Реактивное катодное распыление

Cтраница 1

Реактивное катодное распыление осуществляется с помощью либо реакции на катоде с последующим переносом образованного соединения на подложку, либо реакции окружающего газа с пленкой по мере нанесения последней на подложку. Используются также комбинации этих методов. Реактивное распыление не обязательно проводить в атмосфере чистого активного газа. [1]

Реактивное катодное распыление представляет процесс, в котором происходит вырывание атомов или частиц металлической мишени под действием бомбардировки ионами относительно высоких энергий в присутствии кислорода. Кислород реагирует с частицами напыляемого металла, образуя окислы. Сивклэром [68] таким способом были получены пленки из двуокиси кремния, окиси алюминия и из алюмосиликатов. [2]

Реактивное катодное распыление позволяет не только получать разнообразные по составу пленки, но и управлять ее свойствами, например удельным сопротивлением. [3]

Сема подколпачного устройства установки УВН-62П-1. [4]

Применение реактивного катодного распыления облегчает задачу автоматизации процесса при получении многослойных сплошных пленок. Переход от одного типа пленки к другому связан лишь со сменой реактивного газа. В частности пассивная часть гибридной пленочной микросхемы, содержащая л шь резисторы, может быть получена с помощью реактивного катодного распыления в виде двухслойной системы резистивный слой - проводящий слой и последующей двухэтажной фотолитографии. [5]

При реактивном катодном распылении в камеру вводят небольшое количество газа, способного образовывать химические соединения с распыляемым материалом. [6]

Пленки SiO2, полученные реактивным катодным распылением, обладают хорошими механическими свойствами. Они имеют гладкую поверхность и хорошую адгезию к подложке. В пленках обычно наблюдаются напряжения сжатия, зависящие от температуры подложки и объясняемые различием коэффициентов расширения подложки и пленки. По сообщениям, при изготовлении конденсаторов на подложках из кремния с использованием пленки SiO2 толщиной 2 мкм, полученной ВЧ распылением, был обеспечен хороший выход годных изделий. Другие диэлектрические свойства пленок SiO2, полученных ВЧ распылением, - диэлектрическая постоянная и величина потерь, совпадают со свойствами пленок SiO2, полученных реактивным распылением. [7]

В отличие от обычного физического реактивное катодное распыление производится в тлеющем разряде смеси инертного и активного газов. Частицы распыляемого катода химически взаимодействуют с активным газом или образуют с ним твердые растворы, и новое вещество поступает на подложки. Так, для получения оксидных пленок распыление проводят в плазме аргон-кислород, нитридных - в плазме аргон-азот, карбидных - в плазме аргон - угарный газ или аргон-метан. [8]

Зависимость электрических свойств танталовых пленок, получаемых реактивным катодным распылением, различна для разных систем. Причина этого заключается в том, что количество реактивного газа, вступающего в реакцию с танталом, зависит не только от парциального давления газа, но также и от скорости катодного распыления тантала, скорости откачки вакуумного объема и наличия других газов в системе. Благодаря различиям между системами катодного распыления трудно дать точные рекомендации по осаждению танталовых пленок с заданными свойствами. [9]

Изолирующие пленки получают многими методами: термическим окислением, вакуумным осаждением, реактивным и катодным распылением. В обзоре Пэшли [1] представлена информация по эпитаксиальному росту окисных пленок, получаемых методом термического окисления металлов, таких как Ni, Cu, Fe, Zn и Cd. Колинз и Хэвенс [79] подробно изучили процесс эпитаксиального выращивания окисной пленки на каменной соли методом окисления Ni, Co и Fe. Как следует из этих экспериментов, расхождение параметров решеток подложки-и пленки в основном имеет меньшее значение, чем правильное расположение атомов в первом слое. Во всех растущих окисных пленках эпитаксия имеет место в пределах нескольких молекулярных слоев, вырождаясь впоследствии в поликристаллическую фазу. [10]

При термическом испарении в вакууме 1 3 - 10 - 2 - - 1 3 - 10 - 3 Па, а также при реактивном катодном распылении происходит заметное окисление Сг и Si. В частности, появляются окислы SiO и SiO2, пленки которых обычно образуют прослойки между зернами с более высокой электропроводностью. [11]

Для катодного распыления проблема загрязнения пленок примесями из окружающей среды является особенно острой, поскольку ионизация некоторой части атомов примеси делает их гораздо более химически активными по сравнению с соответствующими нейтральными атомами. Такой процесс называется реактивным катодным распылением. [12]

Недостаток метода состоит в том, что нельзя осуществить работу при низком вакууме. Таким способом могут быть получены пленки тугоплавких металлов тантала, вольфрама, молибдена и их окислов. Иногда применяют совмещенный метод - реактивное катодное распыление, когда при осаждении на подложку происходит химическая реакция. [13]

При изготовлении гибридных интегральных схем СВЧ ( ГИССВЧ) активные приборы ( транзисторы, диоды) выполняются в виде навесных элементов и присоединяются к проводникам пассивных пленочных цепей. Пассивные элементы ГИССВЧ: конденсаторы, индуктивности, резисторы - изготовляются на общей подложке и могут быть как распределенными, так и сосредоточенными. Для изготовления пассивных элементов используется реактивное катодное распыление на постоянном токе с осаждением на всю подложку с последующим гальваническим наращиванием или избриательным травлением. [14]

Изготовление тонкопленочных элементов методом термовакуумного напыления через отделяемую маску.| Трехэлектродная установка катодного распыления. [15]

Страницы: 1 2