Высокочастотное распыление

Cтраница 1

Высокочастотное распыление удобнее выполнять по трехэлектродной схеме, так как в двухэлектродной схеме в полупериод положительного потенциала на катоде имеет место распыление анода и пленки на подложке. [1]

Различают низкочастотное и высокочастотное распыление. Первое относится к диапазону частот в десятки кгц; оно обладает относит, большой производительностью п практнч. Механизм распыления связан с образованием поверхностных волн большой амплитуды, от гребней к-рых отрываются маленькие капельки. Высокочастотное распыление осуществляется в ультразвуковом фонтане и имеет кавитациониый характер. [2]

Устройства высокочастотного распыления не всегда строятся по. Распространены более простые двухэлектрод-ные установки типа представленной на рис. 2.13, где на мишень / подают высокочастотное напряжение, вызывающее высокочастотный разряд. В нем может быть получена высокая концентрация ионов даже при низком давлении газа, характерном для ионно-плазменного напыления. Это объясняется тем, что период высокочастотного напряжения меньше времени пролета электронов от подложек до мишени и они долго находятся в средней части разрядного пространства, совершая колебательные движения и эффективно ионизируя газ. Для увеличения длины пути электронов и концентрации генерируемых ими ионов прикладывают магнитное поле, направленное по оси разряда. [3]

Температурная зависимость диэлектрической проницаемости оксидов со слоистой. [4]

Методом реактивного катодного высокочастотного распыления выращиваются в кислородной среде эпитаксиальные пленки на подложках из монокристаллов MgAbCU, близкие по свойствам к монокристаллам. [5]

При высокочастотном распылении диэлектрик непосредственно переносится с катода на подложку. [6]

При высокочастотном распылении нет необходимости нагревать подложки, так как наивысшая скорость осаждения при высокочастотном распылении достигается при температуре подложки, равной 40 С. [7]

Широкое применение нашли модифицированные системы высокочастотного распыления, в которых источником ионов является плазма высокочастотного разряда. [8]

Для распыления диэлектриков применяется так называемое высокочастотное распыление, при котором потенциал прикладывается к проводящему электроду, находящемуся за непроводящей мишенью. [9]

Схема высокочастотного плазмотрона для распыления диэлектриков.| Схема рабочего узла электродинамического плазменного ускорителя. / - вакуумная камера. 3-к конденсаторной батарее и высоковольтному выпрямителю. 3 - центральный стержневой электрод. 4-наружный цилиндрический электрод. 5 -металлизируемая деталь. [10]

Имеются возможности получать диэлектрические пленки методом вакуумного высокочастотного распыления на установке диодного типа при горизонтально расположенной мишени. [11]

Для получения пленок диэлектриков и полупроводников применяют высокочастотное распыление. Оно позволяет проводить катодное распыление при пониженных давлениях и повышает скорость осаждения. [12]

Для получения пленок диэлектриков и полупроводников применяют высокочастотное распыление, так как в диодных системах на постоянном токе поверхность катода заряжается положительными ионами и дальнейшая бомбардировка катода прекращается. Поэтому распыление проводят при переменном ВЧ напряжении. При отрицательной полуволне напряжения на диэлектрическом катоде происходит обычное катодное распыление, при положительной полуволне напряжения накопленный на катоде положительный заряд нейтрализуется вытягиваемыми из плазмы электронами. [13]

В последнее время ведутся интенсивные исследования метода высокочастотного распыления по трехэлектродной системе. Получены положительные результаты по распылению кварца и других материалов. [14]

Тоикопленочные диэлектрики на основе окислов, полученных высокочастотным распылением. [15]

Страницы: 1 2 3 4