Ионно-плазменное распыление

Cтраница 2

Схема с изолированным источником плазмы - схема ионно-плазменного распыления, при которой плазма генерируется в ионизационной вспомогательной камере, откуда сформированный сильным магнитным полем узкий ионный пучок ее диффундирует в главную распределительную камеру с расположенной в ней мишенью, имеющей потенциал, достаточный для ускорения ионов до энергий, необходимых для распыления материала мишени. [16]

В данной главе мы рассматриваем только вопросы ионно-плазменного распыления, а в гл. [17]

Основными методами получения металлических пленок являются термовакуумное напыление и ионно-плазменное распыление. [18]

Триодная схема с постоянным потенциалом на мишени - схема ионно-плазменного распыления, при которой мишень из распыляемого материала находится под постоянным отрицательным потенциалом относительно потенциала плазмы. Распыленные атомы осаждаются на подложку, расположенную параллельно мишени. [19]

Ионно-плазменное распыление с плаз-мо-химическим источником типа Радикал - разновидность ионно-плазменного распыления с изолированным источником плазмы, при котором в плазму источника вводится химическое соединение, участвующее в процессе формирования физической структуры. [20]

Реактивное распыление и распыление в высокочастотном разряде относятся к методу ионно-плазменного распыления. Сущность этого метода заключается в следующем: мишень из материала, который нужно распылить, бомбардируется быстрыми ионами газа, в результате чего с ее поверхности выбиваются атомы, осаждающиеся на расположенных вблизи подложках. Источником ионов служит плазма тлеющего разряда, возникающего в среде инертного газа. [21]

Зависимость удельной электропроводности гндрогеннзнрованного аморфного кремния при комнатной температуре от состава газовой смеси. [22]

Фотоэлектрические свойства пленок o - Si: Н, получаемых высокочастотным ионно-плазменным распылением, несколько хуже, чем пленок, наносимых разложением силана, что обусловлено большей концентрацией локализованных состояний в запрещенной зоне. Вместе с тем метод ионно-плазменного распыления выгодно отличается от метода разложения силана с точки зрения безопасности. [23]

Нанесение пленок через съемные маски осуществляют термическим испарением в вакууме либо ионно-плазменным распылением. Метод катодного распыления через съемные металлические маски не применяют, поскольку маска является экраном, искажающим электрическое поле между анодом и катодом, что может привести к прекращению процесса распыления; использование для этих целей масок из диэлектрических материалов нецелесообразно из-за низкой точности и трудности их изготовления. [24]

Схема получения проводящей пленки методом термического испарения. [25]

В технологическом процессе производства металлопленочных резисторов тонкие металлические проводящие пленки получают катодным, реактивным и ионно-плазменным распылением, термическим разложением и испарением, электрохимическим и химическим осаждением, а также вжиганием. [26]

Для изготовления диэлектрических пленок применяют следующие основные методы: термовакуумное напыление, реактивное ионно-плазменное распыление, распыление в высокочастотном разряде, термическое оксидирование, анодирование осаждаемых на подложку металлических пленок, химическое осаждение из паровой фазы, получение пленок из растворов. [27]

Пленки, содержащие А12 03 и TiC в соотношении 1: 1 по массе, осаждают ионно-плазменным распылением на нагретые до 600 С поли-коровые подложки. Пленки TiC - А120з, толщина которых составляет 20 - 300 нм, имеют электронографически аморфную структуру, сохраняющуюся до 1000 С. Эти пленки значительно превосходят по стабильности структуры пленки традиционных резисторов Ti - Al203, в которых при 1000 С наблюдается увеличение размера зерен до 50 нм и изменение фазового состава. [28]

Новые возможности для формирования жаростойких покрытий предоставляют такие способы, как электронно-лучевое испарение, плазменное напыление, в том числе напыление в динамическом вакууме, ионно-плазменное распыление и др. Эти способы используются для нанесения покрытий типа MeCrAlY ( Me - Ni, Co, Fe), причем их толщина может быть 100 мкм. Сплавы системы Me - Сг - А1 являются основой покрытия, а иттрий вводится в небольших количествах ( обычно 1 %) для повышения адгезионной прочности оксидной пленки, формирующейся при окислении. Покрытия системы FeCrAlY перспективны для защиты деталей от газовой коррозии при температурах 700 С. [29]

Вольт-амперная характеристика самостоятельного газового разряда. [30]

Страницы: 1 2 3 4