Рассеяние - мощность
Cтраница 2
Снизу сопротивление последовательного резистора Rn ограничено номинальным рассеянием мощности ( номинальным током) стабилитрона. Рассеяние мощности на стабилитроне уменьшается с увеличением Rn - Чтобы использовать стабилитрон с минимальной мощностью рассеяния и получить наибольший коэффициент стабилизации, целесообразно выбрать наибольшее стандартное значение сопротивления резистора, подходящее для полученного предела. [16]
Для матриц АЗУ характерны два существенных недостатка: значительные рассеяние мощности и отношение числа внешних выводов к числу ячеек в матрице. Это объясняется тем, что в АЗУ все ячейки могут работать одновременно и параллельно. В простом ЗУПВ в каждом цикле выбирается одна из ячеек матрицы, тогда как в АЗУ одновременно могут выбираться все ячейки матрицы БИС. Поэтому при создании ячеек АЗУ очень важно использовать компоненты с минимальным потреблением мощности. При этом степень интеграции в матрицах АЗУ ограничивается не числом транзисторов, а числом внешних выводов корпуса БИС. Например, матрица ЗУПВ емкостью 256 бит организуется как 256 одноразрядных слов и имеет 10 логических выводов. Оба указанных обстоятельства ограничивают степень интеграции элементов АЗУ в БИС на уровне, характерном для обычных логических схем, и не позволяют достичь - показателей, присущих схемам ЗУПВ. Практически из-за ограничения на число выводов корпусов БИС ( до 48 выводов) трудно реализовать ассоциативную БИС емкостью более 128 бит / кристалл. [17]
Существенными характеристиками термисторов являются также постоянная времени и коэффициент рассеяния мощности. [18]
 |
Зависимость г0щ ( / щ щеток ЭГ-2А.| Определение границ устойчивости работы щетки. [19] |
Это соответствует меньшим значениям i K9 и лучшим условиям рассеяния мощности Рк. Если заметно снизится г кэ и возрастет ток какого-то одного контактного пятна, то возможно такое увеличение мощности, выделяемой в этом пятне, что ее полное рассеяние окажется невозможным. Это вызовет нарастающее превышение температуры пятна, при котором оно может быть разрушено - произойдет искрение. [20]
Действие стабилитронов заключается в ограничении падения напряжения на транзисторах и рассеяния мощности на них. [21]
Из сказанного очевидно, что в точке В потери на рассеяние мощности в стабилизаторе будут наибольшими, а КПД наименьшим. [22]
Другим условием, оказывающим влияние на работу компаратора, является рассеяние мощности в самом компараторе. Самопроизвольное нагревание вызывает изменения в уровне смещения, которые влияют на порог срабатывания и тем самым вызывают сдвиг в выходных данных. Источником избыточного рассеяния является насыщение компаратора между преобразованиями, когда вход АЦП открыт. Вообще, компаратор необходимо рассчитывать на низкое рассеяние или же предотвращать насыщение между преобразованиями. Один из методов предотвращения насыщения заключается в закорачивании входа АЦП в промежутках между преобразованиями. [23]
Требование, чтобы материал имел высокое удельное сопротивление для ограничения рассеяния мощности, означает, что существует некоторый предел минимальной ширины энергетического промежутка, пригодной для практического использования. Энергетические промежутки менее 1 эв в общем случае вряд ли являются приемлемыми. [24]
 |
Дрейфовая скорость электронов Физика этого процесса. [25] |
Основное ограничение, присущее данному методу модуляции, связано с рассеянием мощности. В этом отношении даже те образцы полупроводника, которые рассчитаны на модуляцию сравнительно длинноволнового излучения, обладают слишком низким удельным сопротивлением. [26]
 |
Подключение нагрузки к источнику.| Графики максимальной активной мощности в нагрузке и к.п.д. источника. [27] |
Внутреннее сопротивление Z, и внутренняя проводимость У / учитывают также рассеяние мощности и накопление энергии внутри реальных источников. [28]
 |
Кривые намагничивания и магнитной проницаемости для кремнистой стали.| Петли гистерезиса. [29] |
В идеальном случае, независимо от величины падения напряжения, в катушке индуктивности нет рассеяния мощности. В практических конструкциях имеются потери мощности в медных и стальных деталях, а в некоторых системах управления мощность расходуется на изменение индуктивности. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5