Cтраница 2
Диффузия носителей тока с фронта УВ ведет к объемному перераспределению зарядов во фронте УВ. Сущность этого явления заключается в динамическом электрон-фононном взаимодействии, т.е. в увлечении носителей тока фононами, поляризованными в направлении движения У В, причем знак диффундирующих зарядов совпадает со знаком основных носителей заряда в веществе при нормальных условиях. [16]
Очень часто пробой развивается в местах выхода р-п перехода на поверхность кристалла. В полупроводнике всегда имеется поверхностный заряд, который может существенно исказить картину поля в р-п переходе, увеличивая или уменьшая ширину перехода. Если знак заряда на поверхности совпадает со знаком основных носителей базы, напряженность поля в переходе у поверхности будет ниже, чем в объеме. [17]
Очень часто пробой развивается в местах выхода р-п перехода на поверхность кристалла. В полупроводнике всегда имеется поверхностный заряд, который может существенно исказить картину поля в р-п переходе, увеличивая или уменьшая ширину перехода. Если знак заряда на поверхности совпадает со знаком основных носителей базы, напряженность поля в переходе у поверхности будет ниже, чем в объеме. Если же знак поверхностного заряда противоположен знаку основных носителей базы, р-п переход у поверхности сужается, и вероятность поверхностного пробоя увеличивается. [18]