Равномерное распределение - заряд
Cтраница 3
Если же диэлектрик занимает часть поля, то заряды на обкладках, вследствие взаимодействия с зарядами, появившимися на поверхности диэлектрика, будут перемещаться в сторону диэлектрика, и поэтому равномерное распределение зарядов вдоль обкладок конденсатора нарушится. [31]
При Z 137 это выражение теряет смысл. Для ядра с равномерным распределением заряда и с обычной плотностью при Z Zc 170 [2, 3] энергия со0 - 1 и наступает рассмотренная выше неустойчивость вакуума относительно рождения пар. [32]
Полученные зависимости объясняют изменение направления тока при деполяризации. В пределах облаков полагают равномерное распределение зарядов, многократный перезахват и высокую вероятность рекомбинации. [33]
Изменятся ли эти величины, если нарушить равномерное распределение заряда по кольцу. [34]
Поле создано зарядом, распределенным по тонкому кольцу заданного радиуса. Оно не обладает достаточной симметрией даже при равномерном распределении заряда ( нельзя указать точную конфигурацию силовых линий), поэтому для расчета напряженности и потенциала поля можно использовать только принцип суперпозиции. [35]
Электрическое декорирование - выявление электрически заряженных участков поверхности путем осаждения на них противоположно заряженных частиц, обычно частиц коллоидных растворов. Таким способом, в частности, было показано равномерное распределение заряда по длине коллоидных нитевидных частиц пятиокиси ванадия ( см. [ 3, стр. [36]
Решение, Как известно, заряды в проводнике распределяются так, что все его точки приобретают одинаковый потенциал. Уединенному шару, потенциал которого определяется формулой (11.10), соответствует равномерное распределение зарядов по его поверхности. В данном случае, взаимно притягиваясь, заряды шаров распределяются преимущественно на тех сторонах шаров, которыми они обращены друг к другу, вследствие чего изменится электрическое поле в пространстве вокруг шаров. Поэтому, согласно формуле (11.5), изменится также разность потенциалов между шарами и точное решение задачи оказывается связанным со значительными математическими трудностями. [37]
Симбатное с ц уменьшение АЕ свидетельствует о том, что причиной недооценки устойчивости 2 ыс-конформации 1 2-дифторэтилена является электростатическое отталкивание между двумя атомами фтора. Расширение базиса и включение d - функций, приводящее к равномерному распределению заряда, одновременно увеличивает и относительный вклад стабилизирующего невалентного взаимодействия, на что указывает проведенный в работе [84] анализ за-селенностей перекрывания между атомами F-F. В результате только в расширенном базисе STO-6 - 311G, включающем поляризационные rf - функции, удается качественно верно описать относительную устойчивость цис - и ГуОанс-конформаций 1 2-дифторэтилена. [38]
Как показал уже Артман на простой модели, объемные состояния в конечном кристалле имеют неодинаковую амплитуду соответствующих волновых функций у края кристалла. Электроны в поверхностных состояниях как раз и компенсируют эти отклонения от равномерного распределения заряда. Аналогичное положение имеет место при хемо-сорбции. Поэтому вопрос о связи поверхностного заряда с поверхностными состояниями является не простым. Несмотря на то, что этот вопрос не решен окончательно, возможно, что в обычных обсуждениях экспериментальных результатов недооценивается число поверхностных состояний. [39]
В классической динамике для электрически нейтральных систем также возможно на короткое время отклонение от равномерного распределения заряда за счет тепловых колебаний. Однако при абсолютном нуле температуры всякое движение отсутствует, что должно приводить к 4 0 и к отсутствию сил Ван-дер - Ваальса. В свою очередь, в квантовой динамике в основном состоянии средние значения дипольного момента ( с /) также равны нулю. Таким образом, возможность сближения и кристаллизации ряда веществ, в частности инертных газов, ярко демонстрирует существование нулевых колебаний, что на макроскопическом уровне подтверждает фундаментальную роль принципа неопределенности. [40]
 |
Стоячие волны в на-тянутой струне. [41] |
Подставляя значение X из уравнения ( 5) в уравнение ( 7), получают условие ( 3), постулированное, но не доказанное Бором, которое является, таким образом, естественным следствием волнового движения электрона. Второй постулат Бора, касающийся отсутствия излучения у движущегося электрона, также легко объяснить новой теорией, предсказывающей ( как будет показано ниже) равномерное распределение заряда по орбите как следствие кратности де-бройлевской волны длине орбиты, в то время как излучение энергии требует наличия дипольного момента, изменяющегося во времени. [42]
Электрическое поле в частично заполненных наэлектризованной жидкостью прямоугольных резервуарах с учетом динамики накопления и релаксации поверхностных зарядов. В ходе экспериментальных исследований электрических полей при заполнении резервуаров наэлектризованными жидкостями было замечено, что в ряде случаев после окончания налива электрическое поле в паровоздушном пространстве спадает более медленно, чем это должно было бы быть при равномерном распределении заряда в объеме жидкости. [43]
Сферическая поверхность радиуса R с общим зарядом Q заряжена равномерно с поверхностной плотностью а. Благодаря равномерному распределению заряда по поверхности поле, создаваемое им, обладает сферической симметрией. [44]
Имеются уравнения, позволяющие рассчитывать: Wei для случая дискретных зарядов, расположенных на эллипсоиде17 18, но этими уравнениями никогда не пользовались для численных вычислений. Эллипсоиды с равномерным распределением зарядов также не рассмотрены в литературе. [45]
Страницы: 1 2 3 4