Ионно-плазменное распыление
Cтраница 3
В связи с этим функции мишени и катода разделены. Ионно-плазменное распыление позволяет повысить скорость осаждения пленки на подложку при одновременном снижении давления рабочего газа до 10 - 3 - 1 ( Г мм рт. ст., что в совокупности приводит к уменьшению содержания газа в пленке. [31]
Ионно-плазменное распыление - метод получения резистивных, проводящих и диэлектрических пленок, при котором распыление осуществляется бомбардировкой материала мишени ионами плазмы газового разряда низкого давления, формируемого между термокатодом и независимым анодом. Отличительной чертой ионно-плазменного распыления является высокий вакуум, что обеспечивает получение более чистых пленок. Электрические цепи разряда и распыления развязаны. [32]
 |
Зависимость удельной электропроводности гндрогеннзнрованного аморфного кремния при комнатной температуре от состава газовой смеси. [33] |
Фотоэлектрические свойства пленок o - Si: Н, получаемых высокочастотным ионно-плазменным распылением, несколько хуже, чем пленок, наносимых разложением силана, что обусловлено большей концентрацией локализованных состояний в запрещенной зоне. Вместе с тем метод ионно-плазменного распыления выгодно отличается от метода разложения силана с точки зрения безопасности. [34]
Тонкие пленки наносят на подложку с использованием различных технологических методов, которые в сочетании с методом фотолитографии позволяют получить резисторы требуемой конфигурации и размеров. Наиболее широко применяются методы вакуумного напыления и катодного или ионно-плазменного распыления. [35]
Технологический процесс протекает в вакуумных камерах, в которых металл, используемый для формирования покрытия, превращается в газ, ионизированный пар и плазму, а затем в атмосфере реакционного или нейтрального газа оседает на упрочненную поверхность в виде конденсата. Покрытие может быть получено способами термического испарения, катодного или ионно-плазменного распыления или с помощью бомбардировки поверхности потоками осаждаемого вещества. [36]
Технологические методики получения тонкопленочных структур базируются на использовании физических и химических процессов. Физические процессы составляют основу термического испарения в вакууме и катодного или ионно-плазменного распыления. На основе химических процессов разработаны следующие технологические методики: электрохимическое анодирование, гальваническое наращивание и осаждение из газовой фазы. [37]
Главным недостатком всех рассмотренных выше диодных методов распыления является необходимость относительно высокого давления инертного газа для поддержания разряда, что повышает вероятность загрязнения пленки. На рис. 33, г, д и е показаны варианты трехэлектродной системы катодного распыления; рабочий процесс в этом случае называют также ионно-плазменным распылением. При ионно-плазменном распылении бомбардировку специальной мишени осуществляют ионами плазмы газового разряда низкого давления. Дуговой газовый разряд зажигается между раскаленным катодом, являющимся источником электронов и анодом при напряжении 150 - 260 В. Разрядный ток в этом случае достигает нескольких ампер. [38]
 |
Зависимость удельной теплоемкости с и удельной теплопроводности к двуокиси олова от температуры. [39] |
В радиоачектронике двуокись олова используется преимущественно в виде тонких пленок. Пленни SnO2 ( станнатные пленки) получают различными способами: термическим вакуумным испарением и конденсацией с последующим отжигом на воздухе, окислением пленок металлического олова, осажденного на диэлектрическую подложку, методами реактивного катодного или ионно-плазменного распыления, методом пиролиза хлористого или четыреххлористого олова. [40]
 |
Схемы устройств быстрой закалки расплава. а - на внутренней поверхности цилиндра. б - между вращающимися валиками. в - на внешней поверхности цилиндра. [41] |
При этом способе ионы инертных газов, имеющие высокую энергию, распыляют приповерхностные слои специальных мишеней, после чего атомы мишени принудительно осаждают на интенсивно охлаждаемую подложку. Способ эффективен для получения аморфных пленок ия1гпокрытий, обладает высокой производительностью ( до 0 02 мкм / с) и позволяет получать покрытия толщиной до 5 мм. Ионно-плазменным распылением были получены аморфные пленки химических составов SrrisCoi. [42]
Главным недостатком всех рассмотренных выше диодных методов распыления является необходимость относительно высокого давления инертного газа для поддержания разряда, что повышает вероятность загрязнения пленки. На рис. 33, г, д и е показаны варианты трехэлектродной системы катодного распыления; рабочий процесс в этом случае называют также ионно-плазменным распылением. При ионно-плазменном распылении бомбардировку специальной мишени осуществляют ионами плазмы газового разряда низкого давления. Дуговой газовый разряд зажигается между раскаленным катодом, являющимся источником электронов и анодом при напряжении 150 - 260 В. Разрядный ток в этом случае достигает нескольких ампер. [43]
Адгезия зависит от материала пленки, чистоты поверхности подложки, скорости осаждения и температуры подложки. Установки для ионно-плазменного распыления позволяют перед началом процесса производить ионную очистку подложек. Такая очистка активизирует поверхность и способствует образованию зародышей. [44]
 |
Различные виды плотности состояний, которые, как предполагается, могут осуществляться в аморфных полупроводниках ( области, соответствующие локализованным состояниям, заштрихованы. [45] |
Страницы: 1 2 3 4