Cтраница 1
Рассеяние энергии при вытягивании волокон составляет примерно 80 % от всей работы разрушения углепластиков и стеклопластиков. Следует отметить, что понижение прочности связи на поверхности раздела приводит к большей вытягиваемой длине и, как следствие, к большей работе разрушения. Кроме того, повышение коэффициента вариации прочности волокон также способствует повышению работы разрушения. [1]
Рассеяние энергии можно учесть соответствующим поправочным коэффициентом, определенным экспериментально. [2]
Рассеяние энергии вследствие трения поверхности частицы о среду обусловлено только этим вращательным движением, так как в поступательном движении центр частицы неподвижен относительно потока в плоскости расположения центра. [3]
Схема экетрактииной ректификации. F - питание. Е - экстрап пт. Л п VV n - свободные от окстрагспта.| Кривые равновесия азеотропной смеси при давлениях р, И 2.| Схема ректификации. [4] |
Рассеяние энергии, обусловленное этими силами, приводит к тому, что энергия, накопленная в одном из двух ( или более) накопителей, входящих в состав автоколебат. [5]
Рассеяние УКВ на неоднород. [6] |
Рассеяние энергии каплями воды указывает на возможность распространения миллиметровых и сантиметровых волн за пределами прямой видимости. [7]
Рассеяние энергии, связанное с наличием трения, оказывает существенное влияние на характер движения динамической системы, поэтому изучение этого влияния представляет определенный интерес. [8]
Рассеяние энергии в подшипниковых опорах, шлицевых и шпоночных соединениях имеет характер внутреннего трения. [9]
Диаграмма в f ( 8 для реальных тел.| Схема крутильного прибора Феп-пля - Пертца. [10] |
Рассеяние энергии через такую проволоку ничтожно и на результаты испытаний влияния не оказывает. [11]
Схема закрепления образца и блок-схема проведения измерений. [12] |
Рассеяние энергии определялось фазовым методом, который базируется на зависимости угла сдвига фаз между возмущающей силой и перемещением точки приложения этой силы от величины рассеянной энергии. [13]
Рассеяние энергии идет по двум каналам: РМУ и ОО. Энергия ОО локализована вблизи оси луча. При прохождении через резист электронный пучок в результате РМУ расширяется, так что на границе резист - подложка экспонируется площадь большая, чем в поверхностном слое резиста. Эта площадь определяется длиной пути электрона в резисте и подложке. Хотя максимальное рассеяние энергии в единице объема из-за ОО гораздо меньше, объемный их вклад сравним. Доля РМУ и ОО в экспозиции резиста зависит от энергии излучения, толщины слоя и атомного номера элемента, входящего в состав вещества подложки. При повышении энергии излучения уменьшается потеря энергии на единицу длины пути, а при увеличении толщины слоя возрастает кумулятивный эффект столкновений электронов РМУ. Площадь, экспонируемая на границе резист - подложка, увеличивается с ростом толщины слоя. Адекватное экспонирование требует, чтобы пробег электронов в полимерном слое превышал его толщину с тем, чтобы обеспечить экспонирование резиста вблизи границы резист - подложка. С возрастанием атомного номера элементов, образующих вещество подложки, увеличивается доля электронов ОО и уменьшается длина пробега электронов в подложке, в результате чего электроны ОО концентрируются вблизи оси луча. [14]
Рассеяние энергии при колебаниях упругодиссипа - 1ивной системы удобно оценивать с помощью коэффициента поглощения, равного отношению потерянной за цикл энергии V к наибольшему значению потенциальной энергии П упругого элемента. [15]