Спектральное распределение - фотопроводимость
Cтраница 1
 |
Распределение внутреннего фотоэффекта в слоях. [1] |
Спектральное распределение фотопроводимости также представляется в искаженном виде. В зависимости от толщины освещаемого слоя соотношение между падающим на поверхность и поглощенным числом фотонов для разных участков. [2]
Спектральное распределение фотопроводимости также представляется в искаженном виде. В зависимости от толщины освещаемого слоя соотношение между падающим на поверхность и поглощенным числом фотонов для разных участков спектра окажется различным. В толстых слоях поглощается значительное количество слабо поглощаемого света, тогда как сильно поглощаемые длины волн задерживаются в тонком внешнем слое и вовсе не проникают в глубь. [3]
Спектры поглощения и спектральные распределения фотопроводимости в некоторых полупроводниках показаны на рис. 10.3. На этом рисунке показано, что зависимость фотопроводимости от энергии излучения имеет максимум при энергии, несколько большей энергии ширины запрещенной зоны полупроводника, при которой происходит резкий рост коэффициента поглощения. [4]
Получены данные о спектральном распределении фотопроводимости. Максимум фоточувствительности TISe лежит в области 1 55 - 1 6 мк. Ширина запрещенной зоны TISe, по этим измерениям, равна 0 65 эв, что выше значения Еа 0 56 эв, полученного на основании измерений электрических свойств. Прогрев порошков увеличивает фоточувствительность TISe в 50 - 100 раз и сдвигает максимум фоточувствительности в длинноволновую область спектра. Кристаллы TISe обнаруживают сильную анизотропию, что затрудняет изменение величины некоторых свойств в направлении, перпендикулярном слою. По данным работы [28], основной край полосы поглощения TISe лежит в ИК-области и Ее - 0 8 эв. [5]
Получены данные о спектральном распределении фотопроводимости. Максимум фоточувствительности TISe лежит в области 1 55 - 1 6 мк. Ширина запрещенной зоны TISe, по этим измерениям, равна 0 65 эв, что выше значения Ее - 0 56 эв, полученного на основании измерений электрических свойств. Прогрев порошков увеличивает фоточувствительность TISe в 50 - 100 раз и сдвигает максимум фоточувствительности в длинноволновую область спектра. Кристаллы TISe обнаруживают сильную анизотропию, что затрудняет изменение величины некоторых свойств в направлении, перпендикулярном слою. По данным работы [28], основной край полосы поглощения TISe лежит в ИК-области и Eg 0 8 эв. [6]
Таким образом, по спектральному распределению фотопроводимости можно определить диффузионную длину и скорость говерхностной рекомбинации, если коэффициент диффузии неосновных носителей заряда известен. Нужно отметить, что в выражение (4.17) не входит скорость генерации неравновесных носителей зраяда, а потому фотопроводимость выражают в относительных единицах. [8]
Влияние вводимых добавок на характер спектрального распределения фотопроводимости в селенидах мышьяка зависит от химической природы вводимого элемента. Так, для стеклообразных сплавов AsSei5 и AsSe4 максимумы фотопроводимости на кривых спектрального распределения при введении таллия смещаются в область А, 1 12 и 1 15 мк соответственно. Наиболее заметное влияние оказывают первые, небольшие добавки таллия. [9]
 |
Спектральное распределение фотопроводимости слоев фталоцианина одинаковой толщины.| Спектральная [ зависимость фотопроводимости антрацена. [10] |
По фотоэлектрической чувствительности и по спектральному распределению фотопроводимости все тонкие слои были близки друг другу. [11]
Ширина запрещенной зоны двуокиси титана, полученная по кривой спектрального распределения фотопроводимости при комнатной температуре, равна 3 05 эв. Термическая ширина запрещенной зоны выше 1200 К составляет 3 67 эв. Большая ширина запрещенной зоны позволяет изготовлять диоды из ТЮ2, устойчиво работающие при высоких температурах. [12]
 |
Сплав состава 30 % InAs, 70 % InSb после зонного выравнивания ( увеличено в 120 раз. [13] |
На образцах, полученных методом зонного выравнивания, были измерены спектральное распределение фотопроводимости, концентрация носителей тока и проводимость. Рассчитана ширина запретной зоны ( АЕ), значения которой приводятся в таблице. [14]
 |
Фигуры роста на поверхности кристаллов ZnTe-CdTe, выращенных из газовой фазы ( 1 - ув. Х150. 2, 3 - ув. ХбО. [15] |
Страницы: 1 2