Высокочастотное распыление

Cтраница 2

Как при ионно-плазменном, так и при высокочастотном распылении в разрядном промежутке наводится магнитное поле. Под его воздействием электроны двигаются вдоль силовых линий; при этом увеличивается вероятность ионизации молекул рабочего газа, возрастает ионный ток и увеличивается скорость распыления. Правда, воздействие магнитного поля приводит к некоторой неравномерности плотности ионов, и, как следствие, к неоднородности пленок по толщине. [16]

Одной из основных разновидностей методов катодного распыления является высокочастотное распыление, которое используется главным образом для получения диэлектрических пленок. Этот метод позволяет нейтрализовать заряд, который накапливается на диэлектрике в результате его бомбардировки ионами, и обеспечить интенсивное распыление диэлектрика. [17]

Внутрикамерная технологическая оснастка установки УВН-62-1. [18]

Установка УВН-62П-3 предназначена для нанесения диэлектрических пленок способом высокочастотного распыления в вакууме на полупроводниковые или ситалловые подложки. Управление технологическим процессом распыления обеспечивается в ручном режиме. Откачка внутрикамерного устройства происходит в ручном или автоматическом режиме. За один вакуумный цикл наносится пленка на 98 полупроводниковых подложек диаметром до 60 мм или ситалловых подложек размером 60x48x0 5 мм. [19]

Установка для высокочастотного распыления диэлектриков. [20]

На рис. 1 - 8 показана основная часть установки для высокочастотного распыления диэлектриков. На этой установке диэлектрик бомбардируется поочередно ионами и электронами тлеющего разряда, возникающего в газе при воздействии на него высокочастотного поля. Ионы выбивают из диэлектрика молекулы, которые затем осаждаются на подложке. Электроны предотвращают образование на подложке положительных зарядов. Образование электронов и ионов происходит в заполненном аргоном пространстве, окружающем диэлектрик, который служит материалом для осаждения. [21]

Для получения таких пленок используют анодирование, термовакуумное напыление, реактивное ц высокочастотное распыление. [22]

Так, для изготовления диэлектрических пленок в 1962 году была предложена система высокочастотного распыления, особенностью которой является попеременная бомбардировка мишени ионами и электронами. При ионной бомбардировке осуществляется распыление диэлектрической мишени, а накапливающийся на ней положительный заряд нейтрализуется электронами во второй полупериод приложенного напряжения. [23]

Точки 1 относятся к результатам для пленок Si: H, полученных высокочастотным распылением ( ВЧР) в смеси газов Аи Н2 с водоохлаждае-мой подложкой, а точки 2 характеризуют те же пленки, но с температурой подложки 250 С. Быстрое уменьшение спиновой плотности с увеличением содержания Н происходит благодаря повышению гибкости жесткой структуры аморфного кремния с координационным числом 4 за счет введения водорода с координационным числом 1, о чем упоминалось выше. [24]

Существуют два метода вакуумного осаждения стекол - реактивное распыление на постоянном - токе и высокочастотное распыление. [25]

При высокочастотном распылении нет необходимости нагревать подложки, так как наивысшая скорость осаждения при высокочастотном распылении достигается при температуре подложки, равной 40 С. [26]

В процессе дискуссии на конференции по тонким пленкам ( Бостон, 1969 г.) было установлено, что пленки, полученные методом высокочастотного распыления имеют включения ионов инертного газа. [27]

В тонкопленочной технологии используются различные технологические методы нанесения тонкопленочных структур: термовакуумное напыление, катодное распыление, реактивное распыление в среде остаточных молекул реактивного газа, ионноплаз-менное распыление, высокочастотное распыление. [28]

Третий вариант многослойной коммутации предполагает использование для верхнего и нижнего слоев коммутации алюминия, осажденного термическим вакуумным испарением, а для изоляции - слой SiO2 толщиной 1 5 - 2 мкм, полученный методом высокочастотного распыления при температуре подложки 100 С. [29]

Зависимость коэффициента распыления никеля, молибдена, вольфрама и платины от угла падения ( относительно нормали к поверхности мишени ионов ртути с энергией 200 эВ. [30]

Страницы: 1 2 3 4