Рассеяние - текстура - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Мало знать себе цену - надо еще пользоваться спросом. Законы Мерфи (еще...)

Рассеяние - текстура

Cтраница 1


Рассеяние текстуры приводит к тому, что углы у и 9 не остаются фиксированными, а изменяются определенным образом от кристаллита к кристаллиту.  [1]

При большем рассеянии текстуры деформированной матрицы после рекристаллизации обнаруживаются лишь три из восьми возможных ориентировок. Они отклоняются от идеальных на несколько градусов и принадлежат к области рассеяния текстуры деформации. В этом случае ориентация зародышей новых зерен также принадлежит к области рассеяния текстуры прокатки.  [2]

3 Расположение относитель. но направления прокатки ( Я / 7 плоскостей, дающих максимальное рассеяние ориентировок при прокатке в о. ц. к. металлах. [3]

В целом же рассеяние текстур прокатки с увеличением степени деформации уменьшается, но начиная с е 90 % остается неизменной.  [4]

Поэтому акустоупругий отклик ТИС с углом рассеяния текстуры, превышающим я / 3, с достаточной для инженерной практики точностью может быть описан аку-стоупругими коэффициентами ИС.  [5]

Далеко не всегда наследование текстуры прокатки при возврате и уменьшение рассеяния текстуры наблюдаются раздельно, как в предыдущем примере. Часто возврат очень быстро сменяется рекристаллизацией; эти процессы могут также происходить одновременно. Анализ такой ситуации весьма затруднен, поэтому нелегко экспериментально установить, в какой степени уменьшение рассеяния текстуры прокатки может быть вызвано процессом возврата.  [6]

По ОПФ легко подсчитать долю зерен определенной ориентировки, задавшись углом рассеяния текстуры.  [7]

8 Вид дебаеграммы при отсутствии ( а и наличии ( б текстуры. [8]

Существенный прогресс в рентгеноанализе текстур и количественной оценке веса разных компонент и степени рассеяния текстур достигнут в последние годы благодаря использованию ионизационных, методов регистрации дифрагированного рентгеновского излучения. Количественный анализ текстур, особенно многокомпонентных, относительно сложен. Он требует построения по данным, полученным из рентгенограмм, специальных полюсных фигур и их анализа.  [9]

Интегрирование выражений (2.311) позволяет установить явный вид зависимости модулей упругости ТИС от угла рассеяния текстуры.  [10]

Результаты расчета приведены на рис. 2.5, 2.6 в виде графиков зависимости акустоупругих коэффициентов от угла рассеяния текстуры.  [11]

Полюсы идеальных ориентировок хорошо описывают текстурные максимумы, однако при этом игнорируются различия в интенсивиостях максимумов и большой угол рассеяния текстур. ФРО позволяют увидеть, что нормали к плоскостям кристаллитов не точно соответствуют двум идеальным ориентировкам, а заполняют цилиндр определенной ширины.  [12]

Основными задачами при изучении текстуры являются: определение вида текстуры, индексов оси текстуры, положения этой оси относительно плоскости подложки и определение угла рассеяния текстуры. Как указывалось ранее, в большинстве пленочных образцов встречается аксиальная текстура.  [13]

Следовательно, дифрагировавшие лучи пересекут плоскую пленку 2 не по окружности, а лишь в двух точках 7, а рентгенограмма материала с аксиальной текстурой, полученная методом прямой съемки, будет иметь вид, показанный на рис. 13.4. На месте дебаевского кольца 3 остаются только дужки, длина которых тем меньше, чем меньше рассеяние текстуры. Эти дужки называют текстурными максимумами.  [14]

Пятна, расположенные на вертикальной оси х такой симметричной элек-тронограммы, соответствуют отражениям от плоскостей, параллельных подложке, так как для них угол ф равен нулю. Из-за рассеяния текстуры эти пятна будут вытянуты в виде дуг. Интерференционное пятно / ii& i / i и нормаль к отражающей плоскости ( Ai / Mi) находятся в одной плоскости, проходящей через первичный пучок S0 - Это является следствием того, что первичный луч, отраженный луч и нормаль к отражающей плоскости всегда лежат в одной плоскости. Поэтому угол аь определяющий положение интерференционного пятна h k l на электронограмме, равен углу фь определяющему положение нормали N. А это позволяет, зная угол фь установить угловое положение всех интерференционных пятен относительно оси х электронограммы.  [15]



Страницы:      1    2    3