полупроводника будет выше концентрации основных носителей и тип проводимости этой области изменится. Это явление получило название инверсии, а слои, в которых оно наблюдается, называются инверсионными слоями. [10]
Расчеты и эксперимент показывают, что если знак поверхностного заряда совпадает со знаком основных носителей в более высокоомной области полупроводника, то напряженность поля в переходе у поверхности будет ниже, чем в объеме. [11]
Он связан с тем, что если поверхностный заряд имеет знак, противоположный знаку основных носителей в базе диода, то на поверхности базы образуется обогащенный слой. Из-за этого толщина р-п перехода у поверхности базы уменьшается, что может привести к пробою. [12]
Он имеет три р-п перехода, крайние из которых П1 и ПЗ работают в прямом направлении, так как знаки приложенного напряжения соответствуют знакам основных носителей областей, к которым приложено напряжение. Средний переход работает в обратном направлении, так как эти знаки противоположны. [13]
Если Х1 и у достаточно велико и отрицательно или если Х1 и у достаточно велико и положительно, то основной вклад в пространственный заряд обусловлен носителями, знак которых противоположен знаку основных носителей в объеме полупроводника. [14]
Диффузия носителей тока с фронта УВ ведет к объемному перераспределению зарядов во фронте УВ. Сущность этого явления заключается в динамическом электрон-фононном взаимодействии, т.е. в увлечении носителей тока фононами, поляризованными в направлении движения УВ, причем знак диффундирующих зарядов совпадает со знаком основных носителей заряда в веществе при нормальных условиях. [15]
Страницы: 1 2