Спектральное распределение - фотопроводимость
Cтраница 2
Термообработка кристаллов ZnTe-CdTe, особенно прогрев в парах Cd и Zn, также сильно влияет на величину и спектральное распределение фотопроводимости. При определенных режимах термообработки проявляется эффект отрицательной фотопроводимости ( ОФП), связанный, по-видимому, с возникновением некоторых локальных уровней ( собственных структурных дефектов) в наиболее благоприятных концентрациях. [16]
Отметим, что спектральное распределение нестационарной фото - ЭДС в длинноволновой области, как и следовало ожидать, совпадает со спектральным распределением фотопроводимости. [17]
 |
Средний атомный номер и ширина запрещенной зоны соединений тн па. [18] |
Следует отметить, что сульфид свинца лишь в моно - или поликристаллическом виде обладает положительным коэффициентом а; проведенные нами измерения пропускания полученной методом химического осаждения пленки толщиной 0 3 мк показали смещение края собственного поглощения в коротковолновую область при охлаждении до 77 К, хотя точка пересечения соответствующей прямым переходам линии ( / ( / zv) 2 / l ( / zv - Eg) с осью энергий фотонов по-прежнему отвечала Eg 1 1 эв; при этом кривая спектрального распределения фотопроводимости смещалась в длинноволновую область. Этот эффект может быть связан с поверхностными явлениями или с особенностями зонной структуры материала и требует дальнейшего изучения. [19]
В системе As-Se - Т1 для стекол составов AsSe Tlx и АзЗеДЧж проведено изучение влияния таллия на фотопроводимость. Исследование спектрального распределения фотопроводимости стеклообразных сплавов Аз5еж ( 0 8 x 2 5) на постоянном токе в области Я0 5 - - 1 1 мк показало, что максимум фотопроводимости лежит при А 0 82 - 0 87 мк. Увеличение содержания селена в сплавах Аз8еж незначительно влияет на характер спектрального распределения фотопроводимости. [20]
Частота соответствует так называемой красной границе фотоэффекта. Она определяется из спектрального распределения фотопроводимости; зная ее, можно определить работу выхода. Однако в применении к полупроводникам метод весьма неточен, так как тепловое движение обычно достаточно сильно размывает границу. [21]
Частота) 0 соответствует так называемой красной границе фотоэффекта. Она определяется из спектрального распределения фотопроводимости; зная ее, можно определить работу выхода. Однако в применении к полупроводникам метод весьма неточен, так как тепловое движение обычно достаточно сильно размывает границу. [22]
В ней впервые показано, что фотопроводимость полупроводника строго пропорциональна числу поглощенных фотонов, а форма спектральных кривых и положение максимума фотопроводимости зависят от толщины образца. Объяснена причина различия спектрального распределения фотопроводимости закиси меди и спектрального распределения вентильного фотоэффекта в меднозакисных вентильных фотоэлементах. [23]
Сернистый, селенистый и теллуристый свинец дают слои, фоточувствительные в далекой инфракрасной области спектра. Большое влияние на величину и спектральное распределение фотопроводимости оказывает поглощение кислорода слоями этих веществ. [24]
Так же как и кремний, германий прозрачен в инфракрасной области. При длинах волн менее 1 8 мк германий поглощает, особенно сильно в видимой части спектра. Сопоставление кривой спектрального распределения фотопроводимости германия с кривой оптического поглощения показывает, что максимум фотопроводимости совпадает с той длиной волн, начиная с которой коэффициент поглощения сильно падает. [25]
На рис. 29 даны кривые спектрального распределения фотопроводимости образцов In2S3, легированных хлором и марганцем, а также хлором и мышьяком. [26]
В системе As-Se - Т1 для стекол составов AsSe Tlx и АзЗеДЧж проведено изучение влияния таллия на фотопроводимость. Исследование спектрального распределения фотопроводимости стеклообразных сплавов Аз5еж ( 0 8 x 2 5) на постоянном токе в области Я0 5 - - 1 1 мк показало, что максимум фотопроводимости лежит при А 0 82 - 0 87 мк. Увеличение содержания селена в сплавах Аз8еж незначительно влияет на характер спектрального распределения фотопроводимости. [27]
Экспериментальные исследования фотопроводимости на кремнии, арсениде галлия и германии, проведенные в условиях больших приповерхностных изгибов энергетических зон, позволили определить ряд особенностей характеристик фотопроводимости этих материалов. Большие изгибы энергетических зон возникают при некоторых обработках поверхности, воздействии электрического поля ( эффект поля), а также при поляризации в электролите. В последнем случае приповерхностный изгиб зон, например для кремния и германия, может быть в несколько раз больше ширины запрещенной зоны. В соответствии с рис. 4.4 при большом изгибе зон спектральное распределение фотопроводимости кремния значительно изменяется: в коротковолновой области спектра появляется новый максимум, который превосходит обычный максимум на краю собственного поглощения. При этом электрическое поле объемного заряда препятствует притоку к поверхности основных носителей заряда, ограничивая интенсивность процессов рекомбинации на поверхности. Одновременно с этим происходит снижение интенсивности объемной рекомбинации в приповерхностной области объемного заряда. Эти процессы увеличивают эффектней эе время жизни носителей заряда по сравнению с его значением в условиях электронейтральности; они влияют на характеристики фотопроводимости полупроводника. [28]
Как было показано Лоферским [125], поглощение монокристаллов теллура также обнаруживает интересный эффект дихроизма: положение края основной полосы поглощения зависит от направления плоскости поляризации. Термической энергии активации должно было бы соответствовать скорее первое, чем второе значение, так как оно меньше второго. Однако, как мы видели, опыт показывает, что термическая энергия активации оказывается более близкой к большей из этих величин, и до сих пор нет еще удовлетворительного объяснения этому расхождению. Кривая спектрального распределения фотопроводимости имеет два пика, которые почти точно соответствуют двум краям поглощения. [29]
В системе As-Se - Т1 для стекол составов AsSe Tlx и АзЗеДЧж проведено изучение влияния таллия на фотопроводимость. Исследование спектрального распределения фотопроводимости стеклообразных сплавов Аз5еж ( 0 8 x 2 5) на постоянном токе в области Я0 5 - - 1 1 мк показало, что максимум фотопроводимости лежит при А 0 82 - 0 87 мк. Увеличение содержания селена в сплавах Аз8еж незначительно влияет на характер спектрального распределения фотопроводимости. Энергия ионизации в стеклах AsSex, вычисленная по спектральному распределению фотопроводимости, изменяется с составом в узких пределах. [30]
Страницы: 1 2