Рассеяние - текстура
Cтраница 3
 |
Изменение кристаллографического направления, располагающегося вдоль оси растяжения в ходе деформации г. ц. к. металлов ( схема. [31] |
Во-вторых, осложняющим обстоятельством является наличие границ зерен. Усложнение условий деформации и дислокационной структуры, связанное с границами, рассмотрено в гл. Здесь лишь отметим, что приграничные области из-за большей турбулентности скольжения, как правило, характеризуются иными ориентировками, чем внутренние объемы кристаллитов, и большим рассеянием текстуры по сравнению с тем, которая диктуется схемой напряженно-деформированного состояния. [32]
Магнитный метод анализа текстур менее универсален; чем описанные выше. Метод основан на том, что образец из магнитно анизотропного материала при намагничивании стремится ориентироваться направлением легкого намагничивания вдоль магнитного поля. При этом создается крутящий момент, величина которого зависит от положения образца. Метод весьма эффективен для анализа рассеяния текстуры, однако не позволяет расшифровывать кристаллографические параметры текстуры. Благодаря своей простоте метод широко используется как контрольный в производственных условиях. В сочетании с рентгеновским методом может быть полезен и для анализа текстур. [33]
Практически никогда не удается добиться того, чтобы все кристаллиты в результате деформации оказались строго ориентированными в том направлении, к которому они стремятся при поворотах. Всегда наблюдается та или иная степень отклонения ориентировки отдельных субзерен и зерен от идеальной, т.е. рассеяние текстуры. В сильно деформированных металлах возникает наиболее отчетливая текстура деформации, рассеяние которой может составить несколько ( 5 - 5 - 10) градусов. При этом нужно иметь в виду, что из-за сложного характера взаимодействия со стороны соседних зерен рассеяние текстуры может быть значительным не только между зернами, но и в пределах каждого зерна. [34]
Нами с помощью рентгепоструктурного анализа были построены полюсные фигуры базисной ( 0001) и пирамидальной ( 1011) плоскостей для горячепрессованных прутков диаметром 22 мм из титана, содержащего 0 06 и 0 11 % ( по массе) кислорода. После прессования была получена полностью рекристаллизованная структура. Ориентация плоскости ( 1011) перпендикулярно оси прутка также сильнее выражена для титана с большим содержанием кислорода. Очевидно, кислород, помимо упрочнения твердого раствора, влияет и на процессы пластической деформации, и на процессы тек-стурообразования. Так, в частности, кислород уменьшает рассеяние текстуры. [35]
 |
Изменение вида ППФ 111 деформированного листа сплава САП-1 при рекристаллизации. [36] |
Аналогичная ситуация наблюдается при рекристаллизации композитных материалов типа САП, где рост зародышей сдерживается частицами упрочняющей фазы. В случае изучения таких сплавов следует различать истинную температуру начала рекристаллизации ( заро-дышеобразования) и температуру начала интенсивного роста зародышей. Последний процесс наступает при температурах, когда начинается коагуляция и обратное растворение дисперсной фазы. При обычных методах эту температуру принимают за температуру начала рекристаллизации. Истинная температура начала рекристаллизации может быть обнаружена по изменению рассеяния текстуры. [37]
Существующие поликристаллические материалы с аксиальной текстурой соответствуют модели идеальной ТИС лишь с той или иной степенью приближения. Четкая текстура, близкая к идеальной, обнаруживается только в образцах, исследуемых на разрыв, т.е. при напряжениях, близких к пределу прочности материала. В реальных конструкциях режимы нагру-жения деталей не столь экстремальны. Например, затяжка болтов производится при существенно меньших напряжениях, в идеале близких лишь к пределу текучести. Текстура, образующаяся при таких напряжениях, оказывается гораздо менее четкой и характеризуется достаточно большим углом рассеяния. Поэтому для корректного теоретического описания реальной тек-стурированной среды необходимо рассмотреть модель ТИС с текстурой, обладающей рассеянием, и проанализировать зависимость между значениями акустоуп-ругих коэффициентов и углом рассеяния текстуры. Очевидно, чтобы получить аналогичные выражения для ТИС с рассеянием текстуры, необходимо вначале установить, как ее упругие модули соотносятся с углом рассеяния текстуры. [38]
Существующие поликристаллические материалы с аксиальной текстурой соответствуют модели идеальной ТИС лишь с той или иной степенью приближения. Четкая текстура, близкая к идеальной, обнаруживается только в образцах, исследуемых на разрыв, т.е. при напряжениях, близких к пределу прочности материала. В реальных конструкциях режимы нагру-жения деталей не столь экстремальны. Например, затяжка болтов производится при существенно меньших напряжениях, в идеале близких лишь к пределу текучести. Текстура, образующаяся при таких напряжениях, оказывается гораздо менее четкой и характеризуется достаточно большим углом рассеяния. Поэтому для корректного теоретического описания реальной тек-стурированной среды необходимо рассмотреть модель ТИС с текстурой, обладающей рассеянием, и проанализировать зависимость между значениями акустоуп-ругих коэффициентов и углом рассеяния текстуры. Очевидно, чтобы получить аналогичные выражения для ТИС с рассеянием текстуры, необходимо вначале установить, как ее упругие модули соотносятся с углом рассеяния текстуры. [39]
Существующие поликристаллические материалы с аксиальной текстурой соответствуют модели идеальной ТИС лишь с той или иной степенью приближения. Четкая текстура, близкая к идеальной, обнаруживается только в образцах, исследуемых на разрыв, т.е. при напряжениях, близких к пределу прочности материала. В реальных конструкциях режимы нагру-жения деталей не столь экстремальны. Например, затяжка болтов производится при существенно меньших напряжениях, в идеале близких лишь к пределу текучести. Текстура, образующаяся при таких напряжениях, оказывается гораздо менее четкой и характеризуется достаточно большим углом рассеяния. Поэтому для корректного теоретического описания реальной тек-стурированной среды необходимо рассмотреть модель ТИС с текстурой, обладающей рассеянием, и проанализировать зависимость между значениями акустоуп-ругих коэффициентов и углом рассеяния текстуры. Очевидно, чтобы получить аналогичные выражения для ТИС с рассеянием текстуры, необходимо вначале установить, как ее упругие модули соотносятся с углом рассеяния текстуры. [40]
Страницы: 1 2 3