Реактивное катодное распыление

Cтраница 2

Метод ионной бомбардировки позволяет получить пленки самых различных материалов: проводников, полупроводников, диэлектриков, тугоплавких металлов и многокомпонентных материалов. Этим методом можно также получать пленки, являющиеся соединениями распыляемого материала - с введенными под колпак газами. Эта разновидность метода катодного распыления называется реактивным катодным распылением. [16]

Однако, так как диэлектрическая постоянная массивного Si3N4 ( в 9 4) выше, чем у SiO ( e 6) и SiO2 ( e 3 8), пленки нитрида кремния представляют также интерес для создания конденсаторов. Было обнаружено, что электрическая прочность пленок Si3N4, осажденных при 1000 С за счет реакции SiCl4 и NH3, выше, чем у пленок SiO и SiO2 ( см. также рис. 4), но температура реакции слишком велика для использования при изготовлении тонкопленочных интегральных схем. Предварительные результаты показывают, что стехио-метрические пленки Si3N4 могут быть получены при низких температурах подложки путем реактивного катодного распыления на постоянном токе [54, 55] или ВЧ распыления [55] катода из поликристаллического кремния в атмосфере азота. Из этих двух методов ВЧ распыление более предпочтительно. Однако для использования тонких пленок нитрида при изготовлении тонкопленочных конденсаторов требуется провести большую работу. [17]

Сема подколпачного устройства установки УВН-62П-1. [18]

Применение реактивного катодного распыления облегчает задачу автоматизации процесса при получении многослойных сплошных пленок. Переход от одного типа пленки к другому связан лишь со сменой реактивного газа. В частности пассивная часть гибридной пленочной микросхемы, содержащая л шь резисторы, может быть получена с помощью реактивного катодного распыления в виде двухслойной системы резистивный слой - проводящий слой и последующей двухэтажной фотолитографии. [19]

Другие материалы, представляющие интерес в качестве диэлектрика тонкопленочных конденсаторов, будут рассмотрены вкратце. Это - ТЮ2 и титанаты, интересные благодаря большим значениям диэлектрической постоянной. Предварительные результаты показывают, что окислы гафния [1]), иттрия [2,3] и других редкоземельных элементов весьма стабильны при формировании пленок анодированием и реактивным катодным распылением. [20]

Вопрос о способе введения керамоподобных соединений в состав покрытий решается отдельно в каждом конкретном случае. Например, SiC, B4C и А14С3 образуются непосредственно на углеродной поверхности при силицировании, борировании и алюмини-ровании. Путем прямого взаимодействия с углеродсодержащей газовой фазой образуется упрочняющее покрытие из В4С на борном волокне. Пленку Si3N4 формируют на разных поверхностях пиролитическим осаждением и реактивным катодным распылением. Покрытие из нитрида алюминия ( в частности, на графите) получают напылением алюминия с последующим азотированием металлического слоя. [21]

Страницы: 1 2