Cтраница 4
Таким образом, отличны от нуля только матричные элементы от функций, волновые векторы которых отличаются точно на вектор обратной решетки. Рассматривая воз мущающий потенциал как причину рассеяния свободных электронных волн, мы получаем здесь по существу теорию дифракции электронов. [46]
Электроны с энергиями выше 0.7 10s эл. Привильность решетки нарушается, появляются новые центры рассеяния электронных волн, снижающие подвижность, и новые источники свободных зарядов. [47]
Исходя из волновой природы электронов покажем, как должно сказываться на процессе рассеяния различие в их длинах волн. Как сказано выше ( § 1.3), рассеяние электронных волн происходит на дефектах кристаллической решетки, которые соизмеримы с расстоянием порядка четверти длины волны электрона. Нарушения меньших размеров не вызывают заметного рассеяния волн. [48]
Второй процесс возникает, однако, гораздо реже, чем изменение импульса электрона, изменяющее направление его движения. Именно этот последний процесс и ответствен в основном за рассеяние электронных волн как при диффузии, так и при движении электрона в электрическом поле. [49]
Это сопротивление может быть учтено, если принять во внимание то обстоятельство, что на самом деле электроны внутри металла не вполне уравновешены, но испытывают силы, неправильным образом изменяющиеся как в пространстве, так и во времени. Эти силы, связанные с тепловым движением атомов металла, вызывают рассеяние электронных волн или, исходя из корпускулярной теории, резкие изменения в направлении движения электронов, причем совершенно такие же, как в случае столкновений атомов какого-либо газа между собой. Чем чаще происходят эти отклонения, тем большее сопротивление оказывает металл прохождению электрического тока. [50]
При электронографическом изучении ориентированных осадков большое значение имеет точность измерения параметров решетки. Как известно, основные трудности при этом возникают в связи со свойством рассеяния электронных волн высоких энергий под малыми углами и неточностью измерения длины электронной волны X. Обычно для уточнения значения К делаются дополнительные съемки калибровочных образцов ( эталонов) с известными параметрами. В качестве таких стандартных веществ используются тонкие слои осадков Т1С1, Nad, Аи и др. Ряд авторов в качестве калибровочных образцов используют кристаллы-подложки. Последний способ применим в том случае, если слой осадка достаточно тонкий и на электронограмме наблюдаются одновременно рефлексы от обоих веществ. [51]