Cтраница 1
Рассеяние текстуры приводит к тому, что углы у и 9 не остаются фиксированными, а изменяются определенным образом от кристаллита к кристаллиту. [1]
При большем рассеянии текстуры деформированной матрицы после рекристаллизации обнаруживаются лишь три из восьми возможных ориентировок. Они отклоняются от идеальных на несколько градусов и принадлежат к области рассеяния текстуры деформации. В этом случае ориентация зародышей новых зерен также принадлежит к области рассеяния текстуры прокатки. [2]
![]() |
Расположение относитель. но направления прокатки ( Я / 7 плоскостей, дающих максимальное рассеяние ориентировок при прокатке в о. ц. к. металлах. [3] |
В целом же рассеяние текстур прокатки с увеличением степени деформации уменьшается, но начиная с е 90 % остается неизменной. [4]
Поэтому акустоупругий отклик ТИС с углом рассеяния текстуры, превышающим я / 3, с достаточной для инженерной практики точностью может быть описан аку-стоупругими коэффициентами ИС. [5]
Далеко не всегда наследование текстуры прокатки при возврате и уменьшение рассеяния текстуры наблюдаются раздельно, как в предыдущем примере. Часто возврат очень быстро сменяется рекристаллизацией; эти процессы могут также происходить одновременно. Анализ такой ситуации весьма затруднен, поэтому нелегко экспериментально установить, в какой степени уменьшение рассеяния текстуры прокатки может быть вызвано процессом возврата. [6]
По ОПФ легко подсчитать долю зерен определенной ориентировки, задавшись углом рассеяния текстуры. [7]
![]() |
Вид дебаеграммы при отсутствии ( а и наличии ( б текстуры. [8] |
Существенный прогресс в рентгеноанализе текстур и количественной оценке веса разных компонент и степени рассеяния текстур достигнут в последние годы благодаря использованию ионизационных, методов регистрации дифрагированного рентгеновского излучения. Количественный анализ текстур, особенно многокомпонентных, относительно сложен. Он требует построения по данным, полученным из рентгенограмм, специальных полюсных фигур и их анализа. [9]
Интегрирование выражений (2.311) позволяет установить явный вид зависимости модулей упругости ТИС от угла рассеяния текстуры. [10]
Результаты расчета приведены на рис. 2.5, 2.6 в виде графиков зависимости акустоупругих коэффициентов от угла рассеяния текстуры. [11]
Полюсы идеальных ориентировок хорошо описывают текстурные максимумы, однако при этом игнорируются различия в интенсивиостях максимумов и большой угол рассеяния текстур. ФРО позволяют увидеть, что нормали к плоскостям кристаллитов не точно соответствуют двум идеальным ориентировкам, а заполняют цилиндр определенной ширины. [12]
Основными задачами при изучении текстуры являются: определение вида текстуры, индексов оси текстуры, положения этой оси относительно плоскости подложки и определение угла рассеяния текстуры. Как указывалось ранее, в большинстве пленочных образцов встречается аксиальная текстура. [13]
Следовательно, дифрагировавшие лучи пересекут плоскую пленку 2 не по окружности, а лишь в двух точках 7, а рентгенограмма материала с аксиальной текстурой, полученная методом прямой съемки, будет иметь вид, показанный на рис. 13.4. На месте дебаевского кольца 3 остаются только дужки, длина которых тем меньше, чем меньше рассеяние текстуры. Эти дужки называют текстурными максимумами. [14]
Пятна, расположенные на вертикальной оси х такой симметричной элек-тронограммы, соответствуют отражениям от плоскостей, параллельных подложке, так как для них угол ф равен нулю. Из-за рассеяния текстуры эти пятна будут вытянуты в виде дуг. Интерференционное пятно / ii& i / i и нормаль к отражающей плоскости ( Ai / Mi) находятся в одной плоскости, проходящей через первичный пучок S0 - Это является следствием того, что первичный луч, отраженный луч и нормаль к отражающей плоскости всегда лежат в одной плоскости. Поэтому угол аь определяющий положение интерференционного пятна h k l на электронограмме, равен углу фь определяющему положение нормали N. А это позволяет, зная угол фь установить угловое положение всех интерференционных пятен относительно оси х электронограммы. [15]