Рассеяние - электронная волна
Cтраница 2
Было показано, что основным механизмом рассеяния электронных волн является рассеяние на катионных вакансиях. [16]
 |
Вольт-ампер - облучения они могут располагаться ная характеристика гер - и среди ячеек решетки, а не только маниевого выпрямителя, в ее узлах, как химически внесенные. [17] |
Правильность решетки нарушается, появляются новые центры рассеяния электронных волн, снижающие подвижность, и появляются новые источники свободных зарядов. [18]
Мысль о том, что сопротивление металлов обусловлено рассеянием электронных волн на неоднородностях решетки, вызванных тепловым движением, была впервые высказана советским физиком Я. И. Френкелем в его работе по теории металлов. [19]
Современная квантовомеханическая теория твердого тела объясняет наличие электросопротивления как результат рассеяния электронных волн кристаллической решеткой металла. [20]
Во всяком случае рост подвижности свободных зарядов с температурой трудно связать с рассеянием электронных волн, вызванным искажением периодической решетки кристалла. Следовало бы ожидать, что тепловое движение увеличит, а не уменьшит число центров рассеяния. [21]
Взаимодействие электронов с положительными ионами кристаллической решетки в квантовой теории металлов рассматривается как рассеяние электронных волн на тепловых колебаниях ионов решетки. [22]
Наблюдаемая разница в значениях Ар связана с природой материала, различной степенью его упрочнений и механизмом рассеяния электронных волн на деформационных дефектах решетки. [23]
Как показало теоретическое исследование влияния несферичности в распределении заряда на рассеяние электронов [6], анизотропия в рассеянии электронных волн будет отсутствовать, если атомы, валентные состояния которых характеризуются - симметрией, находятся в кубическом поле. [24]
Чем выше температура, тем интенсивнее тепловое движение, тем чаще встречаются такие флуктуации, которые вызывают заметное рассеяние электронных волн, и поэтому тем меньше становится подвижность. Так как число электронов проводимости почти не изменяется с температурой, то, согласно формуле ( 1), сг и и одинаково зависят от температуры. [25]
В то же время такие примеси, в среднем мало нарушающие периодичность решетки, не эффективны для рассеяния более длинноволновых электронных волн и поэтому лишь незначительно снижают подвижность носителей тока. [26]
 |
Кинетика изменения лектросопротналения во время изотермической выдержки при 480 С. [27] |
Позднее было показано, что К-состояние заключается в существовании микроскопических областей дальнего порядка, а повышение электросопротивления связано с рассеянием электронных волн на границах этих областей. [28]
Чем выше температура, тем интенсивнее тепловое движение, тем чаще встречаются такие флуктуации электрического поля ионов решетки, которые вызывают заметное рассеяние электронных волн и поэтому тем меньше становится подвижность. Так как число электронов проводимости в металле не изменяется с температурой, то, согласно формуле ( 1), с. [29]
Слгдует отметить, что в примесных полупроводниках, у которых проводимость в значительной мере обусловливается наличием ионизованных примесей, имеет место добавочный механизм рассеяния электронных волн этими ионизованными примесями. Совместное действие того и другого факторов приводит к тому, что подвижность электронов при низкой температуре определяется рассеянием на примесях, а при более высокой температуре - рассеянием на колебаниях решетки. [30]
Страницы: 1 2 3 4