Cтраница 5
Третий и последний шаг в процессе адаптации заключается в конкретном регулировании системы для оптимизации ее работы. Общий процесс может быть охарактеризован как изменение сигнала в соответствии с управляющим воздействием, так как задача системы заключается в уменьшении ошибки или изменении управляющего сигнала для достижения оптимального процесса. Это может быть выполнено двумя способами. Первый способ называется параметрическим регулированием. Он заключается в прямом распространении обычных методов, при которых проектируется фиксированный компенсатор, оптимизирующий некоторые показатели работы системы для определенных условий. В адаптивной системе параметры регулируются самой системой с таким расчетом, чтобы обеспечить ее нормальную работу при изменяющихся условиях. Более общим и более совершенным методом является синтез системы по управляющему сигналу. Понятно, что адаптивное управление осуществляется с таким расчетом, чтобы обеспечить сигнал т, который заставил бы объект регулирования работать в оптимальных условиях, причем регулирование параметров последовательной коррекции является искусственным ограничением, наличие которого можно объяснить только традицией. [61]
Вероятно, консервативное выращивание из раствора удобнее всего вести по схеме, показанной на фиг. В данном случае пересыщение достигается медленным охлаждением раствора. Для предотвращения спонтанного зародышеобразования полезно ( но не обязательно) затравку поддерживать при более низкой температуре, чем раствор. Распределение примеси можно рассчитать непосредственно методами, выведенными для консервативного роста, но с учетом того, что температура кристаллизации меняется по мере осаждения растворенного вещества на кристалле. Изменение температуры кристаллизации приводит к изменению константы fto и, следовательно, делает невозможным прямое распространение уравнений и графиков, описывающих однокомпо-нентный консервативный рост, на консервативное выращивание из многокомпонентной системы. Однако часто либо константа ko слабо зависит от температуры, либо интервал охлаждения незначителен. [62]
Простейшие укрытия ( рис. 7.13) обеспечивают массовую защиту населения от воздействия УВВ, обломков строений, светового излучения. Они ослабляют воздействие проникающей радиации и РЗ. Для защиты от ОВ применяются СИЗ. Примером простейших укрытий может быть щель, траншея, разного рода землянки, приспособленные подвалы. Участки щели длиной до 10 м роются под разными углами ( обычно под углом 90) друг к другу, что спасает от прямого распространения по ней ударной волны. Длина щели определяется количеством укрываемых в ней людей. Перекрытие щели делают из бревен диаметром до 20 см, брусьев, плит. Обеспечивается гидроизоляция ( рубероид, синтетическая пленка, глина), а также дренаж, отводная канава и буртики для предохранения от затекания зажигательной смеси. Сверху производится засыпка грунтом ( толщиной 80 см) и дернование. [63]